Отрицательное относительно

входного сигнала. В этом случае переменная составляющая анодного тока почти полностью проходит через емкость, т. е. напряжение на сопротивлении RK определяется только постоянной составляющей /ао. Таким образом, на сетку подается отрицательное напряжение смещения

Пусть на сетку электронного триода подано отрицательное напряжение смещения (—?со), причем по абсолютной величине оно настолько велико, что при отсутствии переменного сеточного напряжения триод заперт и анодный ток равен нулю. Аппроксимируем характеристику триода ломаной линией ( 5-18). В случае косинусоидального сиг-

При активной нагрузке RH и бесконечной мощности источника в любой момент времени проводят ток два диода: один из четной группы, который имеет наибольшее положительное напряжение, а другой из нечетной группы, у которого наименьшее напряжение (наибольшее отрицательное напряжение). На 3.24, б показаны фазные напряжения источника iiA, uB, uc. От точки а до точки b работают диоды 2 и 3, а диоды 1, 4, 5,6 отключены, затем диод 2 выходит из проводящего состояния, а диод 6 открывается, так что проводят ток диоды 3 и 6 и т. д. Переключение диодов происходит в точках пересечения синусоид фазных напряжений. Так как любые два диода включены на линейное напряжение, выпрямленное напряжение на нагрузке получается как разность кривых фазных напряжений на участках (сплошные кривые на 3.24,6), на которых в проводящем состоянии находятся соответствующие вентили и показаны номера диодов, проводящих ток. Выпрямленное напряжение имеет шестикратные

На интервале // при положительном напряжении на тиристоре подан управляющий сигнал (тиристор открывается), чему соответствует участок В. На интервале /// к тиристору приложено отрицательное напряжение, а ток через тиристор при wt = n в начале этого интервала проходит через нулевое значение, в результате чего тиристор закрывается (участок С).

Вольт-амперные характеристики полевого транзистора приведены на 1.29. Здесь зависимости тока стока /с от напряжения при постоянном напряжении за затворе ?/зи определяют выходные, или стоковые, характеристики полевого транзистора ( 1.29, а). На начальном участке характеристик ?/си+?/3и1<^зап ток стока /с возрастает с увеличением t/cil. При повышении напряжения сток — исток до ?/си~^зап—1^эи1 происходит перекрытие канала и дальнейший рост тока /с прекращается (участок насыщения). Отрицательное напряжение ?/зи между затвором и истоком смещает момент перекрытия канала в сторону меньших значений напряжения ?/си и тока стока /с. Участок насыщения является рабочей областью выходных характеристик полевого транзистора.

Если к инвертирующему входу приложено достаточно большое отрицательное напряжение (Увх, то выходное напряжение компаратора /Увых=(/вых шах. При этом напряжение прямого входа

Если в коллекторную цепь ( 6.3) включить нагрузочное сопротивление Rn, то при отсутствии напряжения на коллекторном переходе полезная мощность в нагрузке не выделяется, т. е. усиления не происходит. Чтобы обеспечить усиление, на коллекторный переход необходимо подать запирающее отрицательное напряжение (/КБ. что приведет к возрастанию потенциального барьера коллекторного перехода ( 6.2, в).

При изменении полярности (/КБ ток /к резко уменьшается до нуля при значениях (/КБ порядка десятых долей вольта. Это объясняется тем, что отрицательное напряжение (/КБ противодействует диффузии носителей заряда от эмиттера к коллектору. Дальнейшее увеличение (/КБ в отрицательном направлении опасно, так как может привести к пробою перехода. При достижении напряжения пробоя происходит лавинообразное увеличение тока коллектора.

Усиление сигналов ( 7.7) под действием двух электрических полей: продольного (созданного источником ?2) и поперечного (созданного источником Ег), создает отрицательное напряжение на затворе, что приводит к увеличению толщины р—п-перехода и к уменьшению сечения канала. С уменьшением сечения канала увеличивается сопротивление между истоком и стоком и уменьшается величина тока /с. Уменьшение напряжения на затворе вызывает уменьшение сопротивления канала и возрастание тока /с. Следовательно, ток, протекающий через канал, можно модулировать сигналами, приложенными к затвору.

По конструктивному выполнению такие тиристоры отличаются от однооперационных тем, что у двухоперационных тиристоров управляющий электрод выполнен распределенным, что позволяет регулировать эффективность инжекции с катодного управляющего перехода по всей площади. Физическая сущность процесса выключения заключается в том, что для отключения тиристора на управляющие электроды подается отрицательное напряжение. В результате снижается эмиттерный ток и тиристор выключается.

Тактовые импульсы с частотой задающего генератора воздействуют на бинарный делитель (триггеры Тг1 и Тг2). В зависимости от состояния триггеров делителя отрицательное напряжение с коллекторов транзисторов триггера действует либо на прямых, либо на инверсных (на схеме обозначен кружочком) выходах триггера. Обозначим состояние триггера, когда на прямом выходе действует отрицательное напряжение, и на инверсном выходе — нулевое напряжение, через 1. Противоположное состояние обозначим через 0.

Рассмотрим работу транзистора типа р-п-р в так называемой схеме с общей базой. При отсутствии внешних напряжений токи через р-п переходы отсутствуют. Если на эмиттер подать напряжение, положительное относительно базы, а на коллектор — отрицательное относительно базы ( 5-8), то потенциальный барьер в эмиттер-ном р-я-переходе уменьшится на величину приложенного напряжения, а в коллекторном переходе — увеличится (так же как и в полупроводниковых диодах — § 1-3).

В операционных усилителях стремятся не только обеспечить совпадение уровней постоянной составляющей выходного и входного сигналов, но и к тому, чтобы в исходном состоянии эти уровни были близки к нулю, тогда подача входного сигнала между одним из входов и шиной нулевого потенциала значительно облегчается. В этом причина того, что ОУ обычно питаются от двуполярных источников, т. е. источников, обеспечивающих положительное и отрицательное (относительно нулевой точки) напряжения.

Управляющая сетка (модулятор) С, на которую подается отрицательное относительно катода напряжение, служит для регулировки яркости изображения. При до-

откуда [/зи = 3,83 В (отрицательное относительно истока).

а исток И и сток С имеют п+-проводимость и получены диффузионным способом. Исток И и сток С соединены сравнительно тонким каналом ^С с незначительной n-проводимостью. Если на затвор подано отрицательное (относительно основания) напряжение, то электроны проводимости вытесняются из п-канала в основание О и проводимость канала уменьшается, вплоть до полного обеднения и запирания канала (что хорошо видно из рассмотрения зависимости /с от напряжений Ua и Uc, приводимых на 19, д). При подаче на затвор положительного напряжения n-канал обогащается электронами и проводимость его увеличивается. Если подается отрицательное напряжение, то канал обедняется носителями заряда и его проводимость уменьшается (кривые 1 и 2).

Поверхность катода покрывается оксидными веществами, легко отдающими электроны при подогреве с помощью НН. На сетку, имеющую форму цилиндра с отверстием в торце, подается отрицательное относительно катода и регулируемое напряжение, которое используется для изменения количества электронов в луче и регулирования за счет этого яркости пятна на экране. Указанная регулировка выносится на переднюю панель осциллографа и снабжается надписью «Яркость».

На 9.32 показана электрическая схема, в которую входит электрохимический элемент памяти. Трехпозиционный переключатель Я служит для подключения трех видов операций — записи, считывания и стирания. При положении / переключателя на электроды / от батареи Е\ через резистор R\ подается отрицательное относительно электрода 4 напряжение. Происходит запись — в зазоре осаждается медь. При положении /// переключателя на электроды / подается положительное напряжение от батареи Е\. Происходит стирание — медь в зазоре растворяется. Положение // переключателя соответствует процессу считывания, когда к электродам / подключается измерительная схема, состоящая из источника э.д.с. EI и резистора Ri-Выходным сигналом служит падение напряжения ?/„ на резис-

Усилители воспроизведения представлены в виде прямоугольников УВ1 — УВ„. Каждый из У В предполагается выполненным по схеме 4-10. На общий вход Есм подается напряжение смещения (отрицательное относительно +?), определяющее порог срабатывания второго каскада УВ. На общий вход а подается отрицательный (относительно О) импульс напряжения, разрешающий срабатывание первых каскадов УВ.

Зависимость U,lop(l/u) усиливается с ростом концентрации приме»-сей в подложке, а также толщины диэлектрика. Влияние последней иллюстрируется графиками на 4.4. Сплошные линии соответствуют случаю, когда подложка соединена с общей шиной, тогда И\\ ~-= l/ип, U пор (0) -- t/nopo. штриховые-- случаю, когда на подложку подано напряжение смещения ?/п, отрицательное относительно общей шины. Тогда напряжение ?/ип ~; UH I ^п увеличивается для всех транзисторов микросхемы. Зависимость Unoj> (?/и)ослабевает, так

Рассмотрим работу транзистора типа р-п-р в так называемой схеме с общей базой. При отсутствии внешних напряжений токи через /7-п-переходы отсутствуют. Если на эмиттер подать напряжение, положительное относительно базы, а на коллектор — отрицательное относительно базы ( 5-8), то потенциальный барьер в эмиттерном р-п.-переходе уменьшится на величину приложенного напряжения, а в коллекторном переходе — увеличится (так же как ив полупроводниковых диодах —§1-3). .;..:.

и направления скачком изменить не может. Поэтому в первый момент времени после окончания импульса / = /(т). Затем ток начинает убывать по экспоненциальному закону, замыкаясь по цепи, показанной на рио. 2.28. Протекая через R3K, ток создает на нем падение напряжения, знаки которого показаны на рисунке, т. е. отрицательное относительно корпуса устройства. Амплитуда отрицательного «хвоста» напряжения Uml = /(т)#9к = Еэк(1 — е~т/в) = А.