Относительную диэлектрическую

Пример 3.3. Схема цепи, возбуждаемой двумя источниками гармонического тока с комплексными амплитудами 1\ и /2, приведена на 3.4,а. Найти комплексные амплитуды i/i и t72 напряжений узлов 1 и 2 относительно «заземленного» узла 0.

напряжение в пределах 3—10 кВ, но измерения могут производиться и на более низких напряжениях, начиная примерно с 500 В. Напряжение питания подводится к верхней и нижней вершинам моста, причем к верхней вершине — непосредственно от трансформатора Tpl, а к нижней — через устройство защитного напряжения. Устройство защитного напряжения позволяет регулировать напряжение вершины Д относительно заземленного экрана. Это

Изоляция вторичных цепей и вторичных обмоток испытывается приложенным переменным напряжением 1 кВ в течение 1 мин относительно заземленного цоколя.

Окисление производят в кислородной плазме при давлении 50 — 200 Па. Разряд возбуждается полем высокой частоты (до 2,5 ГГц), мощность в разряде может изменяться от 200 до 1000 Вт. Плазма поддерживается в динамическом режиме, в потоке кислорода, контролируемом прецизионными венти-лями-натекателями при непрерывной откачке реакционного объема. Типичные средние параметры плазмы следующие: электронная температура 5 • 104 К, потенциал относительно подложки анода +35 В, плотность плазмы ~1013 электрон/см3, степень ионизации (5 4- 6)-10~2%. Пластина кремния обычно находится под положительным потенциалом ( + 50 4- + 400 В) относительно заземленного катода. Максимально достижимые скорости роста оксида при окислении кремния составляют 8-10 нм/мин.

рика 2 полоски затворов 3 образуют регулярную линейную систему или плоскую матрицу. Для большинства приборов подложку изготовляют из высокоомного кремния, затворы — из алюминия или поликристаллического кремния, диэлектриком служит диоксид кремния. Затворы с помощью алюминиевых или поликремниевых пленочных проводников присоединяют к управляющим шинам, на которые относительно заземленного электрода подложки подают импульсные управляющие напряжения. В рассматриваемом приборе три управляющих шины 0j, Ф2, Ф3, поэтому он называется трехтактным. Для приборов с подложкой р-типа управляющие напряжения имеют положительную полярность.

В ЭЛИ с кольцевым лучом ( 2.5, а) нагрев объема материала 1, помещенного в охлаждаемый водой медный тигель 2, служащий анодом, производится хорошо сфокусированным лучом электронов, испускаемых кольцевым катодом 3, который находится под отрицательным потенциалом (до 10 кВ) относительно заземленного анода. Фокусировка луча на поверхности материала достигается перемещением фокусирующего электрода 4,

В ЭЛИ со сфокусированным лучом ( 2.5, б) катод находится под напряжением — Ua относительно заземленного, медного, охлаждаемого водой тигля 4, служащего анодом. Электроны, вырывающиеся с поверхности катода 1, формируются в ленточный луч 6 с помощью щелевой диафрагмы в управляющем электроде 2, который находится под напряжением — Uy относительно катода. Затем ленточный луч по-

Физические основы катодного распыления. Тлеющий разряд создается в разреженном газе (К)-'— 10~3 мм'рт. ст.) при приложении к катоду-мишени ( 2.38) отрицательного потенциала относительно заземленного анода, -превышающего потенциал зажигания. При катодном распылении используется самостоятельный разряд, возбуждаемый автоэлектровной эмиссией.

ляясь к аноду, часть потока электронов остается на поверхности диэлектрической подложки (а затем и пленки), образуя статический заряд, потенциал которого может достигать 100 В и более относительно заземленного анода. Поэтому наблюдаются три явления: поток положительных донов остаточного газа, загрязняющего пленку; поток ионов рабочего газа, способствующий десорбции газов; поток ионов распыленного материала катода, которые, двигаясь вдоль подложки к «ямам» потенциального рельефа, приводят к быстрому образованию крупных кристаллов.

Резистивный каскад на биполярном транзисторе. Простейшая схема резистивного усилительного каскада с общим эмиттером и питанием от одного источника показана на 13.2. Входной сигнал поступает на базу и изменяет ее потенциал относительно-заземленного эмиттера. Это приводит к- изменению тока базы, а следовательно, к изменению тока коллектора и напряжения на нагрузочном сопротивлении Кц. Разделительный конденсатор СР служит для предотвращения протекания постоянной составляющей тока базы через источник входного сигнала. С помощью конденсатора Ср2 на выход каскада подается переменная составляющая напряжения i/кэ, изменяющаяся по закону входного сигнала,

В ЭЛИ с кольцевым лучом ( 2.5, а) нагрев объема материала 1, помещенного в охлаждаемый водой медный тигель 2, служащий анодом, производится хорошо сфокусированным лучом электронов, испускаемых кольцевым катодом 3, который находится под отрицательным потенциалом (до 10 кВ) относительно заземленного анода. Фокусировка луча на поверхности материала достигается перемещением фокусирующего электрода 4,

Диэлектрическую проницаемость испытуемого материала вычисляют, предварительно измерив емкость образца Ср в эквивалентной параллельной или Cs в эквивалентной последовательной схеме. Обычно находят е, — относительную диэлектрическую проницаемость (по отношению к электрической постоянной е„ =к 8,854 X Х10-12 Ф/м). В дальнейшем е для краткости будем именовать диэлектрической проницаемостью.

Относительную диэлектрическую проницаемость материала определяют как отношение емкости Сх конденсатора, в котором пространство между электродами заполнено испытуемым диэлектрическим материалом, к емкости С0 при таким же образом расположенных электродах в вакууме (воздухе):

10. Два заряда, находящиеся на определенном расстоянии, действуют друг на друга в вакууме с силой 10~4 Н, а в жидкости — с силой 5- 10~5 Н. Найти относительную диэлектрическую проницаемость жидкости.

х(1+4ег). Определить относительную диэлектрическую проницаемость для данного газа.

диапазонах соответственно 5-f-7 и 8ч-10 мм. Какой емкости можно получить конденсатор, если диэлектрик имеет относительную диэлектрическую проницаемость е = 10?

41. При расчете сферического конденсатора диаметры внутренней и внешней сфер, являющихся его пластинами, выбирались в диапазонах соответственно ?>~8 и 9ч-И мм. Какой емкости можно получить конденсатор, если диэлектрик имеет относительную диэлектрическую проницаемость е = 45?

В технике при анализе способности материалов к поляризации чаще используют другой безразмерный параметр - относительную диэлектрическую проницаемость г.

k3 — диэлектрическая восприимчивость; Е — напряженность электрического поля. Диэлектрическая восприимчивость определяет практически важный параметр диэлектриков — относительную диэлектрическую проницаемость. Связь между ними определяется формулой

7.2. Радиус внутреннего провода коаксиального фидера гл = 1 мм, а внутренний радиус внешнего провода Rn = 5 мм. Определить погонные индуктивность и емкость фидера в двух случаях: а) фидер можно считать воздушным (с воздушной изоляцией); б) изоляционный материал между проводами фидера имеет относительную диэлектрическую проницаемость е, =4.

2. (Р) Сферический заземлитель, представляющий собой проводящую сферу радиусом R = 0,5 м, погружен в землю на глубину h»R. Принимая удельную электрическую проводимость почвы у = 10"2 См/м, ее относительную диэлектрическую проницаемость ег = 2, рассчитайте плотность токов проводимости и смещения, а также мощность потерь при вводимом в заземлитель токе г = 100V2 sin iOOnt (А).

Диэлектрическая проницаемость. Относительную диэлектрическую проницаемость определяют как отношение зарядов на обкладках конденсатора при замене пластин из данного диэлектрика на вакуум.

Диэлектрическая проницаемость — это величина, которая характеризует влияние среды на силу взаимодействия находящихся в ней зарядов. Различают относительную диэлектрическую проницаемость ег, абсолютную е и диэлектрическую проницаемость вакуума ЕО. Эти величины связаны между собой простым соотношением: