Обстоятельство позволяет

те в генераторном (разрядном) режиме. При электролизе (зарядном режиме) эта масса снабжает водой электроды до тех пор, пока раствор электролита не становится высококонцептри-рованным, а асбест достаточно осушенным. Перенос воды осуществляется ее диффузией в жидком состоянии под влиянием градиента концентрации и перемещением паровой фазы под действием градиента давления, причем второй механизм переноса преобладает в диапазоне рабочих температур Г=373 -н 433 К. Местоположение жидкой фазы внутри РТЭ регулируется капиллярными силами, которые намного превосходят гравитационные воздействия. Это обстоятельство облегчает применение данного РТЭ в условиях невесомости на КЛА [1.7].

Указанные выше обстоятельства являются причиной того, что техническая реализация оптимумов, лежащих в узкой области допустимых значений параметров, не всегда возможна. Поэтому практическое значение имеют «размытые» оптимумы, т. е. такие сочетания искомых параметров, при которых малым ошибкам в выборе параметров соответствует незначительное изменение критерия оптимальности. Это. обстоятельство облегчает поиск оптимального варианта и оправдывает применение дискретных методов нелинейного программирования.

Отметим, что при алгебраическом сложении двух чисел G и Q, каждое из которых по модулю меньше единицы, может возникнуть переполнение разрядной сетки, но при этом модуль получаемой суммы всегда меньше двух. Это обстоятельство облегчает построение кодов, по виду которых можно судить о переполнении разрядной сетки.

чае комплексные сопротивления ветвей) на токи соответствующих ветвей. Это обстоятельство облегчает выполнение такого матричного перемножения. Перемножение прямоугольных матриц А и С на столбцовые матрицы сводится к суммированию тех элементов строк столбцовой матрицы, номера которых соответствуют номерам ненулевых элементов столбцов прямоугольных матриц. По этой причине можно, рассматривая только матрицу А, или С, или D, записать соответствующее уравнение для данного контура, или узла, или сечения. Например, в контурное уравнение, записанное для контура 5, образованного связью 5 (см. строку 5 матрицы С), должны входить напряжения (а следовательно, и Z/) ветвей I, 2, 5 со знаком плюс (в строке 5 эти столбцы имеют положительные ненулевые элементы) и ветви 3 со знаком минус (в строке 5 столбец 3 имеет отрицательный ненулевой элемент). Соответственно для ;)того контура имеем

Отметим, что при алгебраическом сложении двух чисел G и Q, каждое из которых по модулю меньше единицы, может возникнуть переполнение разрядной сетки, но при этом модуль получаемой суммы всегда меньше двух. Это обстоятельство облегчает построение кодов, по виду которых можно судить о переполнении разрядной сетки.

Резистор из вилита характеризуется нелинейностью своего сопротивления. С ростом тока значение сопротивления падает. Это позволяет пропустить через резистор большой ток при малом падении напряжения (из-за этого разрядники получили название вентильных). Напряжение на разряднике практически мало меняется в широком диапазоне изменения токов. По мере приближения тока к нулю сопротивление резко возрастает, снижая ток до нуля ранее его естественного перехода через нуль. Это обстоятельство облегчает гашение дуги в единичных искровых промежутках.

Плавкая вставка выполняется из одной или нескольких медных ленточек толщиной 0,15 — 0,35 мм и шириной до 4 мм с просечками 7, уменьшающими на длине не менее 6 мм сечение вставки в два раза. Применение тонких параллельных ленточек позволяет снизить сечение плавкой вставки для данного номинального тока, а следовательно, и количество паров металла в дуге. Последнее обстоятельство облегчает гашение дуги. Возникновение нескольких дуг в параллельных каналах позволяет участвовать в рассеянии энергии дуги большему объему наполнителя, чем также облегчается гашение дуги.

Длительность линейного спада послеинжекционного напряжения может быть значительно больше тр. Это обстоятельство облегчает экспериментальное определение малых времен жизни неосновных носителей заряда в базе диода.

Достоинство этих соотношений в том, что величины Es/lm. E«/lm и с сравнительно мало зависят от внутреннего диаметра статора и определяются главным образом числами полюсов и пазов. Это обстоятельство облегчает решение ряда практических задач проектирования АД с использованием параметрического метода. Результаты анализа выражений (6.1) — (6.5) и (6.13) — (6.15) обобщены в табл. 6.1.

Если теперь разность потенциалов приложить минусом к области п и плюсом к области р, то высота потенциального барьера уменьшится, и это обстоятельство облегчает прохождение дырок в область п и электронов в область р.

Резистор из вилита характеризуется нелинейностью своего сопротивления. С ростом тока значение сопротивления падает. Это позволяет пропустить через резистор большой ток при малом падении напряжения (из-за этого разрядники получили название вентильных). Напряжение на разряднике практически мало меняется в. широком диапазоне токов. По мере приближения тока к нулю сопротивление резко возрастает, снижая ток до нуля ранее его естественного перехода через нуль. Это обстоятельство облегчает гашение дуги в единичных искровых промежутках.

Пренебрегая значением параметра /Z2, получаем аналогично 6.13 схему замещения биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ ( 10.18), в режиме малых сигналов, где h} , =''вх и 1//122 ~гвых ~ входное и выходное сопротивления, Лц/р — источник тока, управляемый током базы /,, . Последнее обстоятельство позволяет считать, что биполярный транзистор представляет собой прибор, управляемый током.

входное и выходное сопротивления, Su^ -уцЧ^м — источник тока, управляемый напряжением "зи- Последнее обстоятельство позволяет рассматривать полевой транзистор как прибор, управляемый напряжением, в отличие от биполярного транзистора, управляемого током базы ( 10.18). Величина S ~ Уг\ называется крутизной стоко-эа-творной характеристики.

элементов. Данное обстоятельство позволяет найти пути решения проблемы безотказной работы сложных комплексов аппаратуры, разрабатываемой на основе ИМС. Это одна из причин того, что в настоящее время микроэлектроника является основным направлением развития радиоэлектроники.

За счет действия t/Bxl транзистор VTt приоткрывается и ток его эмиттера получает положительное приращение А/э1, а за счет действия [/Вх2 транзистор VT2 призакрывается и ток его эмиттера получает отрицательное приращение — А/э2. В результате приращение тока в цепк резистора R3 будет Л/Яэ = = А/э1 — Д/э2. Если общие плечи ДУ идеально симметричны, то Д/Яэ=0 и, следовательно, ООС для дифференциального сигнала отсутствует. Это обстоятельство позволяет получать от каждого каскада ОЭ в рассматриваемом усилителе, а следовательно, и от всего ДУ большое усиление. Так как для дифференциального входного сигнала в любой момент времени напряжения на коллекторах транзисторов VT1 и VT2 будут находиться в противофазе, то на нагрузке происходит выделение удвоенного выходного сигнала. Итак, резистор R3 образует ООС только для синфазного сигнала.

Пренебрегая значением параметра й2, получаем аналогично 6.13 схему замещения биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ ( 10.18), в режиме малых сигналов, где пц -гвх и 1/А22 ~гвых ~ входное и выходное сопротивления, Л2 , /Б - источник тока^ управляемый током базы /Б . Последнее обстоятельство позволяет считать, что биполярный транзистор представляет собой прибор, управляемый током.

Пренебрегая малым значением параметра у ц, получаем (см. 6.14) схему замещения полевого транзистора, включенного по схеме с ОИ ( 10.21), в режиме малого сигнала, где l/j>i j =гвх и 11угг =''вых -входное и выходное сопротивления, 5мзи =721мзи ~ источник тока, управляемый напряжением и„и. Последнее обстоятельство позволяет рассматривать полевой транзистор как прибор, управляемый напряжением, в отличие от биполярного транзистора, управляемого током базы ( 10.18). Величина 5 ~уг\ называется крутизной стоко-за-творной характеристики.

мый током базы /г- . Последнее обстоятельство позволяет считать, что ь

Пренебрегая малым значением параметрау^г,получаем (см. 6.14) схему замещения полевого транзистора, включенного по схеме с ОИ ( 10.21), в режиме малого сигнала, где 1/ji 1 -гъ^ и 1/^22 =гвых ~ входное и выходное сопротивления, Su^ =721М3И ~ источник тока, управляемый напряжением "зи- Последнее обстоятельство позволяет рассматривать полевой транзистор как прибор, управляемый напряжением, в отличие от биполярного транзистора, управляемого током базы (рис, 10.18). Величина S ~ уг\ называется крутизной стоко-за-творной характеристики.

Энергетика характеризуется также значительной неравномерностью производства и потребления электроэнергии в течение суток. Это обстоятельство позволяет аккумулировать энергию в ночные часы. Аккумулирование энергии в значительных количествах достигается, например, с помощью гидроаккумулирующих электрических станций.

При измерении интенсивности отраженного света угол падения светового луча обычно отличен от нуля и составляет 5 — 10°, поскольку коэффициент отражения при таких углах падения практически не отличается от его значения при нормальном падении. Условие fe
За точкой резонанса (участок be) значительному изменению приложенного напряжения U соответствует сравнительно малое изменение напряжения на катушке UL. Это обстоятельство позволяет использовать феррорезонансную схему, представленную на 6.31 (особенно при малых г), для стабилизации напряжения, т. е. для получения практически постоянного напряжения на зажимах катушки при значительных изменениях напряжения сети.