Обозначения установленные

Третий элемент обозначения транзисторов (табл. 6.3) определяет их классификацию по группам рассеиваемых мощностей (малая, средняя, большая) и граничной частоте /гр коэффициента передачи тока.

Значение третьего элемента обозначения транзисторов (по ГОСТ 10862—72) в зависимости от Р и frp

Полевые транзисторы бывают с затвором в виде p-n-перехода и с изолированным затвором (МДП - металл - диэлектрик - полупроводник и МОП — металл — оксид — полупроводник). В табл. 6.1 приведены обозначения транзисторов с p-n-переходом. Обозначения МДП- и МОП-транзисторов даны на 6.2. Такие транзисторы имеют выходные характеристики, аналогичные приведенным в табл. 6.1.

Биполярные транзисторы являются активными полупроводниковыми приборами, обеспечивающими усиление мощности электрических сигналов. По структуре биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя чередующимися слоями полупроводников с.электропроводностями разных типов. На границе раздела слоев образуется два /?-п-перехода, природа которых описана в § 1.3. В зависимости от характера электропроводности внешних слоев различают транзисторы типа р-п-р ( 2.9, а) и п-р-п ( 2.9, в). Условные обозначения транзисторов этих типов показаны соответственно на 2.9, б, г.

28. Условные обозначения транзисторов:

1.5. Схемные обозначения транзисторов:

Биполярный транзистор, назначением которого является усиление мощности электрических сигналов, представляет собой полупроводниковый прибор с тремя чередующимися слоями полупроводника разного механизма электропроводности. На границе раздела слоев образуются два p-n-перехода, описанных в § 3.1. В зависимости от механизма электропроводности внешних слоев различают транзисторы типов р-п-р ( 3.13, а) и п-р-п ( 3.13, в). Условные обозначения транзисторов этих типов показаны соответственно на 3.13,6, г. Внутреннюю область монокристалла транзистора, разделяющую р-п-пере-ходы, называют базой. Внешний слой монокристалла, предназначенный для инжектирования (внедрения) носителей заряда в базу, называют эмиттером, а р-и-перехОД /7Ь ПрИМЫКЗЮЩИИ к эмиттеру, - эмиттерным. Другой внешний слой, экстрактирую-щий (вытягивающий) носители заряда из базы, называют коллектором, а p-n-переход П^ — коллекторным. База является

Второй элемент обозначения транзисторов (одна буква и цифра): П1 - полевые с рассеиваемой мощностью не более 1 Вт и /тах < 30 МГц; П2 - от 30 до 300 МГц; П4 - более 300 МГц; П7 - с рассеиваемой мощностью более 1 Вт и/тах< <30 МГц; П8-от 30 до 300 МГц; П9 - более 300 МГц; Т1 — биполярные с рассеиваемой мощностью не более 1 Вт и граничной частотой передачи тока не более 30 МГц; Т2-от 30 до 300 МГц; Т4 - более 300 МГц; Т7 - с рассеиваемой мощностью более 1 Вт и менее 30 МГц; Т8 — от 30 до 300 МГц; Т9 - более 300 МГц.

Стандартные графические обозначения транзисторов (ГОСТ '..730 - 73) приведены на 3.29 [а — биполярный транзистор типа р-п-р; б — биполярный транзистор типа п-р-п; в — много-

При рассмотрении процессов, происходящих в транзисторе, его удобно представлять плоскостными структурными схемами. Изображенный на 17.1 транзистор в виде структурной схемы показан на 17.2, а. Он имеет структуру р-п-р. На 17.2,6 показан транзистор с другим чередованием областей (п-р-н), на 17.2, в, г — соответствующие структурной схеме условные обозначения транзисторов. Разницы в принципе работы транзисторов обеих структур нет, но полярность подключения выводов к источнику питания противоположная. Так как транзистор — симметричная структура, то любая крайняя область могла бы быть как эмиттером, так и коллектором. Однако в реальных конструкциях исходя из обеспечения лучшей работы транзистора область коллектора делается большей по размерам, чем область эмиттера. Из тех же соображений активная толщина базы w делается небольшой (меньше диффузионной длины неосновных носителей). Выводы от каждой из областей называются так же, как и области: эмиттерный, базовый, коллекторный. Переход эмиттер — база называется эмиттерным, коллектор — база — коллекторным. Назначение эмиттера — инжекция (вспрыскивание) в область базы не основных для нее носителей заряда, для чего область эмиттера выполняют более насыщенной основными носителями (более низкоомной), чем область базы. Назначение коллектора - экстракция (втягивание) носителей из базы, в которой различают три области: активную (между эмиттером и коллектором, через нее приходят носители заряда в активном режиме работы транзистора), пассивную (между эмиттером и выводом базы) и периферическую (за выводом базы).

Условные и графические обозначения транзисторов устанавливаются ГОСТ 2.728-68, 2.730-68 и 10862-72.

7.2 Если в тексте документа имеется иллюстрация, на которой изображены составные части изделия, то на этой иллюстрации должны быть указаны номера позиций этих составных частей в пределах данной иллюстрации, которые располагают в возрастающем порядке, за исключением повторяющихся позиций, а для электро- и радиоэлементов — позиционные обозначения, установленные в схемах данного изделия.

При вычерчивании функциональной схемы аппаратуры применяют обозначения, установленные ГОСТ 2. 737—68 и ГОСТ 2- 743—72 для аналоговых и цифровых функциональных элементов и узлов. Некоторые из этих обозначений приведены в табл. ПЗ-1.

При выполнении расчетов необходимо вынести формулы из текстового материала в отдельные строчки. В формулах в качестве символов следует применять обозначения, установленные соответствующими государственными стандартами. Значения символов и числовых коэффициентов, входящих в формулу, должны быть приведены непосредственно после формулы со слова «где» (двоеточие после него не ставят). Значение каждого символа дают с новой строки в той последовательности, в какой они приведены в формуле. Если буквенные обозначения были использованы ранее и их смысл не изменился, то повторять их не следует. Все формулы нумеруют арабскими цифрами в пределах раздела. Номер формулы состоит из номера раздела и порядкового номера формулы, разделенных точкой. Номер указывают справа на уровне формулы в круглых скобках, например:

На чертежах схемы изображают в отключенном состоянии без учета действительного пространственного расположения частей изделия, применяя условные графические обозначения, установленные в соответствующих стандартах ЕСКД (см. приложение 9). Допускается все условные графические обозначения пропорционально увеличивать или уменьшать.

Для построения любой вычислительной машины или устройства применяется система логических элементов, которая должна быть функционально полной, т. е. набор элементов должен быть таким, чтобы при их соединении можно было реализовать любую логическую связь. Для изображения логических элемен- • тов используются условные графические обозначения, установленные ГОСТ 2.743—72. Выше были приведены условные обозначения логических элементов, которые реализуют основные логические операции (см. п, 5 гл. VI).

Все элементы электрических схем имеют единые условные обозначения, установленные ГОСТом. Электрические схемы могут быть однолинейными и многолинейными; в однолинейной схеме ( 26) два, три и больше проводников одной электрической цепи изображают условно одной линией. Схема на 26 дает представление об основных условных обозначениях: ввод ВЛ-35 кВ через разъединитель Pi подключается к сборным шинам РУ-35 кВ. Через масляные выключатели ВМ1 (35 кВ) и разъединители Р1 подключены к сборным шинам трансформаторы Тр. К сборным шинам также подключен через

Для изображения на электрических схемах элементов и устройств применяют условные графические обозначения, установленные соответствующими стандартами ЕСКД (см. приложение 2.). На схемах определенных типов кроме условных графических обозначений могут применяться другие категории, графических обозначений:

жают в виде прямоугольников. Допускается применять условные графические обозначения, установленные ГОСТ 2.708-81 ( 7.6). Размер L = 1,5 Я. Размер Я выбирается из ряда 10, 15 и далее через 5 мм. На структурной схеме над условными графическими обозначениями допускается делать поясняющие надписи. Сведения о конструктивном расположении устройств, местах их присоединения и другую информацию целесообразно указывать в таблицах, помещаемых на схеме или выпускаемых самостоятельным документом с кодом ТЭ1 или Т1.

Примечание. Для указания назначения электроизмерительного прибора в его обозначение вписывают условные графические обозначения, установленные в стандартах ЕСКД, а также буквенные обозначения единиц измерения или измеряемых величин, например:

также нормируются стандартами Например, ГОСТ 8711-78 устанавливает следующие классы точности на амперметры и вольтметры. 0,05; 0,1; 0,2; 0,5; 1,0, 1,5; 2,5; 4: 5 Значительный объем информации о принципе действия прибора, вошожной предельной погрешности, условий работы может быть извлечен из условных обозначений, нанесенных на циферблат прибора Условные обозначения, установленные ГОСТ 32317—78, показаны в табл. 3.1.

вают условные графические обозначения, установленные в стандартах ЕСКД, а также буквенные обозначения единиц измерения или измеряемых величин, например: а) амперметр А 1

В настоящее издание книги введены новые термины, определения и обозначения, установленные Международным светотехническим словарем (третье издание), подготовленным Международной комиссией по освещению (МКО).