Отрицательным сопротивлением

При отсутствии входного сигнала транзистор заперт отрицательным смещением на базу от источника ы„„2. При подаче на вход схемы положительного импульса (высокого уровня напряжения — логической «1») транзистор отпирается и на выходе появляется отрицательный импульс (низкий уровень напряжения — логический «О»).

Большую крутизну нарастания управляющего напряжения получают, применяя ис в форме импульса (пика). Пиковый, или, как его называют, импульсно-фазовый, способ управления тиратроном состоит в том, что на тиратрон, запертый постоянным отрицательным смещением ?/с_ ( VII.11, б и VII.12, д), подают положительные импульсы с амплитудой Ucm. Угол зажигания изменяется сдвигом импульса по фазе с помощью фазовращателя Фв, называемого также фазорегулятором и фазосдвигателем. Для получения импульсов служит пик-трансформатор ПТ ( VII.11, б). Импульсы могут быть получены также и от пик-дросселя или от других схем, использующих насыщенный сердечник.

Если на вход инвертора подан положительный единичный сигнал, то транзистор открыт и находится в режиме насыщения. На выход схемы НЕ поступает сигнал логический 0, близкий к потенциалу эмиттера транзистора. Если на вход схемы НЕ подается нулевой сигнал, то транзистор закрыт отрицательным смещением от источника Еб и на выходе схемы будет сигнал 1, близкий к потенциалу коллекторного источника питания.

Рассмотрим, как будет происходить этот процесс. Открытое состояние транзистора Г, поддерживается отрицательным смещением на базе, подаваемым от источника питания через резистор ЯБ1, а транзистор Т2 удерживается в закрытом состоянии положительным потенциалом на конденсаторе «С1, приложенным к базе, так как ucl » иБ2 (если пренебречь незначительным падением напряжения на сопротивлении насыщенного транзистора 7\).

Так, при работе с отрицательным смещением на управляющей сетке (без сеточного тока) коэффициент усиления каскада на пентоде определяется зависимостью (6.5), одинаково справедливой для любого электронного прибора, входное сопротивление которого можно считать бесконечно большим. Если положить Ri^>Ra, что имеет место для экранированных ламп (см. 7.За), то уравнение (6.5) для схемы на тетроде и пентоде примет вид

Блокинг-генератор мож ло использовать в режиме автогенерации и в заторможенном ждущем режиме. В последнем случае лампа закрыта дополнительным отрицательным смещением и срабатывает однократно с подачей пускового импульса.

Транзисторы с управляющим р-п переходом и с индуцированным каналом управляются потенциалом1'только одной полярности. Первый из них работает с отрицательным смещением, если канал я-типа, и положительным, если канал р-типа. Чтобы индуцировать канал л-типа, необходимо подать на затвор положительное смещение (притягивающее электроны в канал), а для наведения канала р-типа следует подать отрицательное смещение. Следовательно, указанные виды транзисторов с каналами одной и той же проводимости требуют смещения разной полярности.

Усилитель-ограничитель, в котором насыщение транзистора предотвращается при помощи нелинейной обратной связи, действующей через диод Дос ( 3.23), работает следующим образом. В отсутствие входного импульса диод закрыт отрицательным смещением ?/см = = — (Ен — Е&) и остается в таком положении до тех пор, пока потен-124

Использование комбинированной связи' в ПФ возможно при автоматическом регулировании полосы пропускания. В этом случае в качестве конденсатора параллельной емкостной связи применяют полупроводниковые диоды с отрицательным смещением.

в —спиральный испаритель; б — электронно-лучевой испаритель, / — напыляемый материал; 2— молекулярный пучок; 3 — подложка; 4 — накаленный катод, находящийся под отрицательным смещением; S — фокусирующий электрод; 6 — пучок ускоренных электронов, траектории которых «закручиваются» в магнитном поле электромагнита (на рисунке магнит не показан)

Изменение границ обратной ОБР рассматриваемого ключевого транзистора при управлении с фиксированным запирающим током базы -2 А, а также отрицательным смещением -5 В показано на 4.42.

отдаваемой отрицательным сопротивлением (за счет энергии источника постоянной э. д. с.). Условие баланса фаз дает частоту генерируемых колебаний.

сантиметровом и миллиметровом диапазонах. Принцип действия таких устройств основан на компенсации сопротивления потерь колебательной системы (с учетом вносимых нагрузкой) отрицательным сопротивлением диода. При полной компенсации в системе устанавливаются автоколебания, а при частичной происходит регенеративное усиление внешних колебаний.

§ 7.5. Автогенераторы гармонических колебаний на элементах с отрицательным сопротивлением

§ 7.5. Автогенераторы гармонических колебаний на элементах с отрицательным сопротивлением

Можно показать, что в рассмотренных автогенераторах положительная обратная связь превращает транзистор в прибор с отрицательным сопротивлением, который компенсирует положительное сопротивление контура RSK, обусловленное потерями энергии. Как известно, отрицательное сопротивление возникает тогда, когда увеличение напряжения на элементе вызывает уменьшение тока в нем. Возникновение в колебательном контуре незатухающих колебаний возможно также в том случае, если вместо положительной обратной связи параллельно контуру включить прибор, обладающий отрицательным сопротивлением ( 7.13, а); при этом должно соблюдаться условие \КЛ\^КЭК, где R^ — отрицательное динамическое сопротивление прибора, подключаемого к колебательному контуру.

Для получения прямоугольных импульсов широко используют устройства, называемые релаксационными генераторами (релаксаторами) (от англ, relax — ослаблять, уменьшать напряжение). Релаксаторы, как и триггеры, относятся к классу спусковых устройств и основаны на применении усилителей с положительной обратной связью или электронных приборов с отрицательным сопротивлением, например туннельных диодов или тиристоров.

— на элементах с отрицательным сопротивлением 169

§ 7.5. Автогенераторы гармонических колебаний на элементах с отрицательным сопротивлением .................. 169

К числу приборов с отрицательным динамическим сопротивлением относятся также лавинно-пролетные диоды (ЛПД), структура которых показана на 5.16, а. Принцип работы этих приборов существенно различается. Главной особенностью ЛПД является то, что он обладает отрицательным сопротивлением на сравнительно узком участке диапазона СВЧ, вне пределов которого это сопротивление положительно. Из 5.16, б видно, что рабочая точка А, которой соответствуют напряжение UA и ток IA, лежит в зоне лавинного пробоя, поэтому эти диоды получили название лавинно-пролетных.

В результате ударной ионизации происходит процесс лавинного умножения носителей. Этот процесс связан с появлением на вольт-амперной характеристике участка с отрицательным сопротивлением. С физической точки зрения появление отрицательного сопротивления объясняется тем, что при достижении определенного напряжения (Увкл возникают лавинообразный процесс и генерация носителей тока, поэтому напряжение на динисторе начинает

Принцип действия тензодиода основан на изменении высоты потенциального барьера в р—и-переходе при деформации полупроводника. В качестве тензодиодов могут быть использованы туннельные диоды, динамическое сопротивление которых зависит от степени деформации и мало зависит от температурных изменений. При шунтировании туннельного диода сопротивлением, величина которого соизмерима с отрицательным сопротивлением диода, можно получить величину К. более 10 тысяч. Тензодиоды из-за своей высокой чувствительности используются в объектах с малыми значениями давления (гидрофоны, сейсмографы и др.).