Обеспечивает управление

При такок5 распределении тока нижняя часть сечения стержня не используется, что эквивалентно уменьшению сечения и увеличению активного сопротивления. Вместе с тем повышенное индуктивное сопротивление при пуске обеспечивает уменьшение пускового тока.

В большинстве задач электромеханики при наличии математической модели1 необходимо путем перебора параметров ЭП отыскать оптимальные показатели при определенном сочетании параметров. Как уже отмечалось, изменение одного параметра при неизменных других не дает возможности найти нужные соотношения и требует больших затрат машинного времени. Метод ПЭ позволяет правильно провести' эксперимент и обеспечивает уменьшение числа опытов.

В большинстве задач элепромеханики при наличии математической модели необходимо путем перебора параметров ЭП отыскать оптимальные показатели при определенном сочетании параметров. Как уже отмечалось, изменение одного параметра при неизменных других не дает возможности найти нужные соотношения и требует больших затрат машинного времени. Метод ПЭ позволяет правильно провести эксперимент и обеспечивает уменьшение числа опытов.

ной защиты. Активная электрохимическая защита обеспечивает уменьшение тока коррозии до нуля за счет катодной поляризации подземного металлического сооружения специальными источниками постоянного тока или путем соединения с металлом, имеющим более отрицательный потенциал, чем у защищаемого сооружения. Катодная поляризация может быть выполнена при подключении источника постоянного тока к сооружению и грунту ( 43).

электрическая пластина диаметром Dp помещается в отверстии диаметром DOTB микроплаты. Такое решение обеспечивает уменьшение размера lit который в данном случае будет определяться

Иногда применяют платы, в которых кроме сквозных металлизированных отверстий имеются металлизированные отверстия на отдельных слоях. Эти отверстия могут иметь контактные площадки, обеспечивающие большую площадь соприкосновения металла отверстия с фольгой, что дает высокую надежность соединения. Такая конструкция обеспечивает уменьшение числа сквозных металлизированных отверстий и обеспечивает повышенную надежность платы.

Для увеличения перегрузочной способности трансформаторов в послеа-варийном режиме, когда отключают один трансформатор, может оказаться целесообразным применение трансформаторов с форсированной системой охлаждения (табл. П. 4.13). Применение таких трансформаторов вместо стандартных обеспечивает уменьшение капитальных вложений за счет снижения цены трансформаторов, но они имеют повышенные потери мощности. Для выбора типа трансформатора в этом случае (стандартного трансформатора или трансформатора с форсированной системой охлаждения) также целесообразно выполнить технико-экономические расчеты. Расчетный коэффициент загрузки трансформаторов с форсированной системой охлаждения в (7.1) или (7.2) может приниматься равным единице вместо 0,8 в (7.3) для обычных трансформаторов, причем выбирать трансформатор нужно по проектной мощности [7].

1. Для каждой независимой переменной выбираются начальные значения ЦФ. Затем произвольно задается шаг для каждой переменной и вычисляется новое значение ЦФ для каждой переменной. Если новое значение некоторой переменной обеспечивает уменьшение ЦФ по сравнению с предыдущим и при этом находится в допустимых пределах, то оно фиксируется в качестве исходного для последующих шагов, а шаг утраивается. Если же ЦФ возрастает, то направление шага меняется на обратное, а шаг делится пополам.

Так как пусковой и минимальный моменты не оговариваются при разработке частотно-регулируемого двигателя (он не работает при скольжении, превышающем критическое), выбор формы паза ротора должен производиться только на основании требования получения минимально возможных активных и индуктивных сопротивлений обмотки, что обеспечивает уменьшение потерь и повышение максимального момента. Как показали исследования, целесообразно, чтобы пазы ротора имели трапецеидальную или грушевидную форму.

Для защиты от внешних воздействий и обеспечения хорошего теплоотвода кристалл с р-«-переходом монтируют в корпусе. Диоды малой мощности обычно оформляют в пластмассовом корпусе с гибкими внешними выводами, диоды средней мощности — и металлостеклянном корпусе с жесткими внешними выводами, диоды большой мощности — в металлостеклянном или металло-керамическом корпусе, т. е. со стеклянным или керамическим проходным изолятором. Пример конструктивного оформления выпрямительного диода показан на 3.39. Кристалл кремния с р-я-переходом припаивают к медному основанию (к ножке корпуса) таким образом, чтобы получить омический переход между металлом и полупроводником. Для этого используют припой с примесью донора, если кристалл припаивают к основанию п-обла-стью, и с примесью акцептора, если /^-областью. Наличие в припое химического элемента, создающего в запрещенной зоне кремния уровни рекомбинационных ловушек (золото), обеспечивает уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда вблизи омического перехода и ускорение процесса рассасывания накопленных неосновных носителей. В мощных выпрямительных диодах с большой площадью кристалла между медным основанием и кристаллом кремния помещают термо-компенсирующую прокладку из вольфрама или ковара, имеющую примерно тот же коэффициент линейного расширения, что и кремний. Таким образом устраняют или существенно уменьшают механические напряжения в кристалле кремния, возникающие при изменении температуры.

Следует отметить, что в схемах 3.1, а и б трансформатор Т может быть заменен автотрансформатором или потенциометром. При этом первичная и вторичная цепи оказываются гальванически связанными. Кроме того, при использовании потенциометра возрастают потери, а коэффициент k должен быть по абсолютному значению не больше единицы. В то же время потенциометр является более простым аппаратом и обеспечивает большую плавность регулировки, а автотрансформатор обеспечивает уменьшение потерь.

Автоматизация управления процессом изготовления ТУК (типа ТОП, ТМШ) предполагает решение задачи оперативно-технологического управления на двух уровнях: на уровне ГАЛ в целом и на уровне ГПМ-С как основного элемента в линии. Оперативно-технологическое управление ГАЛ (в рамках АСУ ГАЛ изготовления ТУК) обеспечивает: координацию работы ГПМ-С, ТМ, ТрМ линии; идентификацию поступающих в модули материалов, технологических сред; обеспечение оператора информацией о состоянии ГПМ-С и других ТМ линии и об отклонениях от нормального хода ТП; учет выпускаемой продукции; прием от САПР Ф-К ТУК пакета прикладных программ (ППП) для технологического проектирования структуры ТУК разработки программы управления исполнительными механизмами автоматизированного ткацкого станка (АТС) ГПМ-С.

Оперативно-технологическое управление ГПМ-С (в рамках ЛСУ ГПМ структурообразования ТУК) обеспечивает: управление процессом выработки тканой структуры ТОП (ТМШ) в ГПМ-С; контроль и поддержание в заданных границах режимов (силовых, температурных, временных и др.) технологических операций; координацию работы ТПМ-С, ТМ, ТрМ (реализация ТрМ операции: установки катушек с нитками на посадочные штыри магазина (шпулярника), съема пустых катушек в накопитель, заправки концов нитей в трек ткацкого станка); текущую диагностику оборудования; аварийное отключение оборудования при аварийных ситуациях или обрывах диэлектрических (или токо-проводящих) нитей; контроль наличия технологических материалов и сред в накопителях (магазинах).

Аккумулятор снабжен цепями сдвига влево и вправо, триггеры флажков реагируют на нулевой результат суммы, на нулевое состояние аккумулятора, на наличие сигнала переноса, на увеличение содержимого индексного регистра, на пропуск по нулю и выполнение команды условного перехода. Регистр команд (8 бит) загружается через мультиплексор с внутренней шины и хранит команду, извлеченную из ПЗУ. Команда раскодируется в дешифраторе и обеспечивает управление различными функциональными блоками.

Здесь ппХ—опция, которая обеспечивает управление про-238

с целью увеличения нагрузочной способности или передачи их на исполнительные устройства командного, сигнального или защитного действия. Все эти элементы работают в релейном режиме. Так, например, элемент И-406 обеспечивает управление нагрузкой переменного тока мощностью до 220 В • А при токе 1 А. Он представляет собой оптоэлектронный ключ, в котором активным элементом, обеспечивающим усилительные свойства и гальваническую развязку, является оптронный тиристор. Схема элемента ( 23-11) содержит два оптрона VD1 и VD2, фототиристоры которых соединены встречно-параллельно, обеспечивая протекание через них и нагрузку переменного тока. Светоизлучающие диоды оптопар включены последовательно друг с другом и токоограничивающим резистором R1, что позволяет управлять с помощью сигнала напряжения постоянного тока. Цепь R2 — C ограничивает перенапряжения, возникающие при переключении индуктивной нагрузки. Конструктивно элементы «Логика-И» состоят из одной или двух печатных плат с навесными радиокомпонентами, помещенными в пластмассовый корпус, состоящий из двух деталей, соединенных друг с другом путем защелкивания. К плате прикреплены лепестки, которые выходят за пределы корпуса и служат для подсоединения внешних проводов.

Таким образом, основной особенностью структуры с инжектирующим УЭ по сравнению со структурой с зашунтированным эмиттером является введение дополнительного слоя п3, который образует инжектирующий переход и обеспечивает управление основной р\-п\-рг-пг структурой.

Рассмотренная МДП-структура обеспечивает управление выходной мощностью полевых приборов (прежде всего, МДП-транзистора). Такая структура в этом смысле аналогична управляющему р-п переходу в биполярных приборах.

Благодаря тому что опорной величиной в релейном элементе является напряжение отпирания стабилитрона, точная стабилизация напряжений питания и смещение не требуется. Выходной сигнал релейного элемента обеспечивает управление несколькими транзисторными логическими элементами серии «Логика Т» или доп ^скает включение электромагнитного реле с мощностью срабатывания до-50—60 мВт.

усилители для шины данных, регистр состояния и логическую схему. Эта логическая схема вырабатывает системные управляющие сигналы ЧтЗУ, ЗпЗУ, ВВОД и ВЫВОД, которые используются для управления работой запоминающих и внешних устройств. Многорежимный буферный регистр (МБР) используется для выдачи старшего байта адреса в режиме ПДП. Для обеспечения двойного управления работой ОЗУ предусмотрена логическая схема управления памятью (ЛСУП). В обычном режиме эта схема обеспечивает управление ОЗУ от микропроцессора, а в режиме ПДП — от контроллера ПДП. Предполагается, что внешнее устройство имеет внутренний двунаправленный трехстабильный буфер данных (если это не так, то следует ввести дополнительные буферные каскады).

ские, аналоговые и математические. Реализация моделей происходит в основном с помощью цифровых вычислительных машин; 2) электронные автоматические средства, использование которых обеспечивает управление технологическими процессами, а также получение, переработку и передачу информации; 3) организационные, т. е. экономические, административные и моральные, методы и средства управления, направленные на организацию трудовых коллективов, участвующих в функционировании и управлении системой.

Здесь Ri —в килоомах; С\— в нанофарадах. Дополнительная цепочка VD1, R3 в схеме 14-14, б обеспечивает управление скважностью импульсов. Отметим,