Образуется электрическое

сигнал по световоду попадает в фотоприемник, на выходе которого образуется электрический импульс или перепад выходного тока.

В момент времени, предшествующий началу коммутации, под щеткой Б находится пластина 6, переключаемая секция 5 в левой ветви обмотки и ток в ней i = la ( 9.11, а). Как только щетка коснется пластины 5, секция замыкается накоротко и образуется электрический контур, в который кроме этой секции входят контактные сопротивления между пластинами и щетками ( 9.11, б). В этом случае несложные рассуждения и выводы, которые здесь не приведены, позволяют получить зависимость тока в коммутируемой секции от времени t = /a (I—2t/T).

При соединении схемы, как всегда в двухслойных обмотках, следующие друг за другом в фазе катушечные группы включают встречно. Для фазы U это первая и четвертая катушечные группы. Повернув на диаграмме векторы ЭДС четвертой катушечной группы на 180° (новые положения векторов показаны пунктиром, а их номера обозначены 9' и 70') , убеждаемся, что в обмотке с дробным q их новое направление не совпадает с направлением векторов ЭДС катушек первой группы, как это было в обмотках с целым q. В данной обмотке при q = 2V4 они занимают среднее положение, деля угол между векторами ЭДС катушек первой группы пополам. Действительно, между катушками / и 9 заключено восемь зубцовых делений, соответствующих центральному углу 8az = 8 х 24 = 192°, и после поворота вектора 9 на 180° образуется электрический угол 192—180 =12°, равный az/2. Таким образом, после

При соприкосновении полупроводников, имеющих электронную (/г-типа) и дырочную (р-типа) проводимости, на границе образуется контактная разность потенциалов вследствие диффузии электронов. Если полупроводник с дырочной проводимостью освещается, то его электроны, поглощая кванты света, переходят на полупроводник с электронной проводимостью. В замкнутой цепи при этом образуется электрический ток.

фотонными связями. Простейший оптрон представляет собой четырехполюсник ( 9.4, а), состоящий из трех элементов: фотоизлучателя /, световода 2 и приемника света 3, заключенных в герметичном светонепроницаемом корпусе. При подаче на вход электрического сигнала в виде импульса или перепада входного тока возбуждается фотоизлучатель. Световой поток по световоду попадает в фотоприемник, на выходе которого образуется электрический импульс или перепад выходного тока. Этот тип оптрона является усилителем электрических сигналов, в нем внутренняя связь фотонная, а внешние — электрические.

положение отрицательного заряда не совпадает с положением ядра и образуется электрический диполь (пара разноименных точечных зарядов, связанных между собой и находящихся на малом расстоянии друг от друга), напряженность электрического поля которого W„т ослабляет внешнее поле. Формально это явление отражается введением коэффициента е, (относительная диэлектрическая проницаемость среды) в формулу закона Кулона. Чем больше ег, тем сильнее ослабляется внешнее поле. Повышая напряженность электрического поля, в котором расположен диэлектрик, можно достичь такого состояния, когда орбитальные электроны начнут срываться с орбит полем, произойдет местное разрушение диэлектрика, или его пробой. Напряженность поля Wnp, при которой наступает пробой диэлектрика, называется пробивной.

При соприкосновении полупроводников с электронной (п-типа) и дырочной (р-типа) проводимостями на границе образуется контактная разность потенциалов вследствие диффузии электронов. Если полупроводник с дырочной проводимостью освещается, то его электроны, поглощая кванты света, переходят на полупроводник с электронной проводимостью. В замкнутой цепи при этом образуется электрический ток.

Дуговая ртутная лампа (ДРЛ), показанная на 60, состоит из цоколя 3 и баллона (колбы) 2, внутри которого помещены кварцевая трубка (горелка) / с ртутью и аргоном и электроды. Внутренняя поверхность баллона покрыта слоем люминофора. При подаче напряжения на электроды лампы в парах ртути образуется электрический разряд, создающий интенсивное световое излучение.

фотонными связями. Простейший оптрон представляет собой четырехполюсник ( 8.4, а), состоящий из трех элементов: фотоизлучателя /, световода 2 и приемника света 3, заключенных в герметичном светонепроницаемом корпусе. При подаче на вход электрического сигнала в виде импульса или перепада входного тока возбуждается фотоизлучатель. Световой поток по световоду попадает в фотоприемник, на выходе которого образуется электрический импульс или перепад выходного тока. Этот тип оптрона является усилителем электрических сигналов, в нем внутренняя связь фотонная, а внешние — электрические.

При соединении схемы, как всегда в двухслойных обмотках, следующие друг за другом в фазе катушечные группы включаются встречно. Для фазы А это первая и четвертая катушечные группы. Повернув на диаграмме векторы ЭДС четвертой катушечной группы на 180° (новые положения векторов показаны пунктиром, а их номера обозначены 9' и 10'}, убеждаемся, что в обмотке с дробным q их новое направление не совпадает с направлением векторов ЭДС катушек первой группы, как это было в обмотках с целым q. В данной обмотке при д = 2!/2 они занимают среднее положение, деля угол между векторами ЭДС катушек первой катушечной группы пополам. Действительно, между катушками / и .9 заключено восемь зубцовых делении, соответствующих центральному углу 8а^8Х24=192°, и после поворота вектора 9 на 180° между векторами 1 и 9 образуется электрический угол 192—180—12°, равный аг/2. Таким образом, после соединения схемы векторы ЭДС катушек одной фазы в обмотке с q~2l/2 pac-

та /, световода 2 ,и приемника света 3, заключенных в одном герметичном светонепроницаемом корпусе. Ори подаче на вход электрического сигнала в виде импульса или перепада входного тоиа возбуждается фотоизлучатель /. Световой сигнал по световоду попадает в фотоприемник S, на выходе которого образуется электрический импульс или перепад выходного тока. Этот функциональный элемент является усилителем электрических сишалов.

На границе между зажигателем и ртутью образуется электрическое поле напряженностью порядка 10е в/см, достаточное для появления электростатической эмиссии с поверхности катода. Если поджигающий импульс подается при положительном напряжении на аноде, то в игнитроне начинается дуговой разряд, и образуется плазма. На поверхности ртути образуется катодное пятно. При отрицательном по-

На 16.5,6 показано распределение концентраций дырок р(х) и электронов п(х) в полупроводнике. В граничном слое образуется электрическое поле, направленное от «-области к /7-области, как показано на 16.5, а. Это поле является тормозящим для основных носителей заряда. Теперь любой электрон, проходящий из л-области в /7-область, попадает в электрическое поле, стремящееся возвратить его обратно в электронную область. Аналсгично любая дырка, проходящая из

2-43. В пространстве между анодом и катодом в любой момент времени находятся движущиеся электроны, помимо осевших на стенках и на электродах. Так образуется электрическое поле, приостанавливающее дальнейшую эмиссию.

В проводе А Б под действием сторонних сил электроны лереместятся на конец Б (рис, 2-4), образуя избыточный отрицательный заряд —Q. Этот зажим генератора обозначается знаком «—». На другом конце провода А возникает избыточный положительный заряд +Q. Соответственно зажим обозначается знаком «+». Внутри провода образуется электрическое поле зарядов +Q и —Q и на каждый электрон, кроме сторонней силы, действует еще электростатическая сила электрического поля F, направленная противоположно FCT-

Представим себе, например, кабельную сеть, присоединенную к генератору переменного напряжения ( 3-6,6). Между изолированными проводами сети образуется электрическое поле, а на проводах появляются избыточные заряды: положительный +<7 на проводе более высокого потенциала и отрицательный —q на проводе более низкого потенциала. При этом заряд равен произведению емкости и напряжения:

В этом случае при сильном отклонении концентрации электронов от концентрации положительных ионов образуется электрическое, поле, способное выталкивать избыточные заряженные частицы в зону их недостатка. Наоборот, те частицы, концентрация которых меньше, будут задерживаться этим полем. Такой механизм автоматически поддержит равенство концентраций противоположно заряженных частиц. В результате плазма будет обладать свойством квазинейтральности т. е. равенства концентраций положительных и отрицательных носителей электричества в услогч-ях их непрерывного исчезновения и возникновения. Характерный признак плазмы состоит также в том, что траектории движения частиц в ней отличны от свойственных обычному броуновскому движению. В плазме проявляются силы кулоновского взаимодействия ионизированных частиц, что приводит к плавному изменению траектории их движения в отличие от нейтрального газа, где частицы при столкновении резко изменяют направление своего движения. В этих условиях меняется понятие о длине свободного пробега: под ней понимают расстояние, на котором происходит потеря первоначального направления вектора скорости электрона.

дырок из р-области вызывает образование в ней отрицательного заряда ионизированных акцепторов. В результате в переходном слое образуется электрическое поле, создающее дрейфовый ток обратного направления. Очевидно, что при отсутствии внешнего поля между двумя областями полупроводника должна установиться такая разность потенциалов, при которой суммарный ток через л/д-,/

Если на затвор 2 подано напряжение У2>1Л, то в области полупроводника между затворами / и 2 образуется электрическое поле. Вследствие дрейфа <и диффузии дырки будут перемещаться в более глубокую потенциальную яму под затвором 2. При отсутствии заряда под затвором / заряд под затвором 2 также будет отсутствовать. Таким образом, информация переписывается из одного прибора в другой.

При разделении положительных и отрицательных зарядов в ОПЗ образуется электрическое поле, направленное против оси х, с увеличением которого увеличивается сила, препятствующая диффузионному перемещению дырок из р-в «-область и электронов из «- в р-область. В результате конкурирующих процессов диффузии и дрейфа носителей заряда между р-и «-областями перехода устанавливается некоторая равновесная разность потенциалов ( 1.11,е), которая носит название 'контактной разности потенциалов и связана с распределением напряженности электрического поля в ОПЗ перехода соотношением

В металлах N » 1022...1023. Поэтому максимальная энергия WF электронов внутри металла достигает десятков электрон-вольт. Однако выход электронов за поверхность металла при температуре абсолютного нуля и отсутствии внешних воздействий (освещение поверхности проводника, бомбардировка пучком электронов и т. п.) не наблюдается. Это объясняется двумя причинами. Во-первых, те немногие электроны, которые выходят .за пределы проводника, теряют большую часть своей энергии и накапливаются на поверхности металла. Л1ежду этими электронами и положительными ионами, находящимися внутри металла у его поверхности, образуется электрическое ноле, направленное от проводника к слою электронов ( 1.5). Совокупность положительных ионов у поверхности металла и электронов, появляющихся над поверхностью, называется двойным электрическим слоем. Действие двойного электрического слоя на электроны, стремящиеся покинуть пределы металла, является тормозящим, так как этим электронам приходится летать по направлению электрических силовых линий и отдавать свою энергию полю.

Если на затвор 2 подано напряжение У2>1Л, то в области полупроводника между затворами / и 2 образуется электрическое поле. Вследствие дрейфа <и диффузии дырки будут перемещаться в более глубокую потенциальную яму под затвором 2. При отсутствии заряда под затвором / заряд под затвором 2 также будет отсутствовать. Таким образом, информация переписывается из одного прибора в другой.