Объясняется уменьшением

При испытании транзисторов нашел применение м е-тод определения резонансных частот по-виброшумам. Метод основан на эффекте модуляции; шума транзистора частотой вибрации. Появление моДу-лиро«анного сигнала объясняется возникновением продольных или поперечных переменных напряжений в полупроводниковом: кристалле в результате давления вибрирующего элемента конструкции транзистора на кристалл. Частота вибрации, на которой модуляция шума максимальна, совпадает с частотой механического* резонанса какого-либо элемента конструкции транзистора. Структурная схема установки для определения резонансных частот транзисторов по виброшумам показана на 5.18. Частота вибрации, на которой переменное напряжение достигает максимального значения, фиксируется как резонансная.

Полное сопротивление г, как правило, больше активного сопротивления г, что объясняется возникновением в цепи реактивных э. д. с. индуктивности и емкости, которые ограничивают действующий ток / и уравновешиваются соответствующими напряжениями на зажимах реактивных элементов

Силы в электрическом поле действуют не только на проводящие тела, но и на диэлектрические, если их проницаемость отличается от проницаемости окружающей среды. Это объясняется возникновением с обеих сторон поверхности раздела разноименных зарядов, разных по величине; силы определяются алгебраической суммой этих зарядов. Таким образом, силы в электрическом поле всегда проявляются у поверхности раздела различных сред: диэлектрик — проводник и диэлектрик — диэлектрик.

При уменьшении отрицательного потенциала сетки анодный ток возрастает, но начиная с некоторого значения сеточного напряжения увеличение анодного тока замедляется. На анодно-сеточной характеристике появляется верхний загиб. Это явление объясняется возникновением тока в цепи сетки /с, что приводит к соответствующему уменьшению анодного тока /а [см. (1.1)].

Заземление вторичных цепей тока. Защитное заземление выполняется, как и для дифференциальных токовых защит генераторов (§ 8-8), в одной точке — у места установки реле РТД. Необходимо отметить, что в схемах, где одна группа ТТ соединена в; треугольник, а другая — в звезду, раздельное заземление каждой группы (звезды — в ее нейтральной точке) вообще недопустимо; это объясняется возникновением контуров, закорачивающих вторичные обмотки ТТ.

^Электроды в виде обкладок из тонкой фольги (свинцово-оловянной или алюминиевой) соединяются соответствующими группами и плотно обжимаются (закрепляются) специальными латунными деталями (выводами). Слюдяные конденсаторы выдерживают относительно большие реактивные мощности. Недостатком конденсаторов с обкладками из фольги является сравнительно большой ГКЕ и неопределенность его знака, что объясняется возникновением между обкладками и слюдяными пластинами воздушной прослойки, которая образует сложный диэлектрик (слюда — воздух). При изменении температуры изменяется размер воздушных прослоек, следовательно, и емкость конденсатора.

никеля ( 9-14). Наибольшим значением максимальной магнитной проницаемости обладает сплав, содержащий 78,5 % Ni. Очень легкую намагничиваемость пермаллоев в слабых полях объясняют практическим отсутствием у них анизотропии. Магнитные свойства пермаллоев чувствительны к внешним механическим напряжениям, зависят от химического состава и наличия инородных примесей в сплаве, а также очень резко меняются от режимов термообработки материала (температуры, скорости нагрева и охлаждения, состава окружающей среды и т. д.). Термическая обработка высоконикелевых пермаллоев сложнее, чем низконикелевых. Из 9-14 можно видеть, что индукция насыщения высоконикелевых пермаллоев почти в два раза ниже, чем у электротехнической стали, и в полтора раза ниже, чем у низконикеле-вьгх пермаллоев. Магнитная проницаемость высоконикелевых пермаллоев в несколько раз выше, чем у низконикелевых, и намного превосходит проницаемость электротехнических сталей. Удельное сопротивление высоконикелевых пермаллоев почти в три раза меньше, чем низконикелевых, поэтому при повышенных частотах предпочтительно использовать низконикелевые пермаллои. Кроме того, и магнитная проницаемость пермаллоев сильно снижается с увеличением частоты (см. 9-6), и тем резче, чем больше ее первоначальное значение. Это объясняется возникновением в материале заметных вихревых токов из-за небольшого удельного сопротивления. Стоимость пермаллоев определяется содержанием в их составе никеля.

Расчеты, подтвержденные опытными данными, показывают, что при переходных процессах максимальные значения токов намагничивания и небаланса могут приближаться к амплитудным значениям тока к. з. и возникают спустя несколько периодов после начала короткого замыкания (рис, 10.2,6, кривая 2). Запаздывание объясняется возникновением переходного процесса в замкнутой вторичной цепи трансформаторов тока. Переходный процесс сопровождается появлением свободной апериодической составляющей, которая затухает с постоянной времени Т2 вторичной цепи, превосходящей 7\.

Ниже будут представлены экспериментальные результаты, касающиеся усталости люминесценции. Это явление [55-58] наблюдается при продолжительном воздействии лазерного света, энергия фотонов которого превышает оптическую ширину запрещенной зоны. Оно объясняется возникновением центров свободных связей, которые действуют как безызлучательные центры. Подобное образование дефектов приводит к усилению безызлучательной рекомбинации [55]. Такое объяснение непосредственно подтверждается ОДМР-измерениями [38]. На 3.2.6 показаны спектральные зависимости ОДМР-сигналов до и после усталости. Лазерное облучение создает центры свободных связей, так что I (Д///)эпр DI-линий после усталости повышается во всем интервале энергий фотонов. Это также свидетельствует о том, что центры свободных связей действуют как безызлучательные центры. В то же время (Д///)ЭПр А -линий после усталости в области низких энергий растет.

Ниже будут представлены экспериментальные результаты, касающиеся усталости люминесценции. Это явление [55-58] наблюдается при продолжительном воздействии лазерного света, энергия фотонов которого превышает оптическую ширину запрещенной зоны. Оно объясняется возникновением центров свободных связей, которые действуют как безызлучательные центры. Подобное образование дефектов приводит к усилению безызлучательной рекомбинации [55]. Такое объяснение непосредственно подтверждается ОДМР-измерениями [38]. На 3.2.6 показаны спектральные зависимости ОДМР-сигналов до и после усталости. Лазерное облучение создает центры свободных связей, так что (Ы/Г)^^р\ DI-линий после усталости повышается во всем интервале энергий фотонов. Это также свидетельствует о том, что центры свободных связей действуют как безызлучательные центры. В то же время (Д///)ЭПр А -линий после усталости в области низких энергий растет.

Указанное любопытное явление также объясняется возникновением вих-ревого электрического поля электромагнитной индукции. Рассмотрим проводник с переменным током, и пусть в данный момент времени ток i имеет направление, указанное на 297. Этот ток создает внутри проводника магнитное поле И, силовые линии которого лежат в плоскости, перпендикулярной к оси проводника. Пред-положим, что ток i усиливается. Тогда возрастающее магнитное поле Н вызовет появление вихревого электриче-

2. Импульсный режим позволяет ослабить влияние температуры и разброса параметров полупроводниковых приборов на работу устройств. Это объясняется уменьшением энергии, выделяемой в элементах импульсного устройства. Разброс параметров не отражается существенно на работе импульсных устройств в связи с тем, что полупроводниковые приборы в них работают, как правило, в ключевом режиме, предполагающем два крайних состояния: «Включено» — «Выключено».

Рост сопротивления монокристаллических позисторов при увеличении температуры объясняется уменьшением подвижности носителей зарядов за счет рассеяния их энергии при тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки.

2. Световая, или люкс-амперная, характеристика представляет зависимость фототока ^А = ^св~^тот Осве14енности фоторезистивного слоя / ^ = = /(?) . Нелинейность зависимости / ^ = f(E) ( 7.4,5) объясняется уменьшением времени жизни и подвижности носителей зарядов при увеличении освещенности.

Полые влагозащитные оболочки позволяют освободить защищаемые компоненты от механического контакта с оболочкой, что обеспечивает работу в более широком диапазоне температур и исключает химическое взаимодействие оболочки и защищаемого компонента. Полые оболочки, особенно из неорганических материалов, обеспечивают более высокую надежность влагозащиты, но имеют значительные габариты, массу, стоимость. Наиболее эффективно использование полых оболочек для групповой герметизации бескорпусных компонентов в составе блока. Это объясняется уменьшением длины герметизирующего шва (по сравнению

Вид частотных характеристик релаксационной поляризации, показанных на 9-7, физически объясняется уменьшением полупериода напряженности электрического поля по мере увеличения частоты. При низкой частоте полупериод Т/2 велик, релаксационная поляризация успевает полностью развиться, вектор поляризации совпадает по фазе с напряженностью поля и вещественная часть диэлектрической проницаемости наибольшая: еп ~ вм -(- Дерел и tg бп = 0. С ростом частоты поляризация не успевает завершиться за половину периода. Уже при частоте релаксации со„ = 1/т полупериод Т/2 = лт и поляризация заметно отстает по фазе.

Семейство стоковых характеристик полевого транзистора с р — «-переходами приведено на 58, а. Семейство характеристик снимается для нескольких значений напряжения U3a. При ?/зи = 0 увеличение напряжения ?/Си приводит к росту тока стока /с1. Вначале зависимость /с— /(С/си) будет близка к линейной (участок ОА). Однако с возрастанием тока /с увеличивается падение напряжения на сопротивлении канала, что ведет к росту обратного смещения р — n-перехода. Обратное напряжение на р — «-переходе увеличивается в направлении от истока к стоку. Соответственно ширина р — n-перехода в этом направлении растет, а токопроводящий канал сужается, что замедляет рост тока. В итоге ширина проводящего канала (около стока) сужается и становится почти равной нулю (см. штриховые линии и точку О на 53). Это приведет к отсечке тока в стоковой цепи. При этом на характеристике, начиная с точки А, получается почти горизонтальный участок. На этом участке увеличение напряжения Uca не приводит к росту тока /с. Такой режим называется насыщенным, а напряжение (7си.нас, при котором он наступает, — напряжением насыщения. С увеличением отрицательного напряжения на затворе характеристики тока стока будут располагаться ниже характеристики при С/зи=0. Это объясняется уменьшением сечения канала ввиду роста толщины

ность пропорциональна квадрату магнитной индукции или квадрату напряжения сети, питающей асинхронный двигатель, трансформатор и т. п. Однако в действительности магнитное сопротивление асинхронного двигателя или трансформатора не остается неизменным, а зависит от напряжения. Анализ экспериментальных данных показывает, что при сравнительно высоких расчетных магнитных индукциях у современных электрических машин увеличение реактивной мощности асинхрюнного двигателя или трансформатора при повышении напряжения в питательной сети растет быстрее, чем это соответствовало бы квадрату отношения напряжений или магнитных индукций, что объясняется уменьшением магнитной проницаемости ц при увеличении напряжения вследствие насыщения магнитной цепи.

зависящих от активных сопротивлений статора и роторной цепи; чем больше сопротивление роторной цепи, тем меньше потери в статоре асинхронного двигателя. Уменьшение потерь в статоре с ростом вторичного сопротивления объясняется уменьшением пускового тока.

Интересно отметить, что при использовании в аналоговом ключе (ПТ) с управляющим переходом удается реализовать большие значения Ап, чем в случае использования МДП транзистора. Это объясняется уменьшением емкости Сси при подаче к /?-/7-переходу «затвор — канал» запирающего напряжения. Эффект аналогичен наблюдаемому в варикапе.

2. При использовании . импульсного режима может быть расширен температурный интервал работы полупроводниковых приборов и снижены требования к разбросу их параметров. Первое объясняется уменьшением энергии, выделяемой в полупроводниковых элементах устройства, второе — использованием ключевого режима. Разброс параметров может привести к некоторому искажению формы импульсов, однако это не является существенным, если в данном случае не искажается информация, заключенная в определенном сочетании импульсов. Указанная особенность объясняет повышенную помехоустойчивость импульсной электронной аппаратуры.

что точность работы выпрямителя снижается с увеличением частоты, это объясняется уменьшением Ни с ростом частоты.