Обработка производится

Структура материала подложки и состояние ее поверхности влияют на параметры пленочных элементов. Большая шероховатость поверхности подложки снижает надежность тонкопленочных резисторов и конденсаторов, так как микронеровности уменьшают толщину резистивных и диэлектрических пленок. При толщине пленок около 100 нм допускается высота микронеровностей примерно 25 нм. Следовательно, обработка поверхности подложки для тонкопленочных микросхем должна соответствовать 14-му классу чистоты. Толстые пленки имеют толщину 10—50 мкм, поэтому подложки для тостопленочных ИМС могут иметь микронеровности до 1—2 мкм, что соответствует 8—10-му классам чистоты. Для обеспечения хорошей адгезии пасты к подложке высота микронеровностей должна быть 50—200 нм.

Более эффективной является обработка поверхности струей воды (водоструйная дезактивация) со скоростью 20—25 м/с. Так, /Сд окрашенной поверхности при расходе воды И и 33 л/м2 может достигать соответственно 17 и 50.

Один из способов снижения систематической погрешности состоит в создании на поверхности эпитаксиальной структуры таких условий, при которых изгиб зон незначителен. В ряде случаев этого можно достичь с помощью специальной химической обработки поверхности. Например, для кремния л-типа измерение рекомендуется проводить непосредственно после освежения поверхности в плавиковой кислоте, включая операции промывки в деиони-зованной воде и сушки. Такая химическая обработка поверхности кремния n-типа с р<16 Ом-см устраняет приповерхностный изгиб зон. Однако ,и этот способ в полной мере не устраняет трудностей, при контроле параметров тонких эпитаксиальных слоев. Случайная погрешность измерений составляет ±10% npi- доверительной вероятности 0,95 для слоев с поверхностным сопротивлением меньше 10 кОм, и она резко возрастает при увеличении поверхностного сопротивления.

Невозможность реализации строго поверхностной генерации носителей заряда и влияние поверхностной рекомбинации на распределение носителей заряда в образце приводят к возникновению значительной систематической погрешности измерения. Обработка поверхности образца с целью уменьшения скорости поверхностной рекомбинации и использование сильнопоглощающегося излучения для генерации носителей заряда (см. гл. 4) снижают систематическую погрешность измерения коэффициента диффузии неосновных носителей заряда.

их от коррозии. Плохая обработка поверхности 9.8. Вращающийся стенок увеличивает длину пути тока и затухание переход:

Быстрое развитие микроэлектроники приводит к необходимости разработки новых и совершенствования существующих технологических процессов производства дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. При подготовке специалистов в области полупроводниковой технологии главное внимание прежде всего следует уделять анализу основных, наиболее существенных классов технологических процессов, которые являются общими в производстве различных типов полупроводниковых приборов и микросхем. К таким процессам относятся механическая, механо-химическая, физическая, химическая, электрохимическая и фотохимическая обработка поверхности полупроводников, формирование электронно-дырочных структур (эпитаксия, диффузия, ионная имплантация), методы создания омических контактов к приборам, защита поверхности полупроводниковых приборов и стабилизация ее свойств. Именно такой принцип и положен в основу построения настоящего пособия.

Подлинной революцией в области технологии полупроводниковых приборов явилась разработка в 1957 г. планарного процесса, основанного на локальном легировании полупроводника с использованием оксидной маски, профилированной методом фотолитографии. В свою очередь, планарный процесс в сочетании с такими методами легирования, как прецизионная диффузия и ионная имплантация, лучевая обработка поверхности, послужил основой микроэлектронной технологии — высшего достижения технологической науки в области твердотельной электроники.

Глава 2. ХИМИЧЕСКАЯ И ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

§ 2.5. Электрохимическая обработка поверхности

Наряду с химической в полупроводниковой технологии широко применяется электрохимическая обработка поверхности полупроводников с целью выявления границ р-л-пере-ходов, профиля распределения примесей, электрохимического полирования, электролитического резания, локального профилирования, получения сверхтонких слоев в отдельных областях кристалла, нанесения гальванических покрытий и т. д.

1. Формирование слоя фоторезиста: обработка поверхности подложек; нанесение и первая сушка слоя фоторезиста.

лагается задача первичной обработки информации, а последующая обработка производится на ЭВМ. С точки зрения обеспечения необходимой гибкости системы в целом должны предусматриваться перестраиваемость как по информативности — эти идеи изложены в гл. 5 с позиций вероятностного мониторинга технологических систем, так и по рассмотренной в предыдущих параграфах системе межоперационного контроля, которая также должна обеспечивать гибкую перестройку структуры системы контроля. Классификацию систем контроля можно представить в виде табл. 15.1.

При анодно-механическом способе обработка производится под влиянием трех факторов: электроэрозионного разрушения, электрохимического растворения и механического воздействия инструмента. На анодно-механических установках можно производить и чистовую обработку электронейтральным абразивным инструментом. В этом случае катодом служит специальная профильная пластина, соответствующая по форме детали. Правильно подбирая режимы работы, можно обработать заготовки с точностью, соответствующей 7 ... 8-му квалитетам и с шероховатостью поверхности Яа= 1,25 ...0,32 мкм.

Трансформаторное, а также другие нефтяные («минеральные») электроизоляционные масла получают из нефти посредством ее ступенчатой перегонки с выделением на каждой ступени определенной (по температуре кипения) фракции и последующей тщательной очистки от химически нестойких примесей в результате обработки серной кислотой, затем щелочью, промывки водой и сушки. Часто электроизоляционные масла дополнительно обрабатываются адсорбентами, т.е. веществами (особые типы глин или:.же получаемые искусственным путем материалы), которые обладают сильно развитой поверхностью и при соприкосновении с маслом поглощают воду и различные полярные примеси. Такая обработка производится или перемешиванием нагретого масла с измельченным адсорбентом с последующим отстаиванием, или же фильтрованием масла сквозь слой адсорбента (перколяция). Применяются и другие способы очистки масла.

Автоматизация приемных устройств. Большая группа средств электрорадиоизмерений, например, измерительные приемники, анализаторы спектра, измерители параметров модулированных колебаний, многие измерители разности фаз, строятся, как правило, по схеме супергетеродинного приемника, т. е. содержат перестраиваемые по частоте входные фильтры и гетеродин, смеситель, УПЧ. В автоматизированных приборах такого вида необходима электрическая перестройка по частоте входных фильтров и гетеродинов. Она осуществляется теми же средствами, что и перестройка частоты источников испытательных сигналов — с помощью варикапов и ЖИГ-фильтров. Система ФАПЧ (см. 8.8) также используется в таких приборах. Она подстраивает частоту гетеродина под частоту сигнала, поддерживая постоянной ПЧ, на которую обычно переносится информация об амплитуде, фазе и частоте входного сигнала, так что ее последующая обработка производится на постоянной частоте. В тракте ПЧ используется автоматическая регулировка усиления, аналогичная рассмотренной выше системе стабилизации опорного уровня в источниках сигналов. Это позволяет приемному устройству в случае необходимости иметь постоянный уровень напряжения ПЧ. Работа автоматизированного приемного устройства в широком диапазоне частот при работе его гетеродина в одном частотном поддиапазоне, т. е. без переключения поддиапазонов гетеродина, может быть обеспечена при использовании рассмотренного выше стробоскопического преобразования частоты (§ 8.3).

В сердечниках, собранных из сегментов, проверяют зазор между спинкой сегментов и ребрами остова. Наибольшая допустимая разность зазоров у двух любых ребер 0,6 мм. Полукруглые канавки на ребрах остова и сегментов в процессе сборки образуют сквозные отверстия, которые обрабатывают под запрессовку штифтов. Обработка производится на радиально-сверлиль-ных станках специальными удлиненными сверлами, зенкерами и развертками. Обработка затруднена ввиду большой длины отверстий и неоднородности материала ребра и сегмента. Штифт запрессовывают в отверстие после закалки и шлифовки. Для повышения надежности крепления сердечник перед развертыванием отверстий нагревается специальной обмоткой до температуры, на 50—70 °С превышающей температуру остова. При забивке штифтов температуру увеличивают еще на 20—30 °С. При остывании диаметр сердечника уменьшается, в результате чего увеличивается натяг в сопряжении штифтов с сердечником и остовом.

Трансформаторные, а также другие нефтяные («минеральные») электроизоляционные масла получают из нефти посредством ее ступенчатой перегонки с выделением на каждой ступени определенной (по температуре кипения) фракции и последующей тщательной счистки от химически нестойких примесей в результате обработки серной кислотой, затем щелочью, промывки водой и сушки. Часто эаектроизоляционные масла дополнительно обрабатываются адсорбентами, т. е. веществами (особые типы глин или же получаемые искусственным путем материалы), которые обладают сильно развитой поверхностью и при соприкосновении с маслом поглощают воду и различные полярные примеси. Такая обработка производится или перемешиванием нагретого масла с измельченным адсорбентом с последующим отстаиванием, или же фильтрованием масла сквозь слой адсорбента (перколяция). Применяются и другие способы очистки масла.

Обработка производится с помощью устройств или вычислительных машин, осуществляющих аналоговые или цифровые преобразования поступающих величин и функций (см. 4-1). Промежуточным этапом обработки является хранение информации з запоминающих устройствах, которые могут выполняться на маг-

Катодное хроматирование широко применяется для защиты от коррозии луженого железа. Обработка производится в растворе К'а2СггО7 (25— 30 г/л) при рН 4—6 и 50—80 °С; ['„ = 5-г 10 А/дм2; время обработки составляет 1—2 с.

Катодное хроматирование широко применяется для защиты от коррозии луженого железа. Обработка производится в растворе Ка2СггО7 (25— 30 г/л) при рН 4—6 и 50—80 °С; !'„ = 5т-10 А/дм2; время обработки составляет I—2 с.

В одних паровая обработка производится после промывки узла в ванне с растворителем, который подвергается ультразвуковой активации. В других предусматривается насос /, который подает чистый растворитель из резервуара 6 в распылитель 7, что ускоряет удаление флюса. Известно также и применение автоматического оборудования подобного назначения.