Обеспечивает изменение

ектирование ТП или определяемыми структурой изделия выбора технологического оснащения и инструмента. Бл ж ния нормативно-технических и экономических параметр ций и СТО. Блок 9 обеспечивает анализ состава СТ' к видам оборудования (автоматическое, полуавтомата1 реализующее технологические операции, полностью ав ние передается блоку 8. При наличии полуавтомати реализующего технологические операции, осуществлж Блок 10 служит для формирования структуры рабочег го. Блок 11 обеспечивает формирование организацией и монтажа с учетом реализации его на АСТО, оценку нирования ТС сборки и монтажа, оптимизацию органи; раметров ТС сборки. Блок 12 обеспечивает формиро вателя форме сообщений об ошибках в исходных дайных Блок 13 производит формирование технологической до! ным формам выходной информации и справочных све рования. Блок 14 служит для формирования маршрут гической карты и перфолент для станков с ЧПУ.

торных областей БТ и областей для размещения компонентов БИС. На 3.13, а, в приведены соответственно топология и структура БТ типа п-р-п с вертикальной структурой. Кроме этого вида БТ метод обеспечивает формирование компонентов всех видов, которые могут быть созданы в ИМС с изоляцией р-я-перехо-дом. Реализуемая структура является наиболее универсальной из всех известных и позволяет достичь максимальной плотности компоновки за счет самосовмещения областей.

После организации вызова программы совмещения графической и текстовой информации в той же строке основной программы (строка 5100) предусмотрен выбор графического режима высокого разрешения и белого цвета для изображения схемы. Графический режим задается оператором HGR, высокое разрешение - цифрой 3 в записи: HGR=3. Белый цвет изображения обеспечивается записью: COLOR=15. Остальная часть подпрограммы обеспечивает формирование схемы электрической цепи без буквенно-цифровых обозначений входящих в нее элементов. Для формирования схемы использован оператор PLOT.

В исходном состоянии на зажим ?упр подается сигнал О В, что обеспечивает формирование сигналов логического нуля на выходе схемы И и логической единицы на выходе схемы И — НЕ. Конденсатор С заряжается по цепи: О В, схема И, конденсатор С, резистор R, выход схемы И — НЕ. В таком состоянии он может находиться до момента включения.

Использование однослойного титанового контакта невозможно, так как титан имеет высокое удельное сопротивление (5,8-10"7 Ом-м) и быстро окисляется. Слой титана, нанесенный на поверхность кремния, обеспечивает формирование невыпрямляющего контакта и является адгезионным для наносимого на него последующего слоя металла. Титановые пленки применяют при формировании многослойных омических контактных систем на кремнии, таких, как Si - Ti — Аи, Si -Ti - Mo - Аи, Si - Ti - Mo - Cr - Аи и др.

Тактовый генератор обеспечивает формирование импульсов тока ампли-тудой /т = (2 ± 0,2) А и длительностью tu = 3 мкс.

В качестве формирователя импульсов тока обычно используется бесконтактный ключ, выполненный на транзисторе либо тиристоре. В выходную цепь ключа включается источник питания Е, ограничитель амплитуды выходного импульса тока Огр и нагрузка Н ( 3-1). Во входную цепь включается схема, управляющая работой ключа. Схема управления ключом выполняет функции отделения полезного сигнала от помехи на входе формирователя и обеспечивает формирование длительности выходного импульса. В некоторых случаях схема управления ключом формирователя выполняет также функцию памяти. В формирователях, рассматриваемых в настоящей главе, схемы управления ключом содержат импульсный трансформатор на магнитном сердечнике с прямоугольной либо непрямоугольной петлей гистерезиса.

Четвертая диффузия, проводимая без маски, обеспечивает формирование тонкого р-слоя по всей поверхности пластины. Этот слой служит базой для транзисторных структур и проводящим слоем для резисторов (сопротивление последних определяется удельной проводимостью р-слоя и размерами областей, формы которых вырисовываются при диффузии п+ -примесей). На пятом, заключительном этапе проводится неглубокая диффузия примеси «-типа в р-слой, с помощью которой создается эмиттер транзистора. При этом поверхностный р-слой оттесняется в глубь эпитаксиального р-слоя, образуя активную область базы с неравномерным распределением примесей, благодаря чему в базе возникает встроенное электрическое поле, способствующее повышению быстродействия транзистора.

Одна из возможных конструкций светодиода показана на 14-23, а. Линза, в основании которой размещен монокристалл полупроводника . с р-п переходом, обеспечивает формирование диаграммы направленности излучения с шириной ±20°.

2. Разрядный транзистор 77 обеспечивает формирование импульсов с амплитудой С/вых>„и коэффициентом нелинейности меньше е в заданных частотном и температурном диапазонах. Следовательно, на основании соотношений (8.12), (8.13) — (8.17) его параметры должны удовлетворять следующим условиям:

Одна из возможных конструкций светодиода показана на 14-23, а. Линза, в основании которой размещен монокристалл полупроводника . с р-п переходом, обеспечивает формирование диаграммы направленности излучения с шириной ±20°.

двоичной разрядности (первый разряд обеспечивает изменение фазы на Д\), второй на 2Дгр, третий — на 4Ах) и т. д.) [34].

Оптимальной формой управляющих сигналов для тиристоров является короткий импульс с крутым фронтом. Такая форма позволяет уменьшить нагрев управляющего электрода тиристора, а также обеспечить за счет высокой крутизны управляющего импульса четкое отпирание тиристора. Для формирования подобных импульсов и их сдвига во времени служат специальные импульсно-фазовые системы управления. Изменение угла управления осуществляют ручным или автоматическим способом, что обеспечивает изменение выпрямленного напряжения в требуемых пределах.

вает большие значения токов в проводящем направлении и ничтожно малые — в обратном. Такой диод обладает выпрямительными свойствами. Диэлектрические триоды в отличие от диодов .имеют третий электрод, аналогичный сетке в электровакуумном Tpf оде. Этот электрод помещают вне диэлектрика, что обеспечивает изменение распределения потенциала в последнем.

определяется в соответствии с углом наклона зависимости In Ар(д:, г/о, ^о) в функции от х2. Неравенство (3.18) позволяет получить критерий, ограничивающий возможные изменения величин*, t0 и ш. Если, например, измерения проводятся до значения х= =4 У^О^, обеспечивает изменение концентрации в несколько десятков раз, то (3.18) обусловливает следующее соотношение между w и /о:

Рассмотрим структуру преобразователя, показанную на 3.33. В данной модификации электроды расположены под углом а=3ч- 10° друг к другу, что обеспечивает изменение расстояния между противофазными электродами в пределах их апертуры от /mjn до /тах. В результате частота возбуждаемого сигнала изменяется соответственно от /тах до /min, где/тах=и/(2/т1п); /min=f/(2/max)- Ширина полосы пропускания преобразователя AF=(y/2)[(/max — /min)/'max'minl- Значение шага h в пределах апертуры определяет ширину полосы пропускания, а выбранное число пар электродов — оптимальное его согласование с внешними цепями.

Применение сердечников обеспечивает изменение заданной индуктивности в требуемых пределах (на AL). Достоинствами немагнитных сердечников являются повышенная температурная стабильность индуктивности катушки и возможность использования при высоких рабочих частотах, недостатками — малые пределы ре-

Блок 9. Режимы работы с программой после прерывания по номеру 375 (строки 860-930). Блок 9 обеспечивает изменение текущего режима работы с программой после прерывания работы по номеру U = 375. Работа блока проходит в следующей последовательности:

При диагностике цепи обобщенным методом узловых сопротивлений не обязательно подсоединять к каждому узлу многополюсника регулируемый источник питания. Некоторые узлы можно соединять с базисным или с любым другим узлом просто через регулируемый резистор ( 8.4,6), изменение которого обеспечивает изменение задающих токов. Разрывая или закорачивая ветви с такими резисторами, в отдельных экспериментах можно обеспечить и достижение предельных значений (0 и оо) их проводимостей (см. пример

Скрайбирование обычно производят на специализированных установках полуавтоматического типа. Установки снабжены шаговым двигателем, который обеспечивает изменение

Если источник обеспечивает изменение напряжения, пропорциональное частоте, т. е. если U/f=const, то характеристики имеют вид, представленный на 2-32,6. Считая, что частота и, следователь-Ill

Таким образом, следящая система обеспечивает изменение параметра Квых по закону, близкому к закону изменения параметров Явх, при изменении Явх в определенных пределах и с допустимой скоростью.