Образуются свободные

К особо опасным помещениям относятся: сырые, в которых по условиям производства относительная влажность близка к 100%; с химически активной средой, в которых по условиям производства постоянно или длительно содержатся пары или образуются отложения, действующие разрушительно на изоляцию токоведущих частей электрооборудования; помещения, в которых одновременно имеются два или больше условий, характеризующих категории помещений повышенной опасности.

К особо опасным помещениям относятся: сырые (по условиям производства относительная влажность близка к 100%); с химически активной средой (по условиям производства постоянно или длительно содержатся пары или образуются отложения, действующие разрушительно на изоляцию токоведущих частей электрооборудования); помещения, в которых одновременно имеются два или больше условий, характеризующих категории помещений повышенной опасности.

Для создания требуемых условий эксплуатации и особенно перед ремонтом радиоактивно загрязненного оборудования проводят дезактивацию радиоактивных поверхностей с целью сокращения мощности излучения. Поверхности оборудования, находящиеся вне активной зоны, загрязняются активированными продуктами коррозии и продуктами деления ядерного топлива. На внутренних поверхностях помещений АЭС также образуются отложения радиоактивных веществ при испарении протечек воды или осаждении частиц радиоактивных аэрозолей из воздуха.

Химически активными считаются среды, содержащие агрессивные газы или пары, вредно действующие на проводники, изоляцию и поддерживающие их конструкции. К ним относятся также среды, в которых по условиям производства постоянно или длительно содержатся химически активные газы, пары или на окружающих предметах образуются отложения веществ, разрушающе действующие на электротехнические изделия и устройства.

помещения с химически активной или органической средой — помещения, в которых по условиям производства содержатся агрессивные пары, газы, образуются отложения или плесень, действующие разрушающе на изоляцию и токоведущие части электрооборудования (например, цехи получения: кислот, щелочей, аммиака, сероводорода, красок, искусственных удобрений, сыро-варки и др.).

Помещениями с химически активной или органической средой называются помещения, в которых постоянно или в течение длительного времени содержатся агрессивные пары, газы, жидкости, образуются отложения и плесень, разрушающие изоляцию и токоведущие части электроустановок.

Помещения с химически активной средой — помещения, в которых по условиям производства постоянно или длительно содержатся агрессивные пары газа, жидкости или образуются отложения или плесень, действующие разрушающе на изоляцию и токоведущие части электрооборудования.

Помещения с химически активной средой ~ помещения, в которых по условиям производства постоянно или длительно содержатся пары или образуются отложения, действующие разрушающе на изоляцию и токоведущие части электрооборудования.

По условиям производства в помещении содержатся (постоянно или длительно) пары или образуются отложения, разрушающе действующие на изоляцию и токоведущие части электрооборудования

Помещения характеризуемые наличием одного из следующих условий, создающих: особую опасность: а) особой сырости (особо сырые помещения), в которых относительная влажность воздуха близка к 100 % (потолок, стены, пол и предметы, находящиеся в помещении, покрыты влагой); б) химически активной или органической среды (помещения с химически активной или органической средой), в которых постоянно или в течение длительного времени содержатся агрессивные пары, газы, жидкости, образуются отложения или плесень, разрушающие изоляцию и токоведущие части электрооборудования; в) одновременно двух или более условий повышенной опасности

Содержатся агрессивные пары, газы, жидкости, образуются отложения или плесень, действующие разрушающе на изоляцию и токоведущие части

Биологический эффект воздействия ионизирующего излучения заключается в ионизации воды ткани. В результате сложных химических реакций в организме образуются свободные радикалы Н и ОН, не несущие заряда. Одновременно появляется энергичный окислитель — перекись водорода. Свободные радикалы вызывают в организме биохимические процессы, ведущие к изменениям в клетках крови и ткани, что снижает защитную способность организма.

Под действием света в базовой области образуются свободные носители зарядов — электроны и дырки. Неосновные носители (дырки), направляясь к коллекторному переходу, проходят в область коллектора и вызывают увеличение обратного тока /кбо. Если напряжение между базой и эмиттером неизменно, то работа фототранзпстора не будет отличаться от работы фотодиода. В данном случае фототоком является приращение обратного тока коллектора. Такой фототранзистор не имеет вывода базы.и отличается от фотодиода повышенной интегральной чувствительностью. Вывод базы в фототранзисторах типа ФТ-1 используют для создания смещения, необходимого для получения линейной характеристики при измерении малых световых сигналов. Рабочее напряжение фототранзистора ФТ-1 равно 3 в, теп-

При освещении полупроводника концентрация свободных носителей заряда в нем может возрасти за счет носителей, возбужденных поглощенными квантами света. При оптическом возбуждении электронов из валентной зоны в зону проводимости возникает пара свободных носителей - электрон и дырка. Если за счет света происходит переход электрона из валентной зоны на примесные уровни или с примесных уровней в зону проводимости, образуются свободные носители одного знака - дырки или электроны. В соответствии с увеличением концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике за счет облучения его светом возрастает и его удельная проводимость :

Наиболее широкое распространение в качестве электролюминесцентных источников получили инжекционные светодиоды, в которых испускание света определяется механизмом межзонной рекомбинации электронов и дырок. Если пропускать достаточно большой ток инжекции через p-n-переход (в прямом направлении), то часть электронов из валентной зоны перейдет в зону проводимости ( 9.5). В верхней части валентной зоны образуются свободные состояния (дырки), а в нижней части зоны проводимости — заполнение состояния (электроны проводимости). Такая инверсная заселенность не является равновесной

Где образуются свободные но-сители заряда при введении бора в качестве примеси в германий?

Где образуются свободные носители заряда при введении бора в качестве примеси в германий?

Где образуются свободные носители заряда при введении сурьмы в качестве примеси в германий?

Где образуются свободные носители заряда при введении бора в качестве примеси в кремний?

В жидкокристаллических индикаторах используется внешняя световая энергия, а значит они отличаются очень малым расходом электрической энергии. Жидкокристаллическое состояние1 вещества характеризуется сочетанием свойств жидкости и кристалла, что возможно в некотором интервале между температурами кристаллизации и превращения вещества в однородную прозрачную жидкость. Для индикаторных приборов используют органические соединения с сильно вытянутыми (нитевидными) молекулами. Таким молекулам свойственна ориентация в одном направлении, которое легко изменяется под влиянием внешних воздействий. Для уменьшения удельного сопротивления в состав жидких кристаллов вводят примеси, при диссоциации которых образуются свободные ионы.

зультате присоединения к ним электронов, которые отрываются от атомов полупроводника. На энергетической диаграмме этот процесс соответствует переходу электрона 2 из валентной зоны на акцепторный уровень Еа, расположенный вблизи потолка валентной зоны. В результате образуются свободные уровни в валентной зоне, соответствующие дыр'кам, а акцепторный атом превращается в отрицательный ион. Разность Еа—Ев представляет собой энергию ионизации акцепторов. Дырки в этом случае являются основными носителями. Типичные доноры и акцепторы и энергии их ионизации приведены в приложении 1.2. При современном состоянии полупроводниковой технологии концентрации доноров и акцепторов можно изменять (легированием) в широких пределах от 1013 до ГО21 см~3. При большой концентрации примесных атомов .(более 1018см~3) из-за сильного взаимодействия между ними отдельный примесный уровень (донорный или акцепторный) расщепляется на подуровни, образующие узкую примесную зону. При этом энергия ионизации уменьшается. При очень высоких концентрациях (более 1020см~3) примесная зона расширяется настолько, что соединяется с зоной проводимости для полупроводника/г-типа или с валентной зоной для полупроводника р-тнпа. В результате энергия ионизации уменьшается до нуля и возникает частично заполненная зона. Как и в металлах, в таком полупроводнике проводимость существует при 7 = 0 К.

Наиболее широкое распространение в качестве электролюминесцентных источников получили инжекционные светодиоды, в которых испускание света определяется механизмом межзонной рекомбинации электронов и дырок. Если пропускать достаточно большой ток инжекции через p-n-переход (в прямом направлении), то часть электронов из валентной зоны перейдет в зону проводимости ( 8.5). В верхней части валентной зоны образуются свободные состояния (дырки), а в нижней части зоны проводимости — заполненные состояния (электроны проводимости). Такая инверсная заселенность не является равновесной и приводит к хаотическому испусканию фотонов при обратных переходах электронов. Возникающее при этом в р-л-переходе некогерентное свечение и является электролюминесценцией. Фо-