Отрицательных напряжений

Подача сигнала на вход ( 4.6, б) вызывает определенный сдвиг положительных и отрицательных импульсов по фазе, в результате чего на выходе усилителя появляются импульсы, полярность которых определяется знаком сигнала.

Как показывает опыт, у усилителя, имеющего начальные знакопеременные импульсы на выходе, чувствительность и коэффициент усиления значительно выше, чем у идеально сбалансированного усилителя. Поэтому часто путем шунтирования одной из обмоток wy добиваются появления знакопеременных импульсов разбаланса на выходе. В этом случае устройство, на которое работает модулятор, должно реагировать на разность амплитуд положительных и отрицательных импульсов, поступающих на его вход.

Вторым методом, также применяемым для исключения влияния разбаланса, является метод сравнения амплитуд положительных и отрицательных импульсов выходного напряжения.

Считывающие импульсы подаются парами (отрицательный и положительный). Каждая пара импульсов подается в вертикальную и горизонтальную считывающие шины. Если трансфлюксор был открыт, то сумма отрицательных импульсов считывающих обмоток перемаг-ничивает кольцевую зону вокруг малых отверстий против часоной стрелки, а сумма положительных импульсов — в обратном направлении, восстанавливая первоначальное направление потоков. При этом в выходной обмотке наводится двухполярный импульс э. д. с. Если же трансфлюксор был заперт, эта э. д. с. не возникнет (при а = 1; если а •< 1, то возникнет э. д. с. помехи). Траисфлюксоры применяют не только в ЗУ, но также в различных логических схемах.

к потенциалу положительного полюса источника. При одновременной подаче на оба входных зажима (Bxl и Вх2) отрицательных импульсов напряжения, превышающих по величине напряжение источника питания, диоды Д1 и Д2 запираются и потенциал выходного зажима кратковременно становится равным потенциалу отрицательного полюса источника.

В схеме 5-34, б с транзисторами, соединенными параллельно, транзисторы нормально заперты и управляются подачей отрицательных импульсов на базы: открытие любого транзистора приводит к появлению положительного импульса на выходе.

нена с коллектором другого через сопротивление /v Транзисторы управляются подачей отрицательных импульсов на базы. В такой схеме только один транзистор открыт, а другой закрыт. Например, когда транзистор 7\ открыт, то база и эмиттер транзистора Г2 имеют одинаковый потенциал и транзистор Т2 закрыт, потенциал его выходного зажима (Вых2) равен потенциалу отрицательного полюса источника питания. Такое

На 10.13, а приведена упрощенная структурная схема аналогового электронного фазометра. Фазометр содержит два одинаковых канала: опорный и измерительный. В состав этих каналов входят усилители-ограничители УО, формирующие прямоугольные импульсы иг и и2 ( 10.13, б) из синусоидальных напряжений. Прямоугольные импульсы с выходов обоих каналов поступают на дифференцирующие и распределяющие цепи ДЦ, которые служат для формирования из прямоугольных импульсов коротких положительных и отрицательных импульсов и3, и4, соответствующих фронтам и срезам прямоугольных импульсов. Вместе с этим происходит распределение импульсов дифференцирующих цепей между ключами KI, /(2 так, что ключ Ki замыкается положительным импульсом опорного канала и размыкается отрицательным импульсом измерительного канала, а ключ К2 размыкается отрицательным импульсом опорного канала и за-

Рассмотрим подробно процессы, происходящие на конденсаторе С при различных соотношениях длительностей положительных и отрицательных импульсов на входе интегрирующей цепочки.

В настоящее время все большее развитие находит дискретная (или цифровая) обработка сообщений и сигналов. Установлено, что любое непрерывное колебание u{t) ( 1.39, а) (сообщения, сигналы, помехи) может быть заменено последовательностью чисел. В простейшем случае этой последовательностью могут быть мгновенные выборочные значения, как это представлено на 1.39, б. Такая замена называется дискретизацией по времени. Однако можно пойти дальше и заменить каждое выборочное значение (которое может принять любое значение в некоторых пределах) ближайшим целым числом выбранных квантов Л ( 1.39, в). Эта операция называется квантованием по уровню. Квантованные по уровню дискретные числа можно выразить в двоичной системе счисления и представить последовательностью импульсов и пауз или положительных и отрицательных импульсов, как показано на 1.39, г. Так, квантованное значение и(0) равно 6 ( 1.39, в). Поэтому его можно представить в двоичной системе как 00110, чему соответствует последовательность отрицательных (соответствующих 0) и положительных (соответствующих 1) импульсов. Аналогично, например, м(5) =20, а в двоичной системе — 10100. Полученная таким образом последовательность импульсов есть цифровое бинарное представление непрерывного колебания.

Управляющие импульсы могут подаваться в коллекторные, эмиттерные или базовые цепи триггера. Наибольшее распространение получили схемы управления по базовым цепям. На 10.И,а показана схема управления триггером по базовым цепям путем поочередной подачи отрицательных импульсов через разделительные емкости С2 и диоды V3. Такой способ управления триггером называется разделительным. Возможен также запуск триггера путем подачи импульсов чередующейся полярности в базу одного транзистора.

8.11, б детектирование реализуется за счет излома характеристики в точке О. Для отрицательных напряжений вольт-амперная характеристика совпадает с осью напряжений.

появлению большого обратного тока при заходе отрицательных напряжений за точку перегиба характеристики. Следует отметить, что при большой амплитуде напряжения (более 3 — 5 В) у полупроводниковых детекторов снижается входное сопротивление и коэффициент передачи напряжения. Кроме того, эти детекторы по сравнению с ламповыми менее стабильны. Однако отсутствие источника накала, малые массы и габариты, а также большой срок службы определяют широкое применение полупроводниковых диодов при детектировании.

Промежуточный режим пентода применяется редко, например когда требуется расширить область отрицательных напряжений на сетке при том же напряжении анодногс питания.

состоит из ряда монотонно возрастающих кривых. Б случае отрицательных напряжений на сетке (Uс < 0) сеточный ток равен нулю и анодный ток равен катодному току /к. Анодный ток возникает при некотором положительном напряжении на аноде Uao, значение которого можно определить из соотношения (3-13), положив /а =0:

В активном режиме (С/кв <С 0) реальная характеристика значительно более, чем характеристика идеализированного транзистора, смещается в сторону больших токов /э. К причине, рассмотренной для идеализированного транзистора, добавляется влияние эффекта модуляции ширины базы. При увеличении отрицательных напряжений С/кв коллекторный переход расширяется, протяженность базы уменьшается и при постоянном напряжении UЭБ ток /э возрастает в силу растущего градиента концентрации неосновных носителей в базе (см. 12-6).

в приборе только при напряжениях Е/зи1> ?/зипор1. когда сформируется канал. При подаче на подложку положительного напряжения стоко-затворная характеристика смещается в сторону более отрицательных напряжений на затворе. Канал формируется при \и'3Ипор\> С/ЗЙпор-

сетки анодные характеристики сдвигаются вправо. Аналогично можно снять семейство анодно-сеточных характеристик триодов. Так как напряжение на аноде всегда положительно, то анодно-сеточные характеристики начинаются всегда в области отрицательных потенциалов сетки. Восходящий участок характеристики в области отрицательных напряжений на сетке обычно близок к прямой линии. При переходе в область положительных значений напряжения на сетке рост тока неокблько замедляется за счет того, что часть тока начинает поступать на сетку. На 2.9 показано семейство анодно-сеточных характеристик триода типа 6С5С.

Сетка может приводить к сильному изменению распределения электрического поля (потенциала) и соответственно объемного заряда в междуэлектродном пространстве, особенно в прикатодной области. В случае больших отрицательных напряжений на сетке даже при положительном потенциале анода ( 9.1, а) все электроны возвращаются к катоду, т.е. увеличивается отрицательный объемный заряд около катода и потенциальный барьер по сравнению с диодом, имеющим такую же конструк-

При усилении слабых сигналов рабочая точка на характеристике ia (и с к). как правило, устанавливается в области отрицательных напряжений ыск. В этом случае ток сетки отсутствует, входная проводимость сетка — катод практически равна нулю (RCb~+ -> оо ), и матрица проводимостей принимает вид

состоит из ряда монотонно возрастающих кривых. Б случае отрицательных напряжений на сетке (Uс < 0) сеточный ток равен нулю и анодный ток равен катодному току /к. Анодный ток возникает при некотором положительном напряжении на аноде Uao, значение которого можно определить из соотношения (3-13), положив /а =0:

В активном режиме (С/кв <С 0) реальная характеристика значительно более, чем характеристика идеализированного транзистора, смещается в сторону больших токов /э. К причине, рассмотренной для идеализированного транзистора, добавляется влияние эффекта модуляции ширины базы. При увеличении отрицательных напряжений С/кв коллекторный переход расширяется, протяженность базы уменьшается и при постоянном напряжении UЭБ ток /э возрастает в силу растущего градиента концентрации неосновных носителей в базе (см. 12-6).