Отрицательных значенияхОсобым типом диэлектрика является тонкий, толщиной 1 —1,5 мкм, слой окислов некоторых металлов, образованный специальным электрохимическим методом на одной или обеих обкладках. Такой диэлектрик используется в электролитических конденсаторах, в которых одна обкладка (анод) изготовлена из металла (алюминий, тантал), а вторая — из пастообразного электролита. Тонкий слой диэлектрика в виде оксидной пленки на аноде позволяет получать большие значения емкости в малых габаритах, но в силу нестабильности параметров, особенно при отрицательных температурах, электролитические конденсаторы нашли ограниченное применение в ЕН, хотя они широко применяются в бытовой электро- и радиотехнике.
сухие электролитические конденсаторы типов ЭФ2, К-39, К50-ЗИ, К-50И-8 при напряжениях 300—500В и С„ом = 400ч-15 000 мкФ. Они имеют Wvуд = (0,165н-0,2)104 кДж/м3, И/Муд = 0,2ч-0,25 кДж/кг Их недостатком является резкое увеличение тока утечки («расформовка») после длительного (более двух недель) пребывания в нерабочем состоянии. Для восстановления нормального тока утечки конденсатор должен быть подвергнут повторной формовке, т. е. выдержан при номинальном напряжении в течение 20—30 мин. Еще одним недостатком электролитических конденсаторов являются большие диэлектрические потери, на один-два порядка выше, чем в бумажно-масляных конденсаторах и конденсаторах с комбинированным диэлектриком. Поэтому для работы в частотном режиме «заряд—разряд» с частотой следования разрядов более 1—2 период/с они непригодны. Кроме того, электролитические конденсаторы имеют низкую стабильность емкости в процессе эксплуатации, особенно при отрицательных температурах окружающей среды.
Одной частотой релаксации обладает малое число материалов. Характерным примером такого материала является лед из дистиллированной . воды при низких температурах. При температуре — 10 °С время релаксации льда т= 0,6-10~4 с; диэлектрическая проницаемость мгновенной поляризации ем = 3,5; прирост проницаемости за счет релаксационной поляризации Дерел = 78. Используя эти исходные данные, можно рассчитать по формулам (9-43) — (9-47) частотные характеристики диэлектрических свойств льда ( 9-7). Частоте релаксации /„ — со„/(2л) = 1/(2лт) = 2,7 кГц соответствует максимальное значение фактора потерь еп = 39. При этой частоте вещественная часть диэлектрической проницаемости е^ = 3,5 + 39 = 42,5. Из формул (9-46) и (9-47) находим, что tg бп. макс = 2,32 при частоте /макс = = 13 кГц. Максимум tg бп всегда сдвинут в область более высоких частот по сравнению с максимумом фактора потерь. Аналогичные частотные характеристики имеют некоторые другие полярные материалы, например метиловый спирт, глицерин при отрицательных температурах и др.
Параметры алюминиевых электролитических конденсаторов зависят от частоты, особенно при отрицательных температурах: емкость на частоте 5 кГц может составлять несколько процентов относительно емкости при положительной температуре и частоте 50 Гц. При частоте 10 кГц конденсаторы практически теряют емкость. С понижением температуры и увеличением частоты очень резко возрастают потери в конденсаторах.
При отрицательных температурах значение /3 очень мало и практически не меняется. Это объясняется наличием линейного сопротивления утечки между выводами прибора.
действием внутренних механических напряжений. Внутренние механические напряжения возникают в покрытии по двум причинам: при усадке во время полимеризации, так как полимер приобретает более компактную пространственную структуру (при нанесении мономерного раствора в виде лака), и при температурных изменениях как следствие различия температурных коэффициентов покрытия и покрываемых материалов. В зависимости от конкретного участка печатного узла напряжения могут вызывать деформации сжатия, изгиба или кручения.-Чем эластичнее материал покрытия, тем эти напряжения лучше демпфируются. При отрицательных температурах эластичность, как правило, ухудшается, что увеличивает опасность растрескивания покрытия и вероятность отказа [3].
Жидкостное охлаждение ГИМ и других теплонагружен-ных узлов. Если теплонагруженность с-тойки высокая, то воздушно-конвективное охлаждение недостаточно для отвода выделяемого тепла и переходят к жидкостному охлаждению. Жидкостное охлаждение почти на порядок более интенсивно, чем воздушно-конвективное, что вызвано более высокой удельной теплоемкостью жидкости по сравнению с воздухом, более высокой теплопроводностью и особенно возможностью использовать режим кипения, при котором отвод тепла осуществляется при фазовом переходе. Главным недостатком жидкостного охлаждения является более сложная система обеспечения теплового режима, требующая довольно разветвленной сети трубопроводов, соединителей, клапанов, а также баков и насосов. Кроме того, при отрицательных температурах, когда воздушно-конвективная система находится в благоприятнейших условиях, жидкостная система угрожает разрывом труб и баков, если используется вода, которая предпочтительна в сравнении с другими жидкими теплоносителями по многим характеристикам.
При 0 и —20° С разрядные кривые имеют «падающую» форму-Хладостойкие универсальные элементы, в том числе элемент РУ-85, показывают более высокие электрические характеристики при отрицательных температурах —20—30° С, чем элементы летнего типа. При +20 и +50° С в области малых токов наклон кривых по мере увеличения тока постепенно уменьшается, т. е. происходит уменьшение внутреннего сопротивления элементов. В области средних токов внутреннее сопротивление приблизительно постоянно. Величины внутреннего сопротивления элементов приведены в табл. 32.
воды, торкрет-пушки, установки шприцбетона, вибраторы). Кроме того, сжатый воздух применяется для проверки чистоты труб поверхностей нагрева котлоагрегатов путем продувки воздухом с прогонкой шарами, для обдувки -отдельных деталей и элементов оборудования с целью очистки их от пыли, для опрессовки 'генераторов и отдельных систем трубопроводов в зимнее время при отрицательных температурах окружающей среды, для пневмотранспорта цемента, обмуровочных и теплоизоляционных материалов и растворов.
и потерь от дипольной поляризации. В зависимости от конкретных условий может преобладать та или иная составляющая. Это положение иллюстрирует график зависимости tg б совола от температуры, представленный на 2-14. При невысоких температурах преобладают дипольные потери; потери от токов утечки очень малы. При отрицательных температурах вследствие высокой вязкости совола, малой тепловой подвижности его молекул ориентация их электрическим полем затруднена. Молекулы находятся как бы в заторможенном состоянии. При повышении температуры вязкость падает, подвижность молекул возрастает и облегчается ориентация их электрическим полем, что приводит к увеличению интенсивности дипольной поляризации и к росту tg 6. Температурный максимум приходится на некоторые оптимальные условия: подвижность молекул
Прокладка кабелей при отрицательных температурах является нежелательной, поскольку бумажная и пластмассовая изоляции жил отвердевают, и требуется соблюдение большой осторожности, чтобы не вызвать повреждений изоляции. При необходимости прокладки кабелей в условиях отрицательных температур ниже 0° С их следует перед размоткой с барабанов и прокладкой прогревать.
Участок внешней характеристики при отрицательных значениях тока соответствует зарядке аккумулятора.
Если, достигнув насыщения, начать плавно уменьшать постоянный ток в обмотке, т. е. уменьшать напряженность поля (7.3), то индукция также начнет уменьшаться. Однако зависимость В (Н) уже не совпадает с кривой первоначального намагничивания. Изменив направление тока в обмотке и увеличив его значение, получим новый участок зависимости В(Н). При значительных отрицательных значениях напряженности магнитного поля снова наступит техническое насыщение ферромагнитного материала. Если теперь продолжить эксперимент: сначала уменьшать ток обратного направления, затем увеличивать ток прямого направления- до насыщения и т. д., то после нескольких циклов перемаг-ничивания для зависимости В(Щ будет получена симметричная кривая ( 7.5, сплошная линия). Этот замкнутый цикл В (Н) называется предельной статической петлей гистерезиза (или предельным статическим циклом гистерезиса) ферромагнитного материала. Если во время симметричного перемагничивания область технического насыщения не достигается, то симметричная кривая В (Н) называется симметричной частной петлей гистерезиса ферромагнитного материала.
При этих направлениях положительные значения мгновенных мощностей приемника р = ш и источника р = ei означают, что первый из них работает приемником, а второй — источником. При отрицательных значениях мгновенных мощностей первый находится в режиме источника, а второй — в режиме приемника.
При отрицательных значениях Jz/i^t^o знак ординаты прямоугольника изменяется на противоположный, но положа низ поля не изменяется в пространстве. Такая намагничивающая сила называется пульсирующей. Таким образом, однофазная обмотка создает пульсирующую намагничивающую силу - неподвижную в пространстве, но изменявшуюся по величине во времени. .
импульсы напряжений иу\, иу% ( 1.16), так как при отрицательных значениях напряжений управляющие электроды шунтируются диодами Д3, Д*.
При отрицательных значениях управляющего напряжения взаимная проводимость равна
Участок внешней характеристики при отрицательных значениях тока соответствует зарядке аккумулятора.
Если, достигнув насышенци, начать плавно уменьшать постоянный ток в обмотке, т. е. уменьшать напряженность поля (7.3), то индукция также начнет уменьшаться. Однако зависимость В (Я) уже не совпадает с кривой первоначального намагничивания. Изменив направление тока в обмотке и увеличив его значение, получим новый участок зависимости В(Н). При значительных отрицательных значениях напряженности магнитного поля снова наступит техническое насыщение ферромагнитного материала. Если теперь продолжить эксперимент: сначала уменьшать ток обратного направления, затем увеличивать ток прямого направления до насыщения и т. д., то после нескольких циклов перемаг-ничивания для зависимости В(Н) будет получена симметричная кривая ( 7.5, сплошная линии). Этот замкнутый цикл В (Я) называется предельной статической нетлей гистерезиэа (или предельным статическим циклом гистерезиса), ферромагнитного материала. Если во время симметричного перемагничивания область технического насыщения не достигается, то симметричная кривая В (Я) называется симметричной частной петлей гистерезиса ферромагнитного материала.
Участок внешней характеристики при отрицательных значениях тока соответствует зарядке аккумулятора.
Если, достигнув насыщения, начать плавно уменьшать постоянный ток в обмотке, т. е. уменьшать напряженность поля (7.3), то индукция также начнет уменьшаться. Однако зависимость В (Я) уже не совпадает с кривой первоначального намагничивания. Изменив направление тока в обмотке и увеличив его значение, получим новый участок зависимости В (Я). При значительных отрицательных значениях напряженности магнитного поля снова наступит техническое насыщение ферромагнитного материала. Если теперь продолжить эксперимент: сначала уменьшать ток обратного направления, затем увеличивать ток прямого направления до насыщения и т. д., то после нескольких циклов перемаг-ничивания для зависимости В (Я) будет получена симметричная кривая ( 7.5, сплошная линия). Этот замкнутый цикл В (Я) называется предельной статической петлей гистерезиза (или предельным статическим циклом гистерезиса) ферромагнитного материала. Если во время симметричного перемагничивания область технического насыщения не достигается, то симметричная кривая В(Н) называется симметричной частной петлей гистерезиса ферромагнитного материала.
С точки зрения оптимального режима инвертора ток через вторичные обмотки трансформатора должен протекать при наиболее отрицательных значениях напряжения 1Л> (участки синусоид, помеченные штриховой линией на 11.22, б),т.е. при (3=0.Однако такой режим практически невозможен по следующим причинам:во-первых,переход тока с вентиля на вентиль (процесс коммутации) имеет конечное значение у; во-вторых,время закрытия вентиля имеет
Похожие определения: Отрицательным напряжением Отрицательным значением Отрицательной погрешности Отрицательной величиной Определению электрических Отрицательном направлении Отсчетные устройства
|