Отражающую поверхность6. Заканчивают вычерчивание звукопровода ЛЗ. На данном этапе необходимо устранить ложные сигналы, снизить массу и габаритные размеры звукопровода. Основные меры, которые принимают для устранения ложных сигналов, следующие: 1) на поверхностях звукопровода, за исключением отражающих поверхностей, выполняют канавки ( 3.44); 2) покрывают поверхности звукопровода поглощающим материалом толщиной К, в качестве которого используют эпоксидные эмали; 3) в звукопроводе делают прорези / и фаски 2 (см. 3.42). С целью уменьшения габаритных размеров и массы уменьшают объем металла (как показано тонкими линиями на 3.42).
Одновременно запускается генератор развертки ГР индикаторов дальности ИД и кругового обзора Я/СО. На экране индикатора дальности ИД начинается отсчет расстояния, на которое удаляется от РЛС зондирующий импульс, в виде смещающегося от начала развертки яркостного пятна. Появление отраженных импульсов свидетельствует о наличии отражающих поверхностей на пути распространения зондирующего импульса и отмечается импульсными всплесками на линии развертки (см. 281,6). Некоторые РЛС располагают двумя индикаторами дальности — грубой и точной. Индикатор кругового обзора ИКО имеет ради-ально-круговую развертку электронного луча, синхронную вращению антенны. На экране индикатора ИКО формируется радиолокационное изображение окружающей обстановки, т. е. видны не только подвижные объекты, но и, например, линия береговой черты при плавании вблизи берегов, различные сооружения и др.
Свойства отражающих поверхностей зеркальных элементов концентрирующей системы оказывают наиболее существенное влияние на ее энергетические характеристики. Система концентрирования обеспечивает повышение плотности солнечного излучения главным образом за счет изменения его направления и локализации в определенной области пространства. Вследствие этого форма отражающей поверхности и ее различные отклонения от геометрически идеальной конфигурации оказывают определяющее влияние на распределение плотности сконцентрированного излучения.
Заметим, что статистическое описание распределения локальных отклонений отражающих поверхностей не следует рассматривать как универсальное, ибо оно целесообразно лишь на начальных этапах проектирования систем КСИ.
Таким образом, показатели всех наиболее важных для рассматриваемого процесса свойств отражающих поверхностей системы КСИ в общем случае являются переменными. Однако при практических расчетах гелиотехнических концентрирующих систем изменение некоторых из этих показателей часто можно не учитывать.
Основное преимущество такой модели — возможность аналитического решения интеграла в уравнении (4. 33) и получения простых расчетных зависимостей для Ке. Главный недостаток — низкая точность: близкие к реальным характеристики систем с геометрически идеальными отражателями могут быть получены лишь при больших значениях отношений характерных размеров приемника к параметру l срс).
Есть основания полагать, что такая модель наиболее близка к реальной физической картине отражения солнечного излучения зеркальными концентраторами. Действительно, при высоком оптическом классе чистоты отражающих поверхностей и наклонном падении на них солнечных лучей отражение падающего пучка должно быть практически полностью зеркальным [29], т. е. должно выполняться условие ср0 = срс- Однако реальная зеркальная поверхность не может быть абсолютно гладкой и всегда содержит микронеровности, которые приводят к некоторому рассеянию коротковолновой части солнечного излучения, т. g. именно той части, которая в падающем пучке распределена наиболее неравномерно и имеет значительно большую интенсивность в центре, чем на периферии. Поэтому при отражении за счет рассеяния должно происходить частичное перераспределение коротковолнового излучения внутри пучка, приводящее к выравниванию индикатрисы в целом, чем и обеспечивается выполнение условия /0 (ср) = 1.*
Модель процесса отражения с индикатрисой, характеризуемой условиями (4. 39), лежит также в основе ряда теоретических исследований, выполненных применительно к системам с неточными зеркалами. При этом для описания локальных погрешностей отражающих поверхностей используются различные детерминированные и вероятностные зависимости. Так, например, авторы работы [38] определяли плотность лучистых потоков в фокальном пятне параболоидных зеркал, предположив, что распределение точек пересече-
Во вторую группу можно включить модели, основанные на статистическом описании локальных угловых отклонений отражающих поверхностей. В зависимости от формы описания полученные на его основе расчетные характеристики процесса могут в большей или
Наконец, к третьей группе следует отнести все модели, основанные на использовании характеристик реальных систем: истинных аберрограмм отражающих поверхностей, измеренных или рассчитанных индикатрис отражения и т. п. Такой вариант математического описания процесса в наибольшей степени соответствует практике построения моделей функционирования систем КСИ (так называемых имитационных моделей), позволяющих определять эксплуатационные энергетические характеристики концентраторов по данным их оптических испытаний.
Синтез геометрии систем КСИ с учетом реальных свойств излучателя и отражающих поверхностей может осуществляться лишь на основе использования моделей анализа, т. е. в варианте так называемого непрямого синтеза [4]. Прямой синтез возможен только при введении упрощающих допущений, таких как «точечное Солнце», идеальная геометрия и др.
для визуального наблюдения регистрируемых величин. Оптическая схема осциллографа приведена на 4.9. Свет от источника 1 с помощью цилиндрического конденсора 2 через диафрагму 5 попадает на зеркала 10 гальванометров, от которых лучи с помощью сферических линз 9 и цилиндрического объектива 21 собираются в плоскости фотоленты 23 в виде ярких пятен. Часть световых пучков, идущих от зеркал 10, отражается цилиндрическим зеркалом 16 на зеркало 15 и от него на матовый экран 7, где изображается в виде ярких пятен. В ход световых лучей между зеркалами гальванометров и объективом 21 может вводиться зеркало 12, которое в своем нормальном положении расположено вне хода лучей. В рабочем положении оно полностью перекрывает световые пучки, идущие от зеркал гальванометров и отклоняет их на экран 7. В середине зеркала 12 проходит матовая полоса, которая делит отражающую поверхность пополам. При правильной установке гальванометров-вставок в магнитном блоке световые полоски в каждой половине зеркала 12 должны быть одинаковыми. При помощи диафрагмы 17 можно изменять интенсивность световых пятен на фотоленте. Для нанесения на фотоленту линий отметок времени свет от источника 1 собирается цилиндрическим конденсором 3, проходит через диафрагму 6 и, отражаясь от зеркала 8, попадает через щели барабана 14 отметчика времени на зеркало 13. Отразившись от зеркала 13 световой пучок направляется зеркалом // через
Наличие механического давления электромагнитных волн на отражающую поверхность впервые было установлено русским физиком П. Н. Лебедевым в 1899 г. Величина этого давления пропорциональна значению вектора Умова — Пойнтинга. Следовательно, измеряя величину механического давления, можно определить мощность электромагнитных колебаний.
где йк — телесный угол с вершиной в рассматриваемой точке, который охватывает всю излучающую (отражающую) поверхность.
4.2. Схема падения солнечного излучения на отражающую поверхность
Потери энергии при отражении учитываются коэффициентом отражения Дс, который зависит от спектральной отражательной способности зеркального покрытия в диапазоне длин волн солнечного излучения и угла его падения на отражающую поверхность. В общем случае
где интеграл берется по телесному углу, охватывающему всю отражающую поверхность концентратора.
Геометрические свойства системы характеризуются соотношением 5 (1К_„) 1 (1В_П) cos »„ cos %KdSJll,, (либо E (1M) / (1K_J cos &0d2), которое показывает, как «видит» данная точка Р приемника Солнце через отражающую поверхность, и позволяет учесть зависимость Ке от формы и взаимного расположения концентратора и приемника, локальных угловых отклонений поверхности зеркала, самозатенения приемника и углового размера отраженного пучка (в последнем проявляется взаимосвязь физических и геометрических факторов).
При расчете энергетических характеристик систем КСИ с учетом: индикатрисы отраженного или падающего пучка рассмотренным: выше способом прослеживается не прямой, а обратный ход множества лучей, исходящих из определенной точки Ра приемника, и для" каждого луча определяются значения функций % (!„_„), ? (!„.„) и/0 (ср). В случае однозеркальных систем интегрирование осуществляется по отражающей поверхности зеркала в соответствии с уравнением (4. 31), а при расчете многозеркальных систем либо систем с многократным отражением интегрирование проводится в соответствии с уравнением (4. 32) по телесному углу, охватывающему последнюю отражающую поверхность концентрирующей системы [4, 5]. В обоих случаях с целью уменьшения затрат машинного времени нужно стремиться: к сокращению области интегрирования путем предварительного исключения участков, на которых подынтегральная функция принимает нулевые значения.
Световой поток после первого отражения перераспределится и снова упадет на отражающую поверхность. Отразившись вторично от внутренней поверхности шара, этот поток станет равным ррФисп или р2ФИСп- Дальнейший процесс многократных отражений светового потока будет протекать аналогично, причем доля светового потока каждого последующего отражения будет отличаться от предыдущего на величину коэффициента отражения внутренней поверхности шара.
2. Величина к. п. д. светильника зависит от доли светового потока источника света, падающей на отражающую поверхность колпака и определяемой формой, размером колпака и положением источника света; при увеличении к. п. д. светильника уменьшается.
3. Величина к. п. д. светильника зависит от доли ft светового потока, повторно падающей на отражающую поверхность колпака и определяемой отношением площади отражающей поверхности колпака к площади его выходного отверстия; при увеличении ft к. п. д. светильника уменьшается.
Похожие определения: Определении расчетного Отрицательных электродов Отрицательными значениями Отрицательным потенциалом Отрицательная проводимость Отрицательной полуволны Отрицательное относительно
|