Образуются электрические

2) к произведению xhSn(x) добавляют остаток R(x) от деления xhSa(x) на образующий многочлен Р(х).

разрешенной комбинации должен делиться без остатка на так называемый образующий многочлен степени г. Как и в других блочных кодах, первые k элементов комбинации циклического кода являются информационными, а последующие г — проверочными. Таким образом, можно ввести в рассмотрение многочлен f(x) степени k—1, отображающий й-элементную комбинацию первичного кода, и многочлен г(х) степени г—1. отображающий комбинацию проверочных элементов. Тогда многочлен комбинации циклического кода

Умножение f(x) на хг необходимо, чтобы сдвинуть информационные элементы на /" разрядов влево и тем самым высвободить справа г разрядов для записи проверочных элементов. Построенный в соответствии с (3.17) многочлен F(x) должен делиться без остатка на образующий многочлен G(x) степени г, т. е.

Многочлен комбинации циклического коцаР(х) может, как это следует из (3.18), быть задан также в виде F(x) =Q(x)G(x). Так как наивысшая степень многочлена Q(^) всегда меньше или равна А;—1, он принадлежит одной из комбинаций первичного кода. Поэтому в общем случае комбинация циклического кода, удовлетворяющая условию делимости без остатка на образующий многочлен, может быть записана в виде F(x)=f(x)G(x). Для рассматриваемого примера F(x)=x*(x4 + x+\) = xs + xrj+x* = = 100110000. Однако полученный код является неразделимым, .так как первые k элементов не повторяют комбинацию первичного кода. Последнее неудобно с точки зрения выделения информационных элементов в месте приема.

При приеме комбинации циклического кода ее принадлежность к разрешенной или запрещенной определяется по наличию или отсутствию остатка от деления мнргочлена принятой комбинации на образующий многочлен. Пусть, например, передана и принята следующая комбинация:

Сложив их по модулю 2, получим комбинацию и соответствующий ей многочлен ошибки Е(х). Так как V(x) = E(x)(?)F(x) и F ' (х) делится на G(x) без остатка, то re[V(x)/G(x)] = re[E(x)/G(x)]. В нашем случае ге [хе / (х4 + х + 1)] = х3 + х2. Наличие остатка свидетельствует об ошибке в принятой кодовой комбинации, т. е. она по крайней мере обнаруживается. Для исправления ошибок необходимо, чтобы остатки от деления служили опознавателями ошибок (синдромами). Следовательно, каждому варианту ошибок должен соответствовать свой остаток, не совпадающий ни с каким другим. Для этого необходимо правильно выбрать образующий многочлен.

?/о = 3 на примере циклического (9, 5) -кода для комбинации первичного кода 10000. Число проверочных элементов для этого кода с исправлением однократных ошибок (см. табл. 3.2) г = 4. Следовательно, образующий многочлен должен иметь степень, равную 4. Как видно из табл. 3.3, имеется три неприводимых многочлена четвертой степени: G\(x) =ХА + Х+ 1, G2(x) =x4 + x3+ 1 и G3(*) = — х*+х3 + х2 + х+ 1. Построим комбинацию циклического кода для каждого из этих многочленов. Выше для GI(X) было найдено

Многочлен Н (х) называется проверочным и также может быть использован для задания циклического кода. Для п должно выполняться условие п = 2г~\, что, кстати, соответствует выполнению равенства в (3.10). Таким образом, образующий многочлен необходимо выбрать из числа неприводимых многочленов, входящих в разложение вида хп+1.

Таким образом, в качестве образующего многочлена циклического (п., k) -кода берется произведение минимальных многочленов, число которых зависит от кодового расстояния d0. Так, для кодов, исправляющих одиночные ошибки (d0=3), образующий многочлен G(x)—m\(x). Для исправления двойных ошибок (d0 = = 5) G(x) = т\(х)тз (х), тройных ошибок (d0 = 7) G(x) = — mi(x)m3(x)mb(x) и т. д. Циклические коды, образующий многочлен которых построен на основе разложения двучлена Xя+1 по минимальным многочленам, получили название кодов Боуза — Чоудхури — Хоквингема (БЧХ),

Циклические коды относятся к разряду систематических, которые могут быть заданы в виде образующих матриц Оп,*=1*, R/-,*-В отличие от рассмотренного в § 3.3 примера кода с проверками на четность, где матрица проверочных элементов определялась методом подбора строк с определенным весом, в циклических кодах матрица Rr,k находится по общим правилам с помощью деления строк матрицы I*, сдвинутых на г разрядов влево, на образующий многочлен.

Для получения матрицы остатков R/-,* достаточно разделить на образующий многочлен сдвинутую на г разрядов влево первую строку единичной матрицы Ь. Промежуточные остатки соответствуют остаткам от деления на образующий многочлен последующих строк матрицы I*.

При анализе и синтезе цветных изображений используются те же виды разверток, что и для черно-белых оригиналов. Как и любой фототелеграфный аппарат, цветной содержит анализирующее УСТРОЙСТВО, В котором осуществляется поэлементное фотоэлектрическое преобразование передаваемого оригинала. Однако для получения трех сигналов основных цветов анализирующее устройство дополняется светооптической цветоделительной системой, которая состоит из дихроических фильтров (или призм), корректирующих светофильтров и подобна СДО, применяемой в передающей камере ЦТВ (см. 3.13, а). Эта система делит световой поток, отраженный от оригинала и прошедший диафрагму, на три составляющие: красную, зеленую и синюю. Затем цветоделенные световые потоки, соответствующие одному элементу изображения, попадают на фотоэлектронные умножители (ФЭУ), на нагрузках которых образуются электрические сигналы, пропорциональные спектральным коэффициентам отражения оригинала. Расчет величин сигналов производится по выражениям, аналогичным (3.16).

Принцип работы ПЗС состоит в том, что в каждой отдельной МДП-структуре можно создать локальный приповерхностный заряд неосновных носителей и перемещать его вдоль поверхности от одной МДП-структуры к другой, меняя соответствующим образом последовательность тактовых импульсов, подаваемых на затворы. ПЗС обычно строят на основе кремния /г-типа и на затворы подают отрицательные рабочие напряжения, по модулю меньшие порогового. Поэтому в п-полупроводнике под затвором образуется обедненная основными носителями заряда область в виде потенциальной ямы. В потенциальной яме скапливаются неосновные носители заряда (дырки), образующие зарядовый пакет. Если на затворах 3 3 и 35 действует напряжение t/i, а на среднем затворе 34 — более отрицательное напряжение Uz, то на границах затвора 3 образуются электрические поля, препятствующие перемещению дырок из потенциальной ямы ( 3.38, а). Пакет дырок под затвором может сохраняться в течение определенного времени. Ввод зарядового пакета под затвор называют режимом записи информации, а напряжение t/2) обеспечивающее такой ввод, — напряжением записи.

При распространении ультразвуковых волн в жидкости, если их интенсивность достаточно велика, может наступить явление кавитации. Упругие колебания в жидкости вызывают процессы сжатия и разрежения, повышения и понижения давления. При понижении давления сплошность среды нарушается, в ней появляются полости (пузырьки); при повышении давления пузырьки захлопываются, что вызывает появление мгновенных пиков давления, достигающих десятков мегапаскалей. В то же время на поверхности кавитационных пузырьков образуются электрические заряды и поля с напряженностью в сотни В/см. Это может вызвать пробои в пузырьках и ионизацию проникших в них паров жидкости. При захлопывании пузырьков ионы попадают в жидкость. Эти процессы могут привести как к чисто механическому воздействию на помещенные в жидкость изделия, так и к ускорению химических реакций, в том

В электрическом поле в частицах, из которых построен диэлектрик, связанные положительные и отрицательные заряды смещаются. В результате образуются электрические диполи с электрическим вектором m -- ql, где q — суммарный положительный (и численно равный ему суммарный отрицательный) заряд частицы, Кл; / — расстояние между центрами положительного и отрицательного заряда, плечо диполя, м ( 5.10, б). Поэтому на поверхности диэлектрика образуются поляризационные заряды: отрицательный у положительного электрода, и наоборот. Для компенсации этих поляризационных зарядов источником электрического напряжения создается дополнительный связанный заряд Qa. Суммарный полный заряд Q в конденсаторе с диэлектриком равен

На 9-1, а показан разрез монокристалла кремния, на основе которого выполнен биполярный транзистор — один из наиболее распространенных полупроводниковых приборов. Основой транзистора служ:ит монокристалл кремния с повышенной концентрацией дырок (р — Si). Эта часть монокристалла образует коллекторную область. В части монокристалла создана область с повышенной концентрацией электронов (п — Si) — базовая область. Внутри базовой области образована область эмиттера с преобладающей концентрацией дырок (р — Si). Вблизи границ каждой пары областей образуются электрические переходы, которые в этом случае называют электронно-дырочными переходами (на рисунке очерчены пунктиром).

нее отрицательны, чем на затворе 33, то на границах затвора 33 образуются электрические поля с некоторой напряженностью Е, препятствующие перемещению положительных зарядов — дырок — из-под этого слоя. Поэтому образовавщийся под затвором 33 зарядовый пакет дырок будет сохраняться в этой области длительное время. Этот случай в ПЗС называют режимом хранения, а напряжение Uа — напряжением хранения.

На 9-1, а показан разрез монокристалла кремния, на основе которого выполнен биполярный транзистор — один из наиболее распространенных полупроводниковых приборов. Основой транзистора служ:ит монокристалл кремния с повышенной концентрацией дырок (р — Si). Эта часть монокристалла образует коллекторную область. В части монокристалла создана область с повышенной концентрацией электронов (п — Si) — базовая область. Внутри базовой области образована область эмиттера с преобладающей концентрацией дырок (р — Si). Вблизи границ каждой пары областей образуются электрические переходы, которые в этом случае называют электронно-дырочными переходами (на рисунке очерчены пунктиром).

Короткозамкнутая обмотка образуется из Z3 стержней с токами/л, /С2, /cS ... размещающихся в пазах магнитопровода ротора, и двух колец, с помощью которых "образуются: электрические соединения между стержнями. По участку кольца, расположенному между стержнями / и 2, протекает ток /Ki, по участку между стержнями 2 и 3 —ток /К2, затем ток /кз и т. д. ( 41-3).

Существование контактной разности потенциалов было известно уже Вольта, который доказал ее существование при помощи электрометра с конденсатором (§ 39). Для этого он укрепил на электрометре металлический диск, например из цинка, на который можно было накладывать второй диск, снабженный изолирующей рукояткой и сделанный из другого металла, например из меди ( 429). Если наложить медный диск на цинковый, то оба диска будут соприкасаться в немногих точках и между ними появится контактная разность потенциалов. При этом на участках поверхности, не соприкасающихся между собой, образуются электрические заряды. Из 426 видно, что положительный потенциал, а следовательно, и положительные заряды будут у того металла, у которого работа выхода меньше. Работа выхода цинка равна 3,74 в, а работа вы-

В производстве резинового клея на поверхности смеси образуются электрические заряды с плотностью до 10 мкКл/м2, потенциал поверхности достигает 20 кВ. В обычных условиях при непрерывном процессе горючая смесь в смесителе не образуется (концентрация паров выше верхнего предела воспламенения) и, хотя разряды следуют непрерывно, воспламенения не происходит. Но как только в аппараты попадает воздух (например, при разгрузке), происходит воспламенение и взрыв паров.

В условиях, когда диэлектрические поверхности подвергаются статической электризации или электризации в поле коронного разряда, на них образуются электрические заряды с поверхностной плотностью а. Величина сг зависит от плотности тока электризации /, электростатических и электропрочностных свойств диэлектрика и от расположения образца относительно заземленных поверхностей.