Обкладками конденсатора

В то же время не может мгновенно меняться на конечное значение напряжение на обкладках конденсаторов (второй закон коммутации), хотя, если пренебречь индуктивностью конденсаторов, теоретически возможны мгновенные изменения токов в их цепях.

обкладках конденсаторов, присоединенных к любому узлу после-коммутационной схемы, должен остаться неизменным. Если этого не выполнить, то суммарный ток, проходящий через конденсаторы, был бы бесконечно большим (стремился бы к бесконечности), бесконечно большими были бы токи и через другие ветви, присоединенные к этому узлу. Это также привело бы к нарушению второго закона Кирхгофа.

После окончания прямого хода пилообразного напряжения начинается формирование обратного хода. Сначала конденсатор С = = CiC2/(Ci + С2) разряжается, как и в схеме 8.12, коллекторным током транзистора 7\. Этот первый этап заканчивается насыщением транзистора TI, после чего напряжение на верхней (согласно 8.14) обкладке конденсатора С*, а следовательно, и на выходе схемы близко к нулю. В силу неравенства емкостей конденсаторов, неодинаковых зарядных токов, а следовательно, и накопленных на обкладках конденсаторов зарядов к моменту установления нулевого напряжения на выходе напряжения на конденсаторах Ci и С2 отличны от нуля. Поэтому на втором этапе происходит разрядка этих конденсаторов. Верхняя обкладка конденсатора Cf через насыщенный транзистор 7\ связана с нижней обкладкой конденсатора С2 и корпусом схемы. Конденсаторы Ci и С2 оказываются включенными параллельно; емкость, полученная при таком соединении конденсаторов Сс = Ct + Cz. Конденсатор Сс разряжается через резистор Ко- Так как коэффициент

Полярность напряжений на обкладках конденсаторов показана

После окончания прямого хода пилообразного напряжения начинается формирование обратного хода. Сначала конденсатор C = C1C2/(C1-j-C2) разряжается, как и в схеме 6.14, коллекторным током транзистора 7\. Этот первый этап заканчивается насыщением транзистора 7\. После насыщения напряжение на верхней (согласно 6.16) обкладке конденсатора С:1, а следовательно, и на выходе схемы близко к нулю. В силу неравенства емкостей конденсаторов, неодинаковых зарядных токов, а следовательно, и накопленных на обкладках конденсаторов зарядов к моменту установления нулевого напряжения на выходе напряжения на конденсаторах Сх и С2 отличны от нуля. Поэтому на втором этапе происходит разряд этих конденсаторов. Верхняя обклад-

не превышало номинального значения. При последовательном соединении заряды на всех обкладках конденсаторов получаются одинаковыми, а общее напряжение равно сумме напряжений на отдельных конденсаторах:

Дополнительные потери активной мощности от высших гармоник в обкладках конденсаторов (токоведу-щих частях) определяются по участкам /, на которые разбиваются токоведущие части, после чего суммируются и определяются общие потери в обкладках конденсаторов:

Дополнительные потери активной мощности от высших гармоник в обкладках конденсаторов (токоведущих частях) определяют по участкам /, на которые разбивают токоведущие части, после чего суммируют и определяют общие потери в обкладках конденсаторов:

В то же время не может мгновенно меняться на конечное значение напряжение на обкладках конденсаторов (второй закон коммутации), хотя, если пренебречь индуктивностью конденсаторов, теоретически возможны мгновенные изменения токов в их цепях.

т. е. в момент коммутации остаются неизменными напряжения на обкладках конденсаторов и токи в индуктивных катушках.

Допустим, что до включения цепи конденсатор был не заряжен. После замыкания выключателя ( 4.7, а) конденсатор начнет заряжаться, в результате в проводах возникнет ток и между обкладками конденсатора появится напряжение ис.

На 2.3, а изображен простейший плоский конденсатор с двумя параллельными обкладками площадью S, которые находятся в вакууме на расстоянии d друг от друга. Если между верхней и нижней обкладками конденсатора приложить напряжение иа/) > 0, то на верхней и нижней обкладках, конденсатора накопятся одинаковые положительный и отрицательный заряды ±q, которые называют свободными.

где d — расстояние между обкладками конденсатора. Умножим обе части равенства на S (S — площадь одной обкладки), получим выражение емкости плоского конденсатора

При изменении напряжения между обкладками конденсатора образуется ток смещения

На 2.3, а изображен простейший плоский конденсатор с двумя параллельными обкладками площадью S, которые находятся в вакууме на расстоянии d друг от друга. Если между верхней и нижней обкладками конденсатора приложить напряжение иа/) > 0, то на верхней и нижней обкладках конденсатора накопятся одинаковые положительный и отрицательный заряды ±q, которые называют свободными.

На 2.3, а изображен простейший плоский конденсатор с двумя параллельными обкладками площадью S, которые находятся в вакууме на расстоянии d друг от друга. Если между верхней и нижней обкладками конденсатора приложить напряжение ugl} >0,то на верхней и нижней обкладках конденсатора накопятся одинаковые положительный и отрицательный заряды ±q, которые называют свободными.

совершая возвратно-поступательное движение. Катушка 1 возбуждается постоянным током от источника Us. Через коромысло 4, укрепленное на опоре 3, индуктивная машина соединяется с емкостной, которая представляет собой конденсаторе с движущимся диэлектриком. Между обкладками конденсатора 6 движется диэлектрик 5. К конденсатору подводится постоянное напряжение С/в. Катушка индуктивности через сопротивлениеRH соединена с конденсатором. При резонансной частоте а>0=\/У LC, когда (OoL= 1/<Во.С, наступает электромеханический резонанс. Частота сети и механическая частота одинаковы и ЭП, находясь в электромеханическом резонансе, имеет наилучшие технико-эконо-м,ические показатели.

Примером индуктивно-емкостного ЭП может служить машина, представленная на 13.8. Это, по существу, линейный индуктивный ЭП. Здесь в катушке / движется стальной сердечник 2, совершая возвратно-поступательное движение. Катушка / возбуждается постоянным током от источника С/,. Через коромысло 4, укрепленное на опоре 3, индуктивная машина соединяется с емкостной, которая представляет собой конденсатор б с движущимся диэлектриком. Между обкладками конденсатора б движется диэлектрик 5. К конденсатору подводится постоянное напряжение Ut. Катушка индуктивности через сопротивление RH соединена с конденсатором. При резонансной частоте

Емкость зависит от геометрической формы, размеров конденсатора и физических свойств диэлектрика. Если диэлектрик между обкладками конденсатора не выполнен из сегнетоэлектрика, то емкость не зависит ни от величины заряда, ни от разности напряжений на обкладках конденсатора. Условное изображение емкости на схемах показано на 4.6.

10. Определяют площадь перекрытия диэлектрика обкладками конденсатора с учетом коэффициента К'.

При приложении выпрямленного напряжения в схеме замещения ( 1.2) в первый момент времени проходит только ток 1Г заряда геометрической емкости СГ, т. е. емко-кости, определяемой геометрическими размерами изоляции. В этот момент реальная среда — материал изоляции не проявляется, как будто между границами ее (обкладками конденсатора Сг) вакуум.