Объемного сопротивления

Чтобы в таком устройстве возникли резонансные явления, необходимо соответствующим образом выбирать размеры объемного резонатора, зависящие от его конфигурации (прямоугольной, цилиндрической и т. д.), а также от типа возбуждаемой в нем волны. Резонаторы часто выполняют в виде отрезков волноводов прямоугольного или круглого сечения, замкнутых с двух сторон.

Длина объемного резонатора, выполненного в виде отрезка прямоугольного волновода ( 9.15, а) и

шения индуктивности параллельно включается несколько пластин ( 14-24,в). Объединив эти пластины, получают полый резонатор ( 14-24,г). В объемном резонаторе тепловые потери малы. Потери на излучение практически отсутствуют, так как электромагнитное поле в диэлектрике экранировано металлической оболочкой. Индуктивность и емкость резонатора незначительны. Поэтому добротность объемного резонатора весьма высока (порядка 104).

Процесс ускорения электронов слагается из двух стадий. На первой стадии ускоритель работает как обычный бетатрон. В течение короткого интервала времени в начале цикла нарастания индукции магнитного поля происходит инжекция электронов в вакуумную камеру. Вовлеченные в процесс ускорения частицы разгоняются вихревым электрическим полем до энергии W^3 МэВ. Для обеспечения бетатронного условия служит специальный центральный сердечник (см. 6.7.). При энергии около 3 МэВ электроны достигают скорости света. Поэтому при дальнейшем увеличении энергии их скорость не меняется. К этому времени центральный сердечник насыщается и до начала нового цикла ускорения не влияет на движение частиц. Незадолго до этого момента включается генератор высокочастотных колебаний. На второй стадии электроны ускоряются высокочастотным электрическим полем, возбужденным в зазоре объемного резонатора. Для осуществления синхронного ускорения частоту электрического поля выбирают равной частоте обращения электронов. В конце цикла ускорения электроны сбрасываются на мишень или направляются в выводное устройство.

6.9. Конструкция объемного резонатора синхрофазотрона.

вуют, так как электромагнитное поле в диэлектрике экранировано металлической оболочкой. Индуктивность и емкость резонатора незначительны. Поэтому добротность объемного резонатора весьма высока (порядка 104).

объема упругой деформацией («механическая» настройка), а затем точно, изменением напряжения на отражателе клистрона, («электрическая» настройка). Полоса электронной перестройки частоты составляет от 2 до 5 МГц. Генерируемая мощность выводится из объемного резонатора клистрона петлей связи и через отрезок тонкой коаксиальной линии, оканчивающейся штырем, вводится в волновод СВЧ-тракта генератора. Связь резонатора клистрона с волноводом зависит от глубины погружения штыря, которая должна быть значительно меньше четверти длины волны генерируемого сигнала.

Резонансные частотомеры с распределенными параметрами. Колебательный контур частотомера выполняют либо в виде отрезка коаксиальной линии, либо в виде объемного резонатора. Настройка коаксиальной линии производится изменением ее длины, объемного резонатора — изменением его объема.

Индикатор частотомера состоит из полупроводникового (германиевого или кремниевого) диода и магнитоэлектрического микроамперметра большой чувствительности. Связь диода с измерительным контуром осуществляется через петлю связи, располагаемую внутри коаксиальной линии или объемного резонатора. Если частотомер предназначен для использования при импульсной модуляции, то видеоимпульсы, получившиеся после детектирования диодом, поступают на транзисторный усилитель и амплитудный

Шкала настройки частотомеров с объемными резонаторами градуируется с помощью измерительного генератора соответствующего диапазона частот. Следовательно, главным источником погрешности градуировки является погрешность установки частоты по шкале генератора. Чтобы не усугублять погрешность измерения неточностью настройки в резонанс, добротность объемного резонатора доводят до очень высокого значения. Это достигается полировкой и золочением внутренней поверхности резонатора; пр. этом добротность достигает 10 000 — 30 000. Все же погрешность составляет 10~3 — 10~4. К недостаткам частотомеров с объемными резонаторами относится малое перекрытие, что приводит к необходимости иметь большое их число для измерения нужного диапазона частот.

разрядник ( 8-14). В интервалах между мощными импульсами излучения разрядник служит частью объемного резонатора, настроенного на частоту принимаемого сигнала. В течение импульса передатчика в резонаторе возбуждаются мощные колебания. На емкости, которую образуют электроды разрядника, развивается

Единицей объемного сопротивления служит I Ом • м, объемной удельной проводимости — 1 См/м.

роля момента желатинизации измеряют объемное сопротивление изоляции склеивающих прокладок. Анализ показывает, что под воздействием температуры по мере разжижения связывающего вещества объемное сопротивление резко падает (кривая 3 на 9.18), достигая минимального значения в момент начала желатинизации, а затем по мере отверждения связывающего вещества увеличивается. Регистрация объемного сопротивления проводится датчиком, который изготавливается на технологических полях заготовок из фольги методом травления. При сборке пакета МПП слои располагают таким образом, чтобы электроды были обращены друг к другу, а между ними помещалась склеивающая прокладка. Использование датчиков контроля объемного сопротивления изоляции склеивающих прокладок создает возможности для автоматизации процесса прессования.

Особенностью тонких пленок является заметное отличие их физических свойств от аналогичных свойств монолитных образцов. Наиболее существенным является увеличение объемного сопротивления, которое при -очень малой толщине можно связывать с размерными эффектами. Однако при толщине пленок порядка тысяч ангстрем главная роль принадлежит особенно-:тям кристаллической структуры тонких проводящих членок, которая существенно отличается от структуры монолитных образцов.

Решение. Полярность внешних напряжений (С/э<0 и UK>0) соответствует транзистору типа прп. На 1.10 представлены его входная и выходная ВАХ для включения с общей базой. Эквивалентная Г-образная схема для такого транзистора описывается при помощи следующих параметров: а = А/к/Л/э t/K.const—дифференциального коэффициента прямой передачи по току; гэ—дифференциального сопротивления открытого эмиттерного перехода; ГБ.— объемного сопротивления базы; гк = АС/к/А/к/э,со„„—дифференциального сопротивления коллекторного перехода.

Величину С„ можно уменьшать за счет уменьшения площади коллекторного перехода, но это приводит к снижению допустимой мощности, рассеиваемой в транзисторе. Поэтому для повышения предельной частоты следует уменьшить толщину базы w и применить материалы с большой подвижностью носителей ц, так как D = (kT/q) ц. На частотные свойства транзистора оказывает влияние величина объемного сопротивления базы г'б. Физическая картина влияния сопротивления го на частотные свойства транзистора следующая.

Через образец диэлектрика под действием приложенного к его электродам постоянного напряжения протекает ток утечки, имеющий две составляющие. Одна из них представляет собой ток, идущий по тонкому электропроводящему слою влаги с растворенными в ней веществами; этот слой образуемся в результате осаждения влаги из воздуха на поверхности образца. Это так называемый поверхностный -ток диэлектрика. Вторая составляющая — это ток, проходящий через собственно материал, через его объем. Эту составляющую именуют обьемным током диэлектрика. Эквивалентная схема образца, следовательно, должна состоять из двух соединенных параллельно сопротивлений. Первое, Rs, учитывает поверхностный ток диэлектрика, а второе, Rv, — объемный ток. Обычно стремятся измерять каждую из составляющих в отдельности, устраняя при этом влияние другой. С этой целью используют систему из трех электродов: измерительного, высоковольтного и охранного. Например, для плоского образца ( 1-1, а) в случае измерения объемного сопротивления Rv охранный электрод 2 имеет форму кольца, которое расположено на поверхности концентрически с измерительным электродом /. На другой стороне образца 3 помещен высоковольтный электрод 4. Охранный электрод значительно выравнивает поле между измерительным и высоковольтным электродами и отводит поверхностный и объемный токи в краевых областях образца на землю так, что они не регистрируются измерительным прибором. Аналогично применяются охранные электроды и для трубчатых образцов.

Единицей объемного сопротивления служит 1 Ом • м, объемной удельной проводимости — 1 См/м.

Единицей объемного сопротивления служит 1 Ом • м, объемной удельной проводимости — 1 См/м.

Наиболее трудоемким по числу технологических операций (до 150) является изготовление биполярных транзисторов. В законченном виде один из интегральных транзисторов и-р-я-типа, сформированных в низкоомном кристалле с дырочной электропроводностью, представлен на 5.3. На вертикальном разрезе его структуры ( 5.3,а) глубиной 25—30 мкм последовательно располагаются: сильнолегированная пластина (так называемый скрытый слой) для снижения объемного сопротивления коллектора, эпитаксиаль-ная пленка собственно коллектора и две диффузионные области — базыр-ти-па и эмиттера я+-типа. Контактные выводы выполнены алюминиевыми полосками различной формы ( 5.3,6) .

Воздействие влаги на материалы и компоненты может привести к постепенным и внезапным отказам Увлажнение органических материалов сопровождается следующими явлениями: увеличением диэлектрической проницаемости (е) и потерь (tg8); уменьшением объемного сопротивления, электрической и механической прочности; изменением геометрических размеров и формы (короблением при удалении влаги после набухания); изменением свойств смазок. Это приводит к увеличению емкости (в том числе паразитной), уменьшению добротности контуров, снижению пробивного напряжения и появлению отказов Постепенные отказы систем радиолокации и навигации проявляются в ухудшении точности определения координат и снижении дальности действия У радиовещательных и телевизионных приемников снижается чувствительность и избирательность, сужаются диапазоны рабочих частот (в сторону более низких), появляется неустойчивость работы гетеродина. Внезапные отказы обусловливаются электрическим пробоем, расслоением диэлектриков и т. д. При увлажнении металлов отказы могут произойти из-за коррозии, приводящей к нарушению паяных и сварных герметизирующих швов, обрыву электромонтажных связей, увеличению сопротивления контактных пар (что ведет к увеличению шумов неразъемных и обгоранию разъемных контактов); уменьшению прочности и затруднению разборки крепежа; потускнению отражающих и разрушению защитных покрытий; увеличению износа трущихся поверхностей и т. д.

Функции поправок }(a/b, b/s) и f(d/s) совместно с функцией f(w/s) можно использовать для определения объемного сопротивления однородного тонкого слоя или пластины толщиной w, имеющей правильную геометрическую форму.