Одиночного транзистора

Радиус •зашиты одиночного стержневого молниеотвода

29.14. Зона защиты одиночного стержневого молниеотвода:

40. Зона защиты одиночного стержневого молниеотвода высотой до 60 м

В основании зоны защиты одиночного стержневого молниеотвода высотой Л до 60 м ( 40), находящейся на уровне земли, лежит окружность радиусом г = 1,5Л. Вся зона представляет собой конус с образующей в виде ломаной линии. Горизонтальное сечение зоны защиты на высоте защищаемого сооружения Л над уровнем земли представляет собой круг с радиусом г .

дится на высоте ha
Перечисленные факторы находятся во взаимосвязи друг с другом, а также с высотой защищаемых зданий — hx и радиусом зоны защиты гх на этой высоте (см. главу 4 СН 305 — 77). При известных величинах hx и гх требуемую высоту одиночного стержневого молниеотвода для зоны Б определяют по формуле

Расчетная зона защиты одиночного стержневого молниеотвода высотой до 150 м представляет собой конус с высотой и радиусом на уровне земли соответственно

Пример 11.5. На 11.6 показано расположение защищаемого сооружения и молниеотвода. Определить защитную зону одиночного стержневого молниеотвода и его высоту при ударе молнии, если /„= 150 кА, импульсное сопротивление заземлителя /?„„„ = 10 Ом, высота защищаемого сооружения /!.,= 10 м, размеры сооружения аХ& = = 6X6 м.

Зона защиты одиночного стержневого молниеотвода ( 12-2) определяется выражением:

Зона защиты одиночного тросового молниеотвода ( 12-6) находится, как и для одиночного стержневого молниеотвода, по выражению (12-7), но с измененным коэффициентом в числителе правой части. Так, при высоте подвеса троса /t'^30 м вместо коэффициента 1,6 принимается коэффициент 0,8.

Зоны защиты стержневых молниеотводов. Зона защиты одиночного стержневого молниеотвода ( 14-3) представляет собой пространство вблизи молниеотвода, ограничен-

Существенно улучшает качественные показатели стабилизатора применение составного транзистора (§ VI.3 и VI.8). Схема такого стабилизатора на строенном транзисторе приведена на VIII. 17. Составной транзистор состоит из более мощного регулирующего или проходного транзистора ТР и двух менее мощных согласующих транзисторов ТС1 и ТС2. Составной транзистор, как это показано в §VI.3, имеет очень большую величину р. Например, в строенном транзисторе на П217 (р = 15), ГТ403Д (Р = 50) и МП26А (Р = 20) получаем по (VI. 100) р = 15 • 50 X 20 = 15000, вместо р = 15 для одиночного

чем у одиночного транзистора [формулы (VI.89) — (VI. 92)]. Это приводит к уменьшению ц,р [формула (VIII. 116) и связанного с ним Ки и к увеличению гвых.с [формула (VIII. 121)]. Лучшие показатели можно получить, применяя составные транзисторы, образованные транзисторами разного типа проводимости ( VIII. 17, в иг).

ляется базовым. Пока ток /„ мал, базовый ток ТР' невелик, и транзистор ТР' работает в качестве регулирующего. По мере роста тока /н транзистор ТР' переходит в режим насыщения, а ТР остается регулирующим, который шунтирован резистором Rm. Ток /н состоит из трех составляющих /^, l'B и /д, а эмиттерный ток /э транзистора ТР — из двух составляющих l'B и /д. Так как на диоде Д напряжение не может превысить 0,8—1,0 В, это предотвращает протекание большой величины тока /Б через ТР', и большая часть /э проходит через диод Д. В схеме на VIII.22, г при больших напряжениях и меньших токах РК тах будет на ТР*, а при меньших напряжениях и больших токах РКтах будет на ТР, поэтому оба транзистора целесообразно поместить на одном радиаторе (с электрической изоляцией коллекторов), рассчитанном на максимальную мощность, рассеиваемую одним из транзисторов, которая примерно в 4 раза меньше мощности в случае применения одиночного транзистора без #ш.

(для одиночного транзистора),

Если разработчику импульсного источника электропитания понадобится переключать ток, значение которого выше предельного тока одиночного транзистора, он может просто включить параллельно несколько приборов, как показано на 5.17. В случае биполярных транзисторов, как мы знаем, не обойтись без токовыравнивающих резисторов в цепи эмиттера, на которых теряется мощность. Гораздо лучше обстоит дело с полевыми транзисторами. Для параллельного их соединения нужно иметь приборы с близкими значениями порогового напряжения. Транзисторы одного типа имеют очень близкие значения порогового напряжения, поэтому эта рекомендация заключается в запрете соединять транзисторы разных типов. Во-вторых, чтобы обеспечить равномерный прогрев линейки транзисторов, их нужно устанавливать на один радиатор и по возможности близко друг к другу. Необходимо также помнить, что через два параллельно включенных транзистора можно пропускать в два раза больший ток (не снижая нагрузочной способности одиночных приборов), но при этом входная емкость, а значит, и заряд возрастают в два раза. Соответственно схема управления параллельно соединенными транзисторами

Если соединить затворы полевых транзисторов непосредственно, можно получить неприятный эффект «звона» при выключении, — транзисторы, влияя друг на друга через затворы, будут произвольно открываться и закрываться, не подчиняясь сигналу управления. Чтобы исключть «звон», на выводы затворов транзистора надевают небольшие ферритовые трубочки, предотвращающие взаимное влияние затворов. Данный способ встречается сегодня все реже, уступая место более простому и доступному: в цепи затворов включаются одинаковые резисторы сопротивлением десятки-сотни ом. В этом случае общий заряд должен быть вычислен как произведение заряда одного транзистора на количество транзисторов в линейке, а зарядный ток (для сохранения времени коммутации как для одиночного транзистора) — также увеличен в это число раз. Соответственно время коммутации и величина затворного резистора вычисляются в таких условиях для одиночного транзистора.

Ток коллектора одиночного транзистора......100 мА

Импульсная рассеиваемая мощность двух транзисторов сборки с дополнительным теплоотводом при обеспечении теплового сопротивления подложка-среда не более 200 К/Вт, т„ < 10 мкс, Q > 2 и Т< 333 К . . . 500 мВт Постоянная рассеиваемая мощность одиночного транзистора при постоянной рассеиваемой мощности

Импульсная рассеиваемая мощность одиночного транзистора при импульсной рассеиваемой мощности

Параметры одиночного транзистора

Параметры одиночного транзистора