Одинаковой вероятностью

сравнении теплопроводности газовой смеси и воздуха при одинаковой температуре. Содержание углекислого газа определяют путем измерения сопротивления нагретых проводников, помещенных в воздушную и газовую среды. Теплопроводность газовой среды изменяется в зависимости от содержания СО2.

3-19. Определение состояния пара по его давлению при одинаковой температуре.

Магнитопроводы с одинаковыми магнитными характеристиками могут быть получены только при одинаковой температуре по всей рабочей зоне печи. Температурный режим поддерживается с точностью ±5 К автоматическим регулированием.

Для получения электрического тока необходимо составить замкнутую цепь из проводящих веществ ( 7-3, а). Однако обнаружить контактную разность потенциалов при одинаковой температуре всех участков цепи, составленной из проводников первого рода, т. е. веществ с чисто электронной проводимостью (металлы), невозможно, поскольку потенциалы, как это нетрудно показать, при обходе по замкнутому пути взаимно уравновешиваются и суммарная э. д. с. получается равной нулю. В этом можно убедиться, рассматривая наиболее простое соединение, когда цепь составлена рис 7_3 только из двух металлов ( 7-3, б). В этом случае обе контактные э. д. с. равны и направлены друг против друга.

В невозможности получения в замкнутой цепи, состоящей из проводников первого рода, при одинаковой температуре их результирующей э. д. с., не равной нулю, убеждает также то, что возникший при этом электрический ток должен был бы существовать без подвода энергии извне, что противоречило бы принципу сохранения энергии.

Монохроматическая и интегральная интенсивности излучения всякого физического тела всегда меньше, чем у абсолютно черного тела, при одинаковой температуре.

а — при различных температурах воздуха у теп-лорассеивающих поверхностей; б — при одинаковой температуре охлаждающего воздуха; в — упрощенная схема при R =0.

Таким образом, в замкнутой цепи, состоящей из двух или нескольких металлических проводников, при одинаковой температуре стыков э. д, с. в контуре равна нулю и ток в контуре не возникает.

В интегральны * кремниевых схемах подавляющее (большинство транзисторов относится к типу п-р-п+. Транзисторы типа р-п-р используются крайне редко, так как имеют худшие электрические параметры. Основное преимущество технологии изготовления транзисторов типа п-р-п+ связано с относительно (большим коэффициентом растворимости 'фосфора в кремнии, диффузия которого используется при создании области эмиттера. Болышой коэффициент растворимости .позволяет обеспечить высокую концентрацию примесей в эмиттере, что способствует увеличению коэффициента инжещии эмиттерного перехода. Кроме того, в транзисторах типа п-р-п+ неосновными носителями в базе являются электроны. Подвижность электронов при одинаковой температуре и концентрации примесей в кремнии приблизительно в два раза превышает подвижность дырок. Поэтому время пролета носителей

Количество воды, попавшей в масло из воздуха, зависит от влажности воздуха. При одинаковой температуре масла и окру-

Монохроматическая и интегральная интенсивности излучения всякого физического тела всегда меньше, чем у абсолютно черного тела, при одинаковой температуре.

Оптимальное число элементов на одной плате можно получить расчетным путем на основе вероятностно-статистических методов. При этом гибридная ИМС может содержать как однотипные, так и разнотипные пленочные элементы. Так, если на плате размещено N однотипных элементов, характеризующихся одинаковой вероятностью изготовления одного элемента р, которая не зависит от числа элементов на плате, а определяется только случайными дефектами и случайными отклонениями параметров, то согласно теории вероятностей вероятность изготовления одной платы с N элементами

Однако разрабатываемые ИМС содержат не только однотипные элементы, которые по воспроизводимости свойств сильно различаются в зависимости от размеров и конфигурации, но также разнотипные элементы (резисторы, конденсаторы, навесные компоненты), характеризующиеся различной вероятностью брака. Так, например, пленочные резисторы квадратной формы имеют меньшую вероятность брака по сравнению с резисторами длинной и узкой форм или сложной конфигурации. В данном случае также применим вероятностно-статистический метод расчета Nam. Для этого все однотипные элементы с примерно одинаковой вероятностью брака разбивают на группы и принимают условие, что вероятность брака одного элемента в группе не зависит от числа элементов в группе, а определяется только технологией и конструкцией элемента. Тогда по аналогии с (4.2) общее число плат

Высокая концентрация примесей в р- и n-облаетях туннельного диода приводит к тому, что локальные уровни примесей образуют в вырожденных полупроводниках сплошную зону. Уровни Ферми полупроводников Ефр и Е$п будут расположены соответственно в валентной зоне р-об-ласти и зоне проводимости «-области. Энергетическая диаграмма p-n-перехода диода в состоянии равновесия показана на 3.18, я, где заштрихованные области соответствуют уровням энергии, занятым электронами с наибольшей вероятностью. В состоянии термодинамического равновесия зона проводимости n-полупроводника и валентная зона р-полупроводника перекрываются по энергии на величину §Е=Еъ—Еп. Поэтому электроны из зоны проводимости «-области могут туннелировать сквозь узкий переход в валентную зону р-области на свободные энергетические уровни, а электроны из валентной зоны р-области в зону проводимости «-области на свободные уровни энергии. Однако такие переходы частиц равновероятны, так как изоэпергетические уровни (уровни с одинаковым значением Е) по обе стороны перехода либо заняты, либо пусты с одинаковой вероятностью (см. 2.12). Суммарный ток через переход равен нулю.

От детерминированного гармонического колебания эта функция отличается тем, что фаза tyh у нее — случайная величина, которая с одинаковой вероятностью может .принимать любое значение в интервале от 0 до 2л. Это означает, что плотность вероятности р (if) является постоянной величиной в интервале 0,2л и, следовательно, с учетом (3.2)

Пусть амплитуда Л0 и частота со,, гармонического сигнала заранее достоверно 'известны, а начальная фаза 0 — случайная величина, которая с одинаковой вероятностью может принимать любое значение в интервале от — л до п. Это означает, что плотность вероятности начальной фазы

Однако разрабатываемые ИМС содержат не только однотипные элементы, которые по воспроизводимости свойств сильно различаются в зависимости от размеров и конфигурации, но также разнотипные элементы (резисторы, конденсаторы, навесные компоненты), характеризующиеся различной вероятностью брака. Так, например, пленочные резисторы квадратной формы имеют меньшую вероятность брака по сравнению с резисторами длинной и узкой форм или сложной конфигурации. В данном случае также применим вероятностно-статистический метод расчета Л^пт- Для этого все однотипные элементы с примерно одинаковой вероятностью брака разбивают на группы и принимают условие, что вероятность брака одного элемента в группе не зависит от числа элементов в группе, а определяется только технологией и конструкцией элемента. Тогда по аналогии с (4.2) общее число плат

• Итак, система событий может принимать ряд состояний. Каждому из этих состояний должен соответствовать определенный сигнал, с помощью которого можно передать сообщение (информацию) о состоянии системы. Если все сообщения, описывающие состояние системы, передаются с равной вероятностью, то уравнение (1.2) определяет не только информационную емкость системы, но и максимальное количество информации, которое может быть получено об этой системе. Например, поезд (система) на 1.2, б может равновероятно находиться на одном из четырех путей (в четырех состояниях). Вероятности передачи любого из четырех возможных сообщений о месте нахождения поезда будут одинаковы (Р=1/4). С одинаковой вероятностью (Р=1/2) можно получить сведения, на какую сторону упала монета при подбрасывании ее вверх.

* Обе реакции происходят с одинаковой вероятностью.

Случайная составляющая определяется погрешностью дискретизации Д{„ = Дг„ - Дгк. Поскольку взаимная синхронизация строб-импульса и счетных импульсов отсутствует, погрешности Аг„ и Дгк, определяющие на 7.7, б положение начала и конца строб-импульса между соседними двумя счетными импульсами, могут принимать во времени с одинаковой вероятностью значения от нуля до Т0. Поэтому погрешности Дг„ и AfK являются случайными и распределены по равномерному закону. Вследствие независимости этих погрешностей общая погрешность дискретиза-

5.11., Два эквивалентных низкочастотных сигнала, показанных на P5.ll, используются для передачи двоичной информационной последовательности. Передаваемые с одинаковой вероятностью сигналы подвергается воздействию АБГШ с нулевым средним, который имеет эквивалентное низкочастотное представление z\f) с функцией корреляции'

7,12. Найдите пропус!шую способность каскадного соединения п двоичных симметричных каналов с одинаковой вероятностью стирания е.