Областями полупроводника

Во избежание этого в силовых цепях, обладающих значительной индуктивностью (обмотки возбуждения генераторов и двигателей постоянного тока, синхронных двигателей, магнитных плит и т. п.), параллельно обмоткам включают разрядные резисторы ( 4.5,6).

Среди материалов, обладающих значительной элект-ролюминесценсией, особое место занимают элементы второй и шестой групп периодической системы (соединения типа Л2В4). Это соединения цинка и кадмия с серой и селеном: ZnS, ZnSe, ZnS^Sei-^, ZrixCdi—*S и т. д.

Слоистые пластики изготовляют прессованием с различными связующими бумаги (гетинакс, асбогетинакс), тканей (текстолиты), древесного шпона (древеснослоистый пластик) . Слоистые пластики выпускают в виде листов, цилиндров, трубок, обладающих значительной механической прочностью. Их применяют в качестве электроизоляционных и конструкционных материалов для изготовления панелей, оснований печатныхсхем, каркасов, различных прокладок и других деталей.

Слоистые пластики представляют собой прессованные листы с различными связующими материалами: из бумаги, асбеста, (гетинакс, асбогетинакс), из тканей (текстолиты), из древесного шпона (древесно-волокнис-тый пластик). Применяются для различных изоляционных прокладок и деталей, обладающих значительной механической прочностью. Служат основанием для печатных схем. Используются для изоляции сердечников высоковольтных вводов, при изготовлении различных фасонных деталей, трубок, цилиндров. Прессующиеся составы (пластмассы) изготовляются на основе различных связующих (преимущественно синтетических

Наибольшее влияние электромагнитных процессов имеет место при переходных режимах в обмотках возбуждения машин постоянного тока, обладающих значительной индуктивностью, например при регулировании скорости, ревер-

в) повышение напряжения на выводах. Оно вызывает возрастание намагничивающего и вихревых токов трансформатора. Следствием такого режима может быть перегрев обмоток и сердечника трансформатора, повреждение изоляции и «пожар железа» сердечника. Повышения напряжения могут возникнуть, например, в сетях напряжением 330—750 кВ при одностороннем отключении длинных линий, обладающих значительной распределенной емкостью.

Во избежание этого в силовых цепях, обладающих значительной индуктивностью (обмотки возбуждения генераторов и двигателей постоянного тока, синхронных двигателей, магнитных плит и т. п.), параллельно обмоткам включают разрядные резисторы ( 4.5, (>).

шения напряжения могут возникнуть, например, в сетях напряжением 330—750 кВ при одностороннем отключении длинных электрических линий, обладающих значительной распределенной емкостью.

Во избежание этого в силовых цепях, обладающих значительной индуктивностью (обмотки возбуждения генераторов и двигателей по-

Многие элементы электрических установок состоят из катушек, обладающих значительной индуктивностью L. При включении такой катушки в цепь переменного тока в ней непрерывно проявляется действие э. д. с. самоиндукции, препятствующей изменениям тока. Величина этой э. д. с, бывает настолько значительной, что на ее уравновешивание во многих случаях затрачивается большая часть напряжения, подведенного извне к катушке, и лишь незначительная часть приложенного напряжения приходится на компенсацию потери напряжения в активном сопротивлении г катушки.

шения напряжения могут возникнуть, например, в сетях напряжением 330—750 кВ при одностороннем отключении длинных электрических линий, обладающих значительной распределенной емкостью.

Границу между двумя соседними областями полупроводника, имеющими различный характер электропроводности (между слоями р- и /г-типа), называют электронно-дырочным переходом или р-п-переходом. Такой переход является основой большинства полупроводниковых приборов. В настоящее время в полупроводниковой электронике наиболее широко применяются плоскостные и точечные р-п-переходы.

*/ р-п-переходом называют границу между областями полупроводника р- и п-типа. p-n-переход обладает выпрямительными свойствами.

Общие сведения. Электронно-дырочным (р-п) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин «- и /(-типа, так как в месте соединения невозможно обеспечить общую кристаллическую решетку без дефектов. На практике широко используется метод получения /(-«-перехода путем введения в примесный полупроводник примеси с противоположным типом проводимости, например с помощью диффузии или эпитаксии.

Электронно-дырочным переходом, или р-п переходом, называется электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность я-типа, а другая р-типа (см. 3.4).

электроды могут быть скрытыми. Их делают обычно из поликристаллического кремния или тугоплавкого металла (например, молибдена). При подаче на первый или третий электроды отрицательного потенциала в полупроводнике под соответствующим электродом образуется потенциальная яма для неосновных носителей — дырок. Информация в виде пакета дырок может быть введена в эту потенциальную яму путем освещения. Таким образом, первый и третий электроды вместе с областями полупроводника под этими электродами могут выполнять функции приема и хранения информационного заряда.

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность р-типа, а другая — n-типа, называют электронно-дырочным переходом или р-п-пере-ходом.

Виды переходов. Переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность тг-типа, а другая — электропроводность р-тйпа, называют электронно-дырочным переходом или р-п переходом.

При облучении полупроводникового кристалла, содержащего электрический переход, может возникнуть электродвижущая сила между двумя разнородными областями полупроводника или между полупроводником и металлом (' фотогалъванический эффект,). Эти и другие физические эффекты лежат в основе работы различных фотоэлектрических полупроводниковых приборов.

дырок из р-области вызывает образование в ней отрицательного заряда ионизированных акцепторов. В результате в переходном слое образуется электрическое поле, создающее дрейфовый ток обратного направления. Очевидно, что при отсутствии внешнего поля между двумя областями полупроводника должна установиться такая разность потенциалов, при которой суммарный ток через л/д-,/

Если к p-n-переходу приложено обратное напряжение 4 1.13, а, б), то разность потенциалов между р и д-областями •полупроводника возрастает — ф — ср& + ?Д а область объемного заряда (обедненный слой) расширяется. При этом диффузионный ток -через переход, определяемый диффузией дырок из /г-области и электронов из р-области уменьшается, так как возросшее напряжение .на переходе препятствует такому перемещению зарядов. Существующее на переходе поле вытягивает неосновные носители: дырки >из п-области и электроны из р-области. Это явление называется экстракцией. В результате экстракции области полупроводника на расстоянии диффузионной длины от перехода обедняются

Электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n-типа (электронную), а другая — р-типа (дырочную), называют электронно-дырочным переходом, или, кратко, р-п переходом. Электрические переходы между двумя областями одного и того же типа электропроводности (п- или /?-ти-па), с различающимися значениями удельной электрической проводимости, называют изотипными переходами. Изо-типные переходы могут быть электронно-электронными (п-п+) или дырочно-дырочными (P-/J+). Знаком + условно отмечается область с более высокой удельной электрической проводимостью.