Обусловливает изменениеобласть больших энергий обусловлен увеличением ширины запрещенной зоны
вызванное неравенством генерируемой и потребляемой реактивной мощностей. Увеличение потребления реактивной нагрузки при снижении напряжения ниже ^кр, приведет к дальнейшему его снижению. Процесс снижения напряжения может носить лавинообразный характер, при котором наступит опрокидывание асинхронных двигателей в узле нагрузок и отключение литающей линии за счет возросших токов двигателей, рост которых обусловлен увеличением их скольжения.
Рост скорости травления обусловлен увеличением степени гидратации оксида (2.9), что увеличивает растворимость SiO2-xH2O в щелочи (2.10). Снижение скорости травления связано с уменьшением растворимости силикатов, осаждающихся на поверхности пластины. В этом смысле очень важно вести процесс травления в избытке щелочи по сравнению со стехиометрией реакции (2.10). В противном случае возможно образование на поверхности пластины практически нерастворимых кремниевых кислот (в основном H2SiO3), что приведет к полному прекращению процесса травления. Энергия активации процесса травления в среднем равна 250—290 кДж/моль,
Рост продольной напряженности поля при малых давлениях газа обусловлен увеличением доли энергии, теряемой электронами на процессы возбуждения. Существенное значение в последующем спаде кривых имеет также повышение удельной доли ступенчатой ионизации. Энергия, затрачиваемая на ионизацию, используется в этом режиме наиболее эффективно.
В низкомолекулярных полупроводниках главную роль играет электронное возбуждение молекул,, и рост проводимости обусловлен увеличением концентрации носителей.
Велика роль сопряженных затрат при освоении отдельных топливно-энергетических баз, особенно при форсированном их развитии» Расчеты показывают, что сокращение сроков достижения на Канско-Ачинском топливно-энергетическом комплексе (КАТЭК) годовой добычи и переработки 500 млн т угля с 30 до 15 лет потребовало бы увеличения полных затрат машин и оборудования примерно на 10 %t строительных и конструкционных материалов — на 20 %, трудовых ресурсов (в период максимального спроса) — на 40%, капиталовложений— на 25%. Этот рост обусловлен увеличением не прямых, а косвенных затрат *.
Из (4.19) видно, что в этой области температур Енк растет пропорционально Т. Этот рост обусловлен увеличением степени возбуждения каждого нормального колебания с увеличением Т. Считая, что при температуре Т в решетке возбуждаются все колебания вплоть до частоты со « kTlh, можно определить число возбужденных колебаний Z:
Рост возможного использования БЭР в химической промышленности обусловлен увеличением объемов выпуска отдельных видов химических продуктов в перспективе, производство которых будет базироваться на современной, хотя и качественно совершенствуемой технологии. На 1975—1980 гг. принята программа по использованию тепловых ВЭР, в определенной степени увязанная с возможностями машиностроительной базы по производству утилизационной техники. Использование ВЭР в химии возрастет почти на 80 млн. ГДж, т. е. все вновь вводимое и реконструируемое оборудование должно оснащаться утилизационными установками.
Поверхностный пробой происходит в местах выхода р-п перехода на поверхность полупроводника. Он обусловлен увеличением напряженности поля объемного заряда в связи с искажением поля поверхностными зарядами, ухудшением свойств среды у поверхности полупроводника.
На 3.8,е показана типичная зависимость коэффициента шума биполярного транзистора от частоты. На низких частотах рост Кш с уменьшением частоты обусловлен увеличением избыточных шумов [см. (2.10)]. На высоких частотах рост коэффициента шума происходит из-за уменыпения_/г21Б и увеличения [шумов токораспределения [рост (1—й21Б)]. Следовательно, проблема уменьшения шума на высоких частотах сводится к проблеме увеличения Л21Б, т. е. к проблеме увеличения предельной частоты транзистора.
Рост /КБО может быть обусловлен увеличением генерационного тока (§ 1.9), тока утечки по поверхности, а также лавинным пробоем р—«-перехода. Наиболее предпочтительным для использования в р—л—р—«-структурах является механизм увеличения тока за счет лавинного умножения, так как при других механизмах растет ток через структуру до включения, что ухудшает ее ключевые свойства. Рост тока в зависимости от напряжения может также происходить вследствие увеличения h2lB с напряжением ( 3.2,6).
определяющим обычный диффузионный или рекомбина-ционный ток через р—«-переход (штриховая линия из начала координат на 6.2), поэтому, когда /т=0, ток через р—«-переход равен сумме диффузионного и ре-комбинационного токов. Рост тока при напряжениях заметно выше Уост обусловлен увеличением диффузионного тока по обычному закону (1.21). Практически ток в минимуме /00т, называемый также избыточным током, всегда больше, чем /т+/д+/г, за счет туннельных переходов через уровни, расположенные в запрещенной зоне «-полупроводника (переход 3—4 на 2.22).
эллиптического поля машины, которое можно представить как сумму двух неравных круговых полей, вращающихся в разные стороны. Изменение соотношения прямого и обратного полей и обусловливает изменение скорости машины (изменение механической характеристики).
Это обусловливает изменение анодного тока на величину Д/а=— 5 мА.
представляет избыточный или динамический момент вращения, обусловливает изменение скорости ротора и пропорциональна ускорению ротора или Й26/Л2.
представляет избыточный или динамический момент вращения, обусловливает изменение скорости ротора и пропорциональна ускорению ротора или d26/dt2.
Модуляция объемного сопротивления базы обусловливает изменение сопротивления диода по мере накопления или рассасывания носителей в базе. Количественно этот эффект характеризуется импульсным сопротивлением диода гя имп и временем установления прямого сопротивления /уст. Импульсное сопротивление представляет собой отношение амплитуды импульса напряжения на диоде к заданному прямому току. Время установления /уот определяется продолжительностью всплеска импульса напряжения на диоде при его отпирании.
При изменении фазы входного сигнала на противоп ш> кную ток в нагрузке все время будет проходить снизу вверх, замыкаясь в первый полупериод через R3, VD3, Wit RH и W2, а во второй — через Rl, VD1. W3, Ra и tt7,. Напряжение на рыходе буд:т отрицательным. Следовательно, изменение фазы входного напряжения на 180° обусловливает изменение полярности выходного напряжения. Для сглаживания пульсаций выходного напряжения предназначен конденсатор фильтра С. Через него замыкаются высокочастотные составляющие импульсов тока диодов.
которых включен контактный или бесконтактный электрохимический преобразователь. Изменение концентрации раствора вызывает изменение параметров преобразователя, что обусловливает изменение частоты генератора, которая является выходной величиной прибора.
Современная техника идет по пути использования высоких плотностей тепловых потоков, при которых наблюдаются существенные изменения температуры по сечению движущейся жидкости и вдоль каналов. Изменение температуры обусловливает изменение вязкости, теплопроводности, теплоемкости, плотности и других свойств теплоносителя. Это, в свою очередь, является причиной деформации профиля массовой скорости потока жидкости по сравнению с изотермическим течением, когда основные гидродинамические характеристики поддаются описанию в обобщающих критериях.
Принципиальная схема регулирующего устройства гидро- и турбоагрегатов показана на 7-6, где в качестве источника энергии показан напорный резервуар с водой /, расположенный по отношению к турбине*? так, что создает напор, необходимый для выдачи турбиной номинальной мощности. Напорный резервуар связан с турбиной трубопроводом 2. На тепловых электростанциях источником энергии является паровой котел, выполняющий в схеме ту же роль, что и напорный резервуар. Турбина 3 приводит во вращение генератор 4, а также через передачу 5 вал маятника регулятора скорости турбины 6. Маятник регулятора связан с муфтой 7, причем изменение скорости вращения вала вызывает перемещение муфты под действием сил, которые определяются сжатием пружины 8 и положением грузов вращающегося маятника. Перемещение муфты обусловливает изменение положения поршня золотника 10, в камеру которого под давлением поступает масло. При этом открывается либо верхний, либо нижний канал и масло из золотника попадает в серводвигатель 11. Масло, воздействуя на поршень серводвигателя, смещает его и изменяет положение регулирующей задвижки 12. Последняя на 7-6 условно отражает действие направляющего аппарата турбины. На принципиаль-
составляет приблизительно 0,5% для транзистора типа 2N3565. В частности, при изменении напряжения на нагрузке от О до 8 В эффект Эрли обусловливает изменение тока на 0,5%, а нагрев тран-зистора-на 0,2%. Изменение коэффициента вносит дополнительный вклад в изменение выходного тока-0,05% (для жесткого делителя напряжения). Все эти изменения приводят к тому, что источник тока работает хуже, чем идеальный: выходной ток немного зависит от напряжения и, следовательно, его сопротивление не бесконечно. В дальнейшем вы узнаете, что есть методы, которые позволяют преодолеть этот недостаток. 2. Напряжение 1/БЭ и коэффициент /г21Э зависят от температуры. В связи с этим при изменении температуры окружающей среды возникает дрейф выходного тока. Кроме того, температура перехода изменяется при изменении напряжения на нагрузке (в связи с изменением мощности, рассеиваемой транзистором) и приводит к тому, что источник работает не как идеальный. Изменение напряжения иБэ в зависимости от температуры окружающей среды можно скомпенсировать с помощью схемы, показанной на 2.23. В этой схеме падение напряжения между базой и эмиттером транзистора Т2 компенсируется падением напряжения на эмиттерном переходе Т15 который имеет такие же температурные характеристики. Резистор R3 играет роль нагрузки для Tt, необходимой для задания втекающего тока базы транзистора Т2.
Процесс старения материалов — необратимое изменение их физико-химических, механических свойств и структуры при эксплуатации и длительном хранении. Старение обусловливает изменение исходных электрических, механических и химических свойств материала. Однако степень снижения электрической прочности, вызванная процессом старения, не велика. В то же время возникающие при этом изменения механических характеристик изоляционных материалов (прочности на разрыв, числа выдерживаемых перегибов) делают трансформатор чувствительным к неизбежно возникающим при коротком замыкании перемещениям проводников, вызываемым динамическими усилиями, пропорциональными квадрату тока (чем и опасны токи КЗ).
Похожие определения: Одиночных изоляторов Одиночного транзистора Однофазный трансформатор Однофазные приемники Однофазных коллекторных Обеспечения длительной Однофазное двухфазное
|