Отсутствии напряжения

Частота немодулированной несущей /о=28 МГц, емкость конденсатора при отсутствии модуляции Со = ЗОпФ. Частота модуляции F=Q/(2n)—2 кГц; индекс модуляции т=0.4. Вычислите амплитуду изменения емкости Ст, обеспечивающую заданные параметры сигнала.

где 2эк и Q3K — эквивалентные добротности колебательного контура усилителя при наличии и отсутствии модуляции емкости. Проводимость, учитывающая влияние накачки,

где а — некоторый постоянный коэффициент пропорциональности; t/mo — первоначальное значение амплитуды, которое получается при отсутствии модуляции, т. е, при а = 0 или U) (0=0.

При 7г = 0, т. е. при отсутствии модуляции, / = /0//"2, так как при этом ток i изменяется по синусоидальному закону. При

При рассмотрении вопроса о мощности амплитудно-моду-лированных колебаний следует различать мощность колебаний высокой частоты при отсутствии модуляции РО и мощность при модуляции, которая изменяется от максимального PiraaK до минимального Pimjn значений. Мощность Р0, 'Развиваемая на нагрузке R, может быть определена по формуле Джоуля -Ленца:

колебание н^С/щзЩшоН-'я/зтШ+Фо), а к пластинам X — напряжение от вспомогательного генератора G2 ы2 = ?/ма sin (Hot через регулируемый фазовращатель. При отсутствии модуляции

Можно заметить, что при М = 0 (при отсутствии модуляции) в правой части (3.54) остаются только первые два слагаемых, которые образуют спектр Л„(ю) исходной периодической последовательности прямоугольных импульсов «п(0- Благодаря модуляции,

Изменение амплитуды UK высокочастотного напряжения с помощью диода Д преобразуется в низкочастотное напряжение, которое выделяется на апериодической нагрузке R,C. Отметим попутно, что при точной настройке контура на частоту сор = а>0 сигнал искажается; частота изменения огибающей получается вдвое выше частоты полезной модуляции. В исходном режиме, т. е. при отсутствии модуляции, рабочая точка должна устанавливаться на скате резонансной кривой.

При амплитудной модуляции полная мощность излучения РАМ = Р0(1 --0,5/п), где РО — мощность излучения в режиме молчания при отсутствии модуляции (т = 0). Следовательно, при максимально допустимой глубине модуляции (т = 1) мощность боковых составляющих, в которых содержится передаваемая информация, равна трети излучаемой мощности, что является основным недостатком амплитудной модуляции. Поэтому ее применяют только в радиовещании для передачи звуковой информации. В телевидении для передачи сигналов изображения также применяют амплитудную модуляцию, но с частичным подавлением одной боковой полосы. В радиосвязи применение амплитудной модуляции в чистом виде запрещено, так как, во-первых, передающая станция занимает слишком широкую полосу частот и, во-вторых, бесполезно излучается большая часть мощности, не содержащая информации.

При т = О, т. е. при отсутствии модуляции, / - /0/V2, так как при этом ток г изменяется по синусоидальному закону. При т - 1, т. е. при стопроцентной модуляции, / = -jL->fi5. V2

При тЛМ = 100% возникает перемодуляция, в результате которой сигнал искажается. При отсутствии модуляции /иЛМ=0.

где о)0 — средняя круговая частота колебаний при отсутствии модуляции; nif- ~ Дсо/Q — индекс модуляции, определяемый отношением девиации частоты к модулирующей частоте Q

При отсутствии напряжения (U = 0) основные и неосновные носители распределены равномерно в объеме полупроводника ( 10.5). При указанной на 10.6 полярности напряжения (U > 0) в слое полупроводника на его границе с вакуумом под действием электрического поля концентрация электронов возрастает. Одновременно снижается концентрация дырок за счет усиления рекомбинации. Остальная часть полупроводника остается электрически нейтральной. Пограничный слой с избытком основных носителей называется обогащенным слоем. Его удельная проводимость велика.

В МДП-транзисторах, с индуцированным каналом n-типа используется подложка из полупроводника р-типа, в которой создаются две области полупроводника и-типа для стока и истока. Вследствие контактных явлений на границе раздела диэлектрика и подложки в приграничном слое последней индуцируется инверсный слой (см. 10.10), т. е. канал и-типа. Этот канал соединяет между собой области стока и истока при отсутствии напряжения ?/3^ =0. При увеличении напряжения t/2^ > 0 индуцированный канал обогащается электронами, при умень-

теристики получают при подаче входного напряжения на один из входов при отсутствии напряжения на другом входе.

10.7. Определить полосу пропускания контура параметрического усилителя при наличии и отсутствии напряжения накачки. Коэффициент модуляции емкости /ис = 0,05, общая проводимость потерь контура (7Н = (/,== 2 • 1(Г3 См, резонансная частота контура о)0 = 109 рад/с, емкость контура в отсутствие напряжения накачки С0 = 50пФ. Усилитель работает в синхронном режиме.

Рассмотрим процессы рекомбинации и генерации, протекающие в области р — n-перехода (в области объемного заряда) при отсутствии напряжения на контакте, а также при приложении напряжения в прямом и запирающем направлении. Контактная разность потенциалов р— /г-перехода создает электрическое поле, которое уносят носители заряда, генерированные с помощью центров рекомбинации. В результате через р — /г-переход протекает ток, называемый током генерации. При отсутствии на р — «-переходе внешнего напряжения ток генерации уравновешивается током рекомбинации, который обусловлен носителями заряда, попадающими в область объемного заряда и рекомбинирующими в этой области через центры рекомбинации. При наличии напряжения на переходе такое равновесие нарушается.

Если в коллекторную цепь ( 6.3) включить нагрузочное сопротивление Rn, то при отсутствии напряжения на коллекторном переходе полезная мощность в нагрузке не выделяется, т. е. усиления не происходит. Чтобы обеспечить усиление, на коллекторный переход необходимо подать запирающее отрицательное напряжение (/КБ. что приведет к возрастанию потенциального барьера коллекторного перехода ( 6.2, в).

Для того чтобы не допустить аварии, включение трансформаторов проводят в определенном порядке (по специальной инструкции), причем обязательна контрольная проверка, например, с помощью вольтметра V (во вторичной цепи). Выключатель, к зажимам которого присоединен вольтметр, замыкают последним, но только при отсутствии напряжения между зажимами выключателя.

транзистора ТЗ. При отсутствии напряжения на входе устройства транзистор Т1 закрыт, а ТЗ — открыт. При появлении на входе устройства сигнала с амплитудой, превышающей порог срабатывания, транзистор 77 открывается, а ТЗ — закрывается. Порог срабатывания устройства, равный половине амплитуды выпрямленного входного сигнала, устанавливается потенциометром R6.

При отсутствии напряжения (U = 0) основные и неосновные носители распределены равномерно в объеме полупроводника ( 10.5). При указанной на 10.6 полярности напряжения (U > 0) в слое полупроводника на его границе с вакуумом под действием электрического поля концентрация электронов возрастает. Одновременно снижается концентрация дырок за счет усиления рекомбинации. Остальная часть полупроводника остается электрически нейтральной. Пограничный слой с избытком основных носителей называется обогащенным слоем. Его удельная проводимость велика.

В МДП-транзисторах с индуцированным каналом n-типа используется подложка из полупроводника /?-типа, в которой создаются две области полупроводника n-типа для стока и истока. Вследствие контактных явлений на границе раздела диэлектрика и подложки в приграничном слое последней индуцируется инверсный слой (см. 10.10), т. е. канал n-типа. Этот канал соединяет между собой области стока и истока при отсутствии напряжения 1/зи = 0. При увеличении напряжения 1/зи > 0 индуцированный канал обогащается электронами, при умень-

При отсутствии напряжения (U = 0) основные и неосновные носители распределены равномерно в объеме полупроводника ( 10.5). При указанной на 10.6 полярности напряжения (U > 0) в слое полупроводника на его границе с вакуумом под действием электрического поля концентрация электронов возрастает. Одновременно снижается концентрация дырок за счет усиления рекомбинации. Остальная часть полупроводника остается электрически нейтральной. Пограничный слой с избытком основных носителей называется обогащенным слоем. Его удельная проводимость велика.