Обогащение обеднение

Учтя, что cooC[/?p=J?p/p = Q и что обычно Q^>1, в последнюю формулу можно ввести обобщенную расстройку g = 2QAco/coo и получить

Удобно ввести обобщенную расстройку ? (см. § 5.4) и записать

Ширина полосы пропускания через обобщенную расстройку

4. Зная М и &nf°, по 4.1 определяют: обобщенную расстройку а0, нормированную по полосе пропускания; число звеньев т в фильтре и нагрузочный коэффициент k.

Наиболее широко в теоретических исследованиях применяется обобщенная расстройка ?, так как ее использование существенно упрощает расчет. Например, АЧХ (3.13) можно записать через обобщенную расстройку % и форме

кой контура. Таким образом, через обобщенную расстройку окончательно можно записать

Если в качестве независимой переменной при- построении частотных характеристик последовательных контуров выбрать обобщенную расстройку , то частотные характеристики всех контуров независимо от параметров этих контуров совпадут ( 5.8 и 5.9).

Введем в рассмотрение «обобщенную расстройку» контура

Полоса пропускания резонансного усилителя, определяемая по ослаблению амплитуды на границах полосы до 1/J/2 от максимального уровня (при аэкв = 0) и выраженная через обобщенную расстройку, равна 2 (см. 5.23). Для перехода or аэкв к частоте, приравниваем в (5.68) аэкв = 1, а Асо = До)0. Тогда полоса пропускания

Из этого выражения видно, что фазовая характеристика усилителя фп = пф1 совпадает по форме с фазовой характеристикой одной ступени ф1, но масштаб фазовой характеристики усилителя возрастает в п раз. Амплитудная же характеристика /<„(со) изменяется по форме; с увеличением п она становится острее. Это видно из 5.24; с возрастанием п «полоса пропускания» усилителя, определяемая по ослаблению амплитуды на границах до 1/Y2 от максимального значения (при аэкв = 0) уменьшается. Так, при п = 1 полная полоса, выраженная через обобщенную расстройку, равна 2, при п = 2 к п — 3 — соответственно 1,28 и 1,02 [напомним, что обобщенная расстройка а9кв связана с частотной расстройкой До соотношением (5.68)].

В данном случае под Л°(ш) подразумевается отношение комплексной амплитуды напряжения на конденсаторе второго контура к амплитуде э. д. с., вводимой в первый контур. Фазовую характеристику цепи определим выражением (5.82), заменив и нем обобщенную расстройку а выражением (со — сор)т:

Обогащение, обеднение. iV-канальный МОП-трайзистор, с которого мы начали эту главу, не проводил ток при нулевом (или отрицательном) смещении затвора и начинал проводить, когда затвор становился положительно смещен относительно истока. Этот тип ПТ известен как ПТ обогащенного типа. Имеется и другая возможность изготовления «-канального ПТ, когда полупроводник канала «легирован» так, что даже при нулевом смещении затвора имеется значительная проводимость канала, и на затвор должно быть подано обратное смещение в несколько вольт для отсечки тока стока. Такой ПТ известен как прибор обедненного типа. МОП-транзисторы могут быть изготовлены любой разновидности, поскольку здесь нет ограничения на полярность затвора. Однако ПТ с />-«-переходом допускают лишь одну полярность смещения затвора, а посему их выпускают только обедненного типа.

6.1.7. Схематическое изображение структуры поперечного сечения инвертора и интегральном исполнении на траюистрах, работающих и режимах обогащение обеднение:

Из логических устройств с применением a-Si-ТПТ были исследованы схемы с инверторами в интегральном исполнении. Интегральный инвертор типа обеднение - обогащение состоял из ТПТ со ступенчатым расположением электродов и нагрузочного сопротивления, которым служил слой п +-a-Si [4]. Этот инвертор работал при напряжении питания 15 В. Инвертор типа обогащение - обогащение состоял из двух компланарных ТПТ, в которых в качестве подзатворного диэлектрика использовался SiO2, химически осажденный из газовой фазы в реакторе пониженного давления. Геометрическое бета-отношение в таком инверторе, т.е. отношение величины W/L ключевого и нагрузочного транзисторов, составляло около 20; максимальное усиление слабого сигнала равнялось 2 при питающем напряжении 10В [23].

Инвертор типа обогащение — обеднение был изготовлен на двух одинаковых по размерам ТПТ со ступенчатым расположением электродов. Они содержали пленку a-Si, полученную в дуговом разряде, и подзатвор-ный диэлектрик из Si02, полученного в реакторе пониженного давления методом ХГФО.

6.1.12. Переходные характеристики интегрального инвертора на транзисторах, работающих в режимах обогащение - обеднение:

= 40 В было достигнуто усиление малого сигнала, равное 10. На инверторе типа обогащение - обеднение, были получены хорошие статические переходные характеристики, однако для этого требуется высокое напряжение питания. В исследованиях Нара и др. был изготовлен кольцевой генератор в интегральном исполнении на девяти инверторах типа обогащение - обеднение и получены минимальное время задержки распространения сигнала на затворе ~ 110 мкс и постоянное произведение мощность — задержка на затворе около 480 пДж.

" ", работающий в режимах обогащение - обеднение 288

6.1.7. Схематическое изображение структуры поперечного сечения инвертора и интегральном исполнении на траизнстрах, работающих и режимах обогащение обеднение:

Из логических устройств с применением a-Si-ТПТ были исследованы схемы с инверторами в интегральном исполнении. Интегральный инвертор типа обеднение — обогащение состоял из ТПТ со ступенчатым расположением электродов и нагрузочного сопротивления, которым служил слой п +-a-Si [4]. Этот инвертор работал при напряжении питания 15 В. Инвертор типа обогащение - обогащение состоял из двух компланарных ТПТ, в которых в качестве подзатворного диэлектрика использовался SiOj, химически осажденный из газовой фазы в реакторе пониженного давления. Геометрическое бета-отношение в таком инверторе, т.е. отношение величины W/L ключевого и нагрузочного транзисторов, составляло около 20; максимальное усиление слабого сигнала равнялось 2 при питающем напряжении 10В [23].

Инвертор типа обогащение — обеднение был изготовлен на двух одинаковых по размерам ТПТ со ступенчатым расположением электродов. Они содержали пленку a-Si, полученную в дуговом разряде, и подзатвор-ный диэлектрик из SiO2, полученного в реакторе пониженного давления методом ХГФО.

6.1,12. Переходные характеристики интегрального инвертора на транзисторах, работающих в режимах обогащение - обеднение: