Отсутствие освещения

Поэтому у современных буровых лебедок основанием для применения многодвигательного электропривода могут служить только конструктивные причины (необходимость транспортировки самолетом или вертолетом мелких блоков, исключение параллельной работы генераторов переменного тока, слишком большая масса одного двигателя). Однако для большей части буровых установок с электроприводом не существует конструктивных ограничений, исключающих однодвигательный вариант. Реализация основных преимуществ однодвигательного электропривода перед двухдвигательным (меньшие капитальные затраты, масса оборудования и занимаемая площадь, более высокий к. п. д. и отсутствие необходимости в выравнивании нагрузки) обеспечивает значительный экономический эффект.

Реализация основных преимуществ однодвигательного электропривода перед двухдвигательным, к которым относятся в первую очередь меньшие капитальные затраты, масса обору-довйния и занимаемая площадь, более высокий к. п. д., большая надежность и отсутствие необходимости в выравнивании нагрузки, обеспечивает значительный экономический эффект.

отсутствие необходимости теплоотвода от подшипникового узла. Отличие ГСП от гидродинамических подшипников заключается в том, что давление жидкости в несущем слое ГСП создается внешним источником, которым может служить рабочее колесо ГЦН, если теплоноситель подается с его нагнетания, или специальная система с подпиточным насосом. Если жидкость подводится от постороннего источника, то несущая способность ГСП не зависит от частоты вращения вала, т. е. от развиваемого рабочим колесом напора. С эксплуатационной точки зрения предпочтительным является первый вариант питания ГСП, хотя при пусках и остановках ГЦН происходит касание рабочих поверхностей. Для уяснения принципа работы ГСП рассмотрим 7.27. Коллектор 3 соединен отверстием 2 со стороной высокого давления, а по торцам А и В — со стороной низкого давления источника питания

Заряд батарей при постоянном напряжении источника электроэнергии характерен тем, что напряжение источника электроэнергии поддерживают в течение всего времени заряда, а ток заряда при этом постепенно уменьшается. Положительными особенностями заряда батарей при постоянном зарядном напряжении по сравнению с зарядом при постоянном токе являются: отсутствие необходимости регулировки, контроля значения тока заряда, отсутствие обильного газовыделения и перезаряда батарей. Основные недостатки: степень заряженное™ может достигнуть только 95— 97 % номинальной емкости; неравномерность загрузки зарядного источника вследствие значительного снижения зарядного тока к концу заряда. Заряд при постоянном напряжении без обильного газовыделения свинцовых стартерных батарей проводят при напряжении

Основная трудность при изготовлении преобразователей на основе ПЗС-структур заключается в технологии, в частности в процессах фотолитографии. Дефекты технологии, ведущие к неправильности хотя бы одной ячейки, вызывают потери информации от половины столбца или от половины^ кадра. Несмотря на указанные трудности, уже созданы преобразователи свет — сигнал, обеспечивающие разрешающую способность 512X320 элементов. Высокая надежность и стабильность, отсутствие необходимости совмещения растров, малые масса и габариты, высокие чувствительность и отношение сигнал/шум— все это делает приборы на ПЗС-структурах одними из наиболее перспективных и стимулирует ускорение их разработок.

является отсутствие необходимости установки уравнительных соединений. Это объясняется тем, что секции волновой обмотки выполняют роль уравнительных соединений первого рода для: петлевой обмотки, а секции петлевой обмотки — роль уравнительных соединений второго рода для сложной волновой [23, 28].

К достоинствам алгоритма можно отнести универсальность и отсутствие необходимости вычислять матрицу Якоби системы. Поэтому он может применяться для обработки больших систем. Ограничением при использовании алгоритма является то, что число фильтруемых составляющих в больших системах должно быть много меньше их порядка.

Различают полупроводниковые и газоразрядные стабилитроны (ста-биливольты). Полупроводниковые стабилитроны (кремниевые стабилитроны) находят более широкое применение, так как по сравнению с. газоразрядными они имеют ряд преимуществ. Сюда следует отнести: малые размеры и массу, возможность микроминиатюризации, отсутствие необходимости в зажигании (напряжение зажигания выше рабочего), отсутствие на вольт-амперной характеристике участка с отрицательным наклоном, отсутствие эффекта старения. Однако кремниевые стабилитроны имеют сравнительно с газоразрядными на порядок

Основными достоинствами ЖМК являются малое переходное сопротивление, отсутствие необходимости в контактном нажатии, отсутствие отбрасывающих электродинамических сил в переходном контакте, отсутствие дребезга, сваривания и залипания контактов, возможность работы при больших внешних давлениях, высоком вакууме, высоких температурах, высокая механическая и коммутационная износостойкость. Свойства текучести жидкого металла позволяют создавать коммутационные устройства на новых принципах действия. Имеются пути миниатюризации контактных аппаратов как в направлении уменьшения габаритов приводных механизмов, так и в направлении повышения уровня допустимых температур в месте контактирования.

Следует подчеркнуть, что при применении гидравлической системы прижима можно использовать гидропривод и для перемещения электродов и питать обе системы от общей напорной установки. Важно также то обстоятельство, что переход на гидравлическую систему перемещения электродов вследствие изменения общей компановки (отсутствие необходимости в площадке или этажерке для установки лебедок) позволяет уменьшить на 4—5 м высоту здания цеха и получить заметную экономию затрат на строительство цеха.

Особенностью рассматриваемло примера является отсутствие необходимости вычисления моментов внешних сил трения, что учитывается при использования всех указанных выше программ и подпрограмм для идентификации всех пяти масс.

В первом режиме используется фотогальванический эффект —• разновидность внутреннего фотоэффекта, связанная с образованием разности потенциалов (фото-э. д. с.) при освещении неоднородного полупроводника. Фотодиоды, как и обычные полупроводниковые диоды, состоят из двух примесных полупроводников с различными типами электропроводности, на границе между которыми создается p-n-переход ( 4.6). Фотодиоды изготовляют из германия, кремния, селена, арсенида галлия, арсенида индия, сульфида кадмия и других полупроводниковых материалов. Обычно устройство фотодиодов таково, что световой поток при освещении прибора направлен перпендикулярно плоскости р-л-перехода ( 4.6). В отсутствие освещения и внешнего источника электрической энергии в области р-п-перехода возникает, как и в любом полупроводниковом диоде, потенциальный барьер, обусловленный неподвижными носителями заряда — положительными ионами в я-области и отрицательными ионами в р-области.

Аналогично обычным тиристорам фототиристоры изготовляют, как правило, из кремния в виде структуры р-п-р-п ( 4.14). Источник напряжения подключают к фототиристору таким образом, чтобы напряжение на переходы П± и П3 подавалось в прямом направлении, а на переход /72 — в обратном. В отсутствие освещения работа фототиристора не отличается от работы обычного тиристора.

65. Обратные ветви вольт-амперной характеристики фотодиода в отсутствие освещения (?) и при световом потоке Ф (2)

Освещение полупроводника светом не приводит к бесконечному росту концентрации неравновесных носителей заряда, так как по мере роста концентрации свободных носителей и числа свободных мест на примесных уровнях растет вероятность рекомбинации. Наступает момент, когда рекомбинация уравновесит процесс генерации свободных носителей. Избыточная (неравновесная) удельная проводимость, равная разности удельных электрических проводимо-стей полупроводника при освещении у и в отсутствие освещения уо> называется удельной фотопроводимостью у$:

Темповое сопротивление — это сопротивление фоторезистора в отсутствие освещения. Темновое сопротивление принято определять через 30 с после затемнения фоторезистора, предварительно находившегося под освещенностью 200 лк. Обусловлено это инерционностью опустошения ловушек захвата после прекращения освещения. Например, у фоторезисторов ФСК.-1 отношение темновых сопротивлений, измеренных после затемнения через 30 с и через 16 ч, может достигать трех порядков.

Положим, что п0 и pQ — концентрации равновесных носителей в собственном полупроводнике. Тогда его равновесная проводимость (в отсутствие освещения) равна:

Положим, что п0 и pQ — концентрации равновесных носителей в собственном полупроводнике. Тогда его равновесная проводимость (в отсутствие освещения) равна:

Вольт-амперная характеристика отражает зависимость тока, проходящего в цепи фотоприемника, от напряжения на нем. Световой (общий) ток 1=1-г-\-1ф, где /т — ток в отсутствие- освещения; /ф — фототок.

Рассмотрим работу транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) при отключенной базе в отсутствие освещения (см. 4.7). Поскольку коллекторный р — /г-переход включен в обратном направлении, все приложенное напряжение падает на нем и после включения ток в цепи равен обратному току отдельно взятого коллекторного перехода /кбо- Этот ток состоит из тока дырок из базы в коллектор и тока электронов из коллектора в базу. Уход из базы дырок и приход в нее электронов приводят к образованию отрицательного заряда в базе. Вследствие этого потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается и для компенсации отрицательного заряда в базу из эмиттера входят дырки. Обозначим через Лгш коэффициент передачи (усиления) эмиттерного тока транзистора: /?21Б=(/кДэ)у =const-

Пренебрегая падением напряжения на р—п-переходе, выражение для коэффициента усиления можно записать в виде [52]: /Сиу=/сРо/(/сро—Л, где /сРо — плотность тока срыва в отсутствие освещения. Вблизи точки срыва /Cg==2, //ср усиление может быть очень большим.

Влияние освещения иллюстрируется схематической моделью фототиристора, приведенной на 4.9,е. В отсутствие освещения и при /у = 0 ток через структуру определяется формулой (8.9). При освещении прибора происходит генерация электронно-дырочных пар. Под действием поля перехода П2 электроны из области р2 переходят в область ti\. Разделяются также носители, возникшие в области П\. Можно считать, что в увеличении тока принимают участие все фотовозбужденные носители, за исключением тех, которые рекомбини-руют у поверхности. Для этого необходимо такое соотношение толщин слоев и диффузионных длин носите-