Обратного направления

Вследствие большой площади р-п перехода допустимая мощность рассеяния выпрямительных диодов малой мощности с естественным охлаждением ( 10.12, а) достигает 1 Вт при значениях прямого тока до 1 А. Такие диоды часто применяются в цепях автоматики и в приборостроении. У выпрямительных диодов большой мощности ( 10.12, б) с радиаторами и искусственным охлаждением (воздушным или водяным) допустимая мощность рассеяния достигает 10 кВт при значениях допустимых прямого тока до 1000 А и обратного напряжения до 1500 В.

Стабилитроны, называемые также опорными диодами, предназначены для стабилизации напряжения. В этих диодах используется явление неразрушающего электрического пробоя (лавинного пробоя) р-п перехода при определенных значениях обратного напряжения t/o6 = f/n об ( 10.13, а). На 10.13, б приведена простейшая схема стабили-

Запирание ранее проводившего тиристора под действием обратного напряжения, равного напряжению сети переменного тока, трансформированному на вторичной обмотке трансформатора, определяет название инвертора - ведомый сетью.

Прямой ток /пр полупроводникового диода сначала увеличивает-ется по экспоненциальному закону, а при Ua > 0,5 В его а. в. х. близка к линейной. Обратный ток /обр при увеличении обратного напряжения ?/0бр изменяется тоже сначала по экспоненте, а потом прямолинейно.

На 5.19,0 приведена кривая напряжения на тиристоре. Максимальное значение обратного напряжения на тиристорах равно амплитуде напряжения вторичной обмотки трансформатора: 1 LOo6».x = V"2*/*= 1,42*7,4,

прямленного тока, отнесенной к единице рабочей поверхности полупроводникового элемента; эта величина зависит от условий охлаждения элемента. Интенсивное искусственное охлаждение позволяет в 2—2,5 раза поднять нагрузку элемента по сравнению с естественным охлаждением; 2) падением напряжения в полупроводниковом элементе, зависящим от силы выпрямленного тока и свойств полупроводника; 3) величиной обратного напряжения. Две последние величины характеризуют технико-экономические показатели полупроводникового элемента, от них зависит КПД выпрямителя.

тричества, поступившего в аккумуляторную батарею за 1 ч; 2) максимальное значение тока 1макс; 3) максимальное значение обратного напряжения 1/макс Ос,р на диоде.

Максимальное значение обратного напряжения равно удвоенному амплитудному.

Кривую, описывающую зависимость величины СДИф от приложенного обратного напряжения U, называют вольт-фарадной характеристикой конденсатора ( 6.11,в). Можно заметить, что с ростом абсолютного значения напряжения U емкость перехода

Пример 6.4. Известно, что некоторый варикап с контактной разностью потенциалов f/K = 0,64 В при U=0 имеет дифференциальную емкость СДЯФ(0) = =50 пФ. Определить значение дифференциальной емкости при подаче на варикап обратного напряжения 20 В.

9. Какова физическая природа нелинейной емкости, наблюдаемой в полупроводниковом диоде при подаче на него обратного напряжения смещения?

Если, достигнув насыщения, начать плавно уменьшать постоянный ток в обмотке, т. е. уменьшать напряженность поля (7.3), то индукция также начнет уменьшаться. Однако зависимость В (Н) уже не совпадает с кривой первоначального намагничивания. Изменив направление тока в обмотке и увеличив его значение, получим новый участок зависимости В(Н). При значительных отрицательных значениях напряженности магнитного поля снова наступит техническое насыщение ферромагнитного материала. Если теперь продолжить эксперимент: сначала уменьшать ток обратного направления, затем увеличивать ток прямого направления- до насыщения и т. д., то после нескольких циклов перемаг-ничивания для зависимости В(Щ будет получена симметричная кривая ( 7.5, сплошная линия). Этот замкнутый цикл В (Н) называется предельной статической петлей гистерезиза (или предельным статическим циклом гистерезиса) ферромагнитного материала. Если во время симметричного перемагничивания область технического насыщения не достигается, то симметричная кривая В (Н) называется симметричной частной петлей гистерезиса ферромагнитного материала.

Искусственной коммутацией называется выключение тиристора при подключении к его выводам какого-либо источника энергии, создающего в нем ток обратного направления. Применение искусственной коммутации рассматривалось ранее в автономных инверторах (см. 10.53 и 10.55). Примером применения искусственной коммутации в электроприводе может служить управление током в цепи фазного

Чтобы вновь включить рабочий тиристор, на него необходимо подать импульс напряжения и от системы управления. При этом конденсатор своим током разрядки выключает вспомогательный тиристор, тот же контур разрядки, но ток обратного направления, а конденсатор еще раз перезаряжается (возвращается полярность, показанная на рисунке).

Причинами гистерезиса могут быть необратимые процессы смещения границ доменов, необратимые процессы вращения и задержка ров-та зародышей перемагничивания, под которыми понимают объемы б «а-мопроизвольной намагниченностью обратного направления по отношению к основной ориентации намагниченности насыщения образца. В конечном итоге величина коэрцитивной силы определяется тем наибольшим энергетическим барьером, который надо преодолеть в процессе размагничивания образца.

Однако обычно для записи нуля применяют другой метод. Поскольку в исходном положении запись стерта, т. е. все сердечники находятся в состоянии «О», то запись нуля, по существу, сводится к подтверждению данного состояния (к запрету записи единицы). Для этого используют шину запрета. При записи нуля в адресные шины Xt и Yt подаются импульсы токов, как и при записи единицы, но одновременно с этим в шину запрета подают импульс, создающий поле Ят/2 обратного направления. Поэтому суммарное поле оказывается недостаточным для перехода сердечника в другое устойчивое магнитное состояние.

Рассмотрим принцип действия такого элемента на примере трансфлюксора с двумя отверстиями ( 7.7). Будем считать, что материал сердечника обладает идеальной прямоуголь-ностью петли гистерезиса (а=1) и что состоянию «О» соответствует намагниченность сердечника до насыщения в направлении часовой стрелки ( 7.7, а) В такое состояние сердечник можно привести, пропуская в обмотку Wi достаточный по величине токовый импульс. Для записи «1» в эту же обмотку подают импульс обратного направления (установочный или отпирающий импульс) такой величины, чтобы перемагнитилась только заштрихованная на 7.7, б зона.

поле, направленное вдоль этой оси. Результирующее поле будет направлено по геликоиде. Выбирая соответствующие токи /х и /2, можно осуществить намагничивание по ОЛН и, таким образом, записать информацию. Для считывания информации по обмотке пропускают ток /2 обратного направления и достаточный по величине для того, что-

Насос имеет запорный обратный клапан 1 (Ду 850) с гидравлическим приводом 14. В случае остановки одного из трех работающих насосов клапан отсекает его по напору от остальных до возникновения потока натрия обратного направления. Время перемещения цилиндра гидропривода при автоматическом закрытии 2,5—3 с, а открытия — 25 с.

Рассасывание заряда происходит вследствие ухода дырок из базы через коллекторный и эмиттерный переходы. До тех пор пока в процессе ра.ссасывания концентрации неосновных носителей около р — «-переходов не достигнут нуля, обратные токи через соответствующие р — n-переходы будут оставаться постоянными, т. е. токи эмиттера и коллектора будут неизменными, пока транзистор находится в режиме насыщения. В момент времени /рас избыточная концентрация неосновных носителей в базе около коллекторного р — «-перехода достигает нуля. С этого момента ток коллектора и ток эмиттера будут уменьшаться. Время рассасывания /рас определяется как интервал времени с момента выключения входного импульса и связанного с этим изменением направления тока базы до момента, когда концентрация дырок у коллекторного перехода уменьшится до нуля. Величина его зависит от конструкции эмиттера, величины его тока и длительности импульса /имж. Для уменьшения /рас на входе цепи в момент окончания действия импульса создают ток обратного направления /эа, что ускоряет рассасывание дырок в базе. По истечении времени tpac рабочая точка транзистора переходит на границу активной области и начинается спад выходного тока. Длительность спада /сп определяется как время, в течение которого ток уменьшается от 0,9 до 0,1 тока насыщения.

Если, достигнув насышенци, начать плавно уменьшать постоянный ток в обмотке, т. е. уменьшать напряженность поля (7.3), то индукция также начнет уменьшаться. Однако зависимость В (Я) уже не совпадает с кривой первоначального намагничивания. Изменив направление тока в обмотке и увеличив его значение, получим новый участок зависимости В(Н). При значительных отрицательных значениях напряженности магнитного поля снова наступит техническое насыщение ферромагнитного материала. Если теперь продолжить эксперимент: сначала уменьшать ток обратного направления, затем увеличивать ток прямого направления до насыщения и т. д., то после нескольких циклов перемаг-ничивания для зависимости В(Н) будет получена симметричная кривая ( 7.5, сплошная линии). Этот замкнутый цикл В (Я) называется предельной статической нетлей гистерезиэа (или предельным статическим циклом гистерезиса), ферромагнитного материала. Если во время симметричного перемагничивания область технического насыщения не достигается, то симметричная кривая В (Я) называется симметричной частной петлей гистерезиса ферромагнитного материала.

Искусственной коммутацией называется выключение тиристора при подключении к его выводам какого-либо источника энергии, создающего в .нем ток обратного направления. Применение искусственной коммутации рассматривалось ранее в автономных инверторах (см. 10.53 и 10.55). Примером применения искусственной коммутации в электроприводе может служить управление током в цепи фазного