Обусловлено следующими

циркуляция атмосферы происходит главным образом из-за вращения Земли, при котором под действием центробежной силы инерции воздушные массы отбрасываются в районе экватора в верхние слои атмосферы. На место ушедших масс воздуха с севера и юга подтекают новые воздушные слои. Следует сказать, что теория Гельмгольца не объясняет полностью циркуляцию атмосферы. Например, в ней не нашел отражения тот факт, что постоянные морские течения увлекают с собой воздушные массы. Для полного представления об атмосферной циркуляции потребуется проведение более глубоких экспериментальных и теоретических исследований. Помимо постоянных движений воздушных слоев существуют периодические движения воздуха с моря на сушу и обратно в течение суток (бризы) и года (муссоны). Происхождение бризов и муссонов обусловлено различными нагреваниями воды и суши вследствие их различной теплоемкости.

Особенно опасны воздействия температурных изменений для МЭ и ИМ в монолитных пластмассовых корпусах, так как разница в ТКЛР пластмасс и металлов довольно значительна, что приводит к появлению перемежающихся отказов МЭ и ИМ вследствие возникающих деформаций проволочных выводов. Изменение параметров МЭ и ИМ на МДП структурах обусловлено. различными дефектами в них, особенно наличием зарядов в пленке окиси кремния. Причин нестабильности этого заряда много; одна из основных — миграция ионов щелочных металлов в слое окисла, а также разделение краевым полем р-п перехода различных ионов, присутствующих на поверхности пленки окиси кремния, и образование инверсионных слое? и каналов,

обусловлено различными причинами. Если в электрической цепи содержатся участки с электролитической проводимостью, то э. д. с. может возникать вследствие электрохимических процессов. В месте контакта двух проводников из различных металлов возникает контактная э. д. с При изменении магнитного потока в контурах, расположенных в любой среде, возникают э. д. с. индукции.

Схемы управления воздушными выключателями разнообразны, что обусловлено различными типами применяемых выключателей, особенностями приводов, а в ряде случаев специфическими требованиями энергосистемы.

Помимо постоянных движений воздушных слоев существуют периодические движения воздуха с моря на сушу и обратно в течение суток (бризы) и года (муссоны). Происхождение бризов и муссонов обусловлено различными нагреваниями воды в морях и поверхности суши вследствие их различной теплоемкости.

Потоки событий без последействия возникают везде, где появление последовательных событий обусловлено различными, не связанными друг с другом причинами.

Выбор конструктивного исполнения электродвигателя. Конструктивное исполнение электродвигателей весьма разнообразно. Это обусловлено различными внешними условиями, в которых приходится работать двигателям, а также способами их установки и сочленения с рабочими механизмами. Окружающая среда, в которой работают электродвигатели, часто содержит значительное количество пыли, дыма, влаги, едких газов, кислотных паров, взрывоопасной смеси и т. п. При большом количестве пыли в атмосфере обмотки двигателя загрязняются, вследствие чего ухудшается теплоотдача. Влага, едкие газы и кислотные пары, содержащиеся в атмосфере, действуют разрушающе на изоляцию обмоток.

ЭДС, действующая вдоль некоторого пути, равна линейному интегралу вдоль этого пути напряженности стороннего электрического поля, а также электрического поля, индуцированного изменяющимся магнитным полем. Появление ЭДС может быть обусловлено различными причинами. Если в электрической цепи содержатся участки с электролитической проводимостью, то ЭДС может возникать вследствие электрохимических процессов. В месте контакта двух проводников из различных металлов возникает контактная ЭДС. При изменении магнитного потока в контурах, расположенных в любой среде, возникают ЭДС индукции.

Помимо постоянных движений воздушных слоев существуют периодические движения воздуха с моря на сушу и обратно в течение суток (бризы) и года (муссоны). Происхождение бризов и муссонов обусловлено различными температурами нагрева воды в морях и поверхности суши вследствие их различной теплоемкости.

Схема, позволяющая повысить чувствительность микрокалориметра [67], изображена на XIII. 75. Калориметрические реакционные камеры выполнены в виде плоскопараллельных дисков; нагреватели расположены на поверхности камер термобатареи по ободу. Тепловые экраны имеют вид двух тождественных полуобъемов, например полусфер. Экраны двойные, тонкостенные, из материала с высокой температуропроводностью; нагреватели расположены равномерно по поверхностям экранов. Нагреватель внутреннего экрана подключен к пропорциональному регулятору мощности, наружного — к пропорционально-интегральному. Применение разных регуляторов обусловлено различными тепловыми условиями. Внутренний экран практически не подвержен теплообмену, и его температура может быть точно установлена пропорциональным регулятором; на внешний~экран при повышении температуры все в большей степени влияет внешнее тепловое воздейст-

излучения. Термоэлектрические приемники характеризуются слабой зависимостью параметров от длины волны измеряемого излучения по сравнению с иными приемниками излучения (фоторезисторами, фотоэлементами, фотоумножителями и др.). Наличие некоторой зависимости Sj/(A), D*(X) обусловлено различными причинами: зависимостями коэффициента поглощения приемной площадки е0 и коэффициента пропускания окон от длины волны и др. Формулы (XIV. 1) — (XIV. 7) получены для абсолютно черных тел, однако в реальных конструкциях коэффициент поглощения отличен от единицы, что несколько снижает чувствительность и об-наружительную способность. Для улучшения спектральной чувствительности принимают меры по увеличению коэффициента поглощения — используют различные чернящие покрытия и- применяют коллекторы энергии сложной конфигурации.

/проб начинается резкое увеличение тока через диод, приводящее к пробою ( 1.13). Подобное увеличение тока обусловлено различными физическими механизмами, которые рассматриваются ниже.

Источники и пути проникновения влаги в В процессе производства, хранения и эксплуатации РЭС могут подвергаться воздействию влаги, содержащейся в окружающем пространстве, внутренней среде гермоблоков, материалах конструкции, а также в используемых при изготовлении РЭС материалах (электролитах, травителях, моющих средствах). Максимально возможное содержание влаги в воздухе зависит от температуры и давления. При нормальном давлении (750 мм. рт. ст. = 0,1 МПа) зависимость содержания влаги в воздухе от температуры представлена на 4.1. При снижении температуры влажного воздуха ниже уровня, соответствующего максимально возможному содержанию влаги (точке росы), избыток влаги выпадает в виде конденсата (росы). Наличие влаги во внутренней среде гермокорпуса РЭС обусловлено следующими причинами: 1) проникновением ее через

В ЭММ наибольшее применение получили МС, показанные на 6.1—6.4 и 6.6. Применительно к ЭММ расчет МС при различных значениях зазора обычно сводится к решению двух задач —• так называемых прямой и обратной. Прямая заключается в том, что по известному (заданному) значению магнитного потока Ф в той или иной части МС (обычно в рабочем зазоре) находят МДС обмотки или постоянного магнита, создающих этот поток. Обратная задача сводится к определению магнитного потока в той или иной части МС (обычно в рабочем воздушном зазоре) при заданном значении МДС обмотки или постоянного магнита. Кроме того, в задачу расчета МС входит определение потокосцепления Т1 магнитного потока с обмоткой. Знание потока, потокосцепления, тока в обмотке при различных значениях рабочих зазоров в ЭММ позволяет рассчитывать тяговые и электродинамические усилия и с их использованием рассчитывать динамические характеристики ЭММ. Расчет МС достаточно сложен. Это обусловлено следующими причинами:

Ионное легирование базы (ионная имплатания) ДШ очень сильно изменяет радиационные характеристики приборов. Например, легирование базы Ni n-GaAs-диода ионами бора (концентрация 1013см-3) при облучении потоком нейтронов Ф„ = 3'1015 нейтр/см2 приводит к увеличению коэффициента неидеальности вольт-амперной характеристики для прямого напряжения 0,2—0,3 В с т=1,01 (Фн = 0) до т~4,25, а при Unf>0,& В т~2. Столь сильное изменение т может быть обусловлено следующими физическими механизмами: туннелированием носителей через глубокие уровни ловушек в запрещенной зоне полупроводника, изменением высоты потенциального барьера, уменьшением концентрации свободных носителей, процессами генерации-рекомбинации в обедненном слое перехода.

В простой мостовой схеме ( 3.63, а) одинаково расположенные тензорезисторы дают одинаковый вклад в выходное напряжение, если их коэффициенты тензочувствительности равны и деформации действительно совпадают. Однако эти условия на практике никогда полностью не выполняются, что обусловлено следующими причи- • нами:

Применение для испытаний выпрямленного напряжения обусловлено следующими соображениями. Установлено, что изоляция лучше противостоит воздействию выпрямленного напряжения, чем переменного. Воздействие повышенного переменного напряжения может вызвать частичное разрушение неповрежденной изоляции и привести к ее высыханию вследствие значительных диэлектрических потерь. При испытании выпрямленным напряжением можно допустить более высокие испытательные напряжения, не опасаясь повреждения здоровой изоляции.

В первых имитационных экспериментах, в которых исследовалось распухание никеля и стали 316 при облучении ионами С2+ с энергией 20 МэВ [73, 74], никеля при облучении ионами Se3+ с энергией 6—11 МэВ [75] и никеля при облучении в ВВЭМ [76], выявлена интересная закономерность — по достижении некоторой дозы происходит замедление или насыщение распухания с дозой. Насыщение распухания с дозой наблюдалось [77] на ниобии в случае облучения ионами Та3+ с энергией 7,5 МэВ при 800 ( 64) и 900 С°. Проведены многочисленные экспериментальные и теоретические исследования с целью установления причины замедления или насыщения распухания с дозой [23, 78]. Предполагается, что насыщение распухания с дозой может быть обусловлено следующими причинами:

Обработка экспериментальных данных свидетельствует о некоторой несостоятельности уравнения (5.21) и необходимости введения в уравнение экспериментальных параметров, таких, как эффективность возникающих под облучением стоков, для более точного описания температурного сдвига [87]. При этом учет температурного сдвига дает возможность воспроизвести не абсолютную, а нормализованную температурную зависимость распухания, поскольку, как правило, с изменением скорости создания дефектов энергии и сорта бомбардирующих частиц наблюдается изменение абсолютной величины радиационного распухания в максимуме (см. табл. 16) [49], что пока не нашло однозначного и удовлетворительного объяснения. Считают, что изменение величины радиационного распухания в максимуме, наблюдаемое на опыте, может быть обусловлено следующими причинами:

Таким образом, появление в контуре АЭС радиоактивных загрязнений может быть обусловлено следующими процессами:

В реальных машинах Е & const вследствие размагничивающего действия реакции якоря, так как с увеличением тока якоря результирующий поток, а следовательно, и ЭДС якоря уменьшаются, и при этом уменьшается ток возбуждения. Поэтому в действительности внешняя характеристика генератора с параллельным возбуждением имеет вид ниспадающей кривой / ( 18.5). В целом уменьшение напряжения на зажимах генератора с параллельным возбуждением с увеличением тока нагрузки обусловлено следующими основными причинами: 1) с увеличением тока нагрузки увеличивается падение напряжения на обмотке якоря — RJs, 2) с увеличением нагрузки, вследствие реакции якоря происходит уменьшение результирующего магнитного потока, а следовательно, и ЭДС Е якоря.

Предполагается, что разложение электролита в резервны^ батареях обусловлено следующими реакциями:

Увеличение при облучении доли антипараллельной компоненты флуктуации потенциала может быть обусловлено следующими причинами. При фотостимулированной генерации злектронно-дырочнои пары, происходящей, по-видимому, в одном структурном узле, происходит локальное статическое искажение решетки вблизи возникших электрона и дырки. Эти искажения препятствуют рекомбинации вновь образовавшейся злектронно-дырочнои пары и приводят к локальному повышению потолка валентной зоны и снижению дна зоны проводимости, что, согласно данным 2.2.4, соответствует случаю антипараллельных флуктуации потенциала. Так как в аморфных полупроводниках процесс формирования структурной сетки совершенно случаен, то возникшие статические искажения могут стабилизироваться и существовать даже после рекомбинации возникшей электронно-дырочной пары [70]. Наряду с этим "прямым" процессом усиления антипараллельной компоненты флуктуации потенциала в материале равноправно протекает и "обратный" процесс, заключающийся в медленном изменении метастабильных антипараллельных флуктуации и в постепенном формировании параллельных флуктуации при непрерывном освещении образца.