Относительной простотой

Однако оценивать по относительной погрешности точность показываю-щих приборов со стрелочным указателем неудобно. Дело в том, что абсолютная погрешность Д/4 у них имеет обычно один и тот же порядок вдоль всей шкалы. При постоянной абсолютной погрешности Д/4 с уменьшением измеряемой вели-чины Ацз быстро растет относительная погрешность ( 12.1). По- ис' • этому рекомендуется выбирать пределы измерения показывающего прибора так, чтобы отсчитывать показания в пределах второй половины шкалы, ближе к ее концу.

Определите, у какого прибора меньше предел допускаемой основной относительной погрешности и какой прибор лучше использовать для измерения тока /=4 А.

4.24. Для условий задачи 4.23 определите предел допускаемой относительной погрешности прибора и сравните ее с относительной методической погрешностью измерения бя, если ?=1,5 В.

Ответ. ±0,4%; методическая погрешность примерно в 20 раз больше допускаемой относительной погрешности прибора.

4.27. Определите допустимое значение относительной погрешности вольтметра предыдущей задачи, если класс точности вольтметра 1.

т. е. относительная методическая погрешность измерения б; примерно в 20 раз больше наибольшей относительной погрешности результата измерения тока микроамперметром.

Принимая РИ = С//=100-1 = 100 Вт за истинное значение, для относительной погрешности результата измерения мощности имеем: при включении по схеме на 4.8, а

Тогда для относительной погрешности измерения Rx можно получить следующее выражение:

где бу — предел допускаемой относительной погрешности измерения амплитуды импульсов прямоугольной формы; 6Н — предел допускаемой неравномерности пере-

бву — предел допускаемой относительной визуальной погрешности измерения напряжения, определяемый по формуле

Класс точности по относительной погрешности - максимально допустимая относительная погрешность. При вынесении класса точности на шкалу класс точности заключают в кружок (©).

Для изготовления МПП разработаны многочисленные варианты конструктивно-технологического исполнения, каждый из которых характеризуется рядом достоинств и недостатков, определяющих их выбор. Номенклатура их постоянно обновляется и совершенствуется, однако существуют некоторые установившиеся разновидности, которые часто применяются на производстве (табл. 9.15). Практический опыт изготовления МПП показывает, что наиболее технологичным является вариант МПП с металлизацией сквозных отверстий. Он позволяет получать по 20 слоев МПП, характеризуется высокой плотностью, хорошим качеством межслойных соединений, относительной простотой и экономичностью. При этом методе используются: для наружных слоев односторонний фольгированный диэлектрик, для внутренних — одно-или двусторонний фольгированный диэлектрик и в качестве меж-слойной изоляции стеклоткань СПТ-3. Из этих материалов изготавливают заготовки, в которых пробивают базовые отверстия для совмещения слоев и производят очистку поверхностей. На заготовках внутренних слоев рисунок получают с двух сторон негативным фотохимическим методом, выполняя при необходимости контактные переходы химико-гальванической металлизацией. Рисунок наружных слоев получают комбинированным позитивным фотохимическим методом. Изготовленные слои совмещают друг с другом по базовым отверстиям, прокладывая между ними меж-слойную изоляцию, и спрессовывают в монолитную структуру.

Использование стеклообразных и аморфных полупроводников для изделий электронной техники определяется относительной простотой их получения, низкой стоимостью и набором определенных электрофизических свойств. Так, на примере аморфного кремния в книге описывается, как можно не только получать 99 %-ную экономию дорогостоящего полупроводникового материала, но и значительно улучшать технические характеристики полупроводниковых преобразователей солнечной энергии (солнечных батарей).

относительной простотой и малым объемом программ, реализующих отдельные органы защиты, в связи с чем сложность программирования проявляется в меньшей степени;

Проектирование топологии МДП-ИМС является более простой задачей по сравнению с проектированием ИМС на биполярных транзисторах. Это объясняется относительной простотой технологии изготовления МДП-ИМС, особенно на транзисторах с каналом одного типа электропроводности (отсутствие эпитак-сиальных и скрытых слоев, а также специально создаваемой электрической изоляции элементов). Кроме того, относительная простота может быть объяснена особенностями схемотехнического построения МДП-ИМС, при котором МДП-транзистор является единым типовым элементом, а между отдельными элементами используется непосредственная связь.

относительной простотой преобразования переменного тока и широким применением для привода промышленных механизмов несложных надежных трехфазных асинхронных двигателей. С помощью различных выпрямителей (двигатель-генераторов и полупроводниковых выпрямителей) преобразуют трехфазный переменный ток в постоянный.

Как было указано в § 1.1, аналоговыми измерительными приборами называют приборы, показания которых являются непрерывной функцией изменений измеряемой величины. Эти приборы отличаются относительной простотой, дешевизной, высокой надежностью, разнообразием применения, выпускаются вплоть до класса точности 0,05 и представляют собой важнейшую группу технических средств электрических измерений.

Схема получения биметаллических масок показана на 2.10. Биметаллические маски характеризуются высокой точностью изготовления рисунка и относительной простотой технологического процесса. Основным не-

Наиболее перспективными являются однокристальные МДП-БИС с комплементарными структурами (КМДП-БИС), позволяющие получать максимальную плотность компоновки элементов на кристалле с высокими показателями стабильности и надежности. Это объясняется относительной простотой технологии МДП-струк-тур в сравнении с биполярной технологией в основном за счет сокращения высокотемпературных и прецизионных фотолитографических операций.

Наиболее важным признаком, определяющим основные свойства сигнала, является форма ЕЭС, входящих в систему сигналов {Uk(t)}. Широкое распространение в технике ПДС нашли прямоугольные и синусоидальные сигналы. Они появились исторически первыми, что объясняется относительной простотой- их формирования. Развитие теории передачи сигналов и появление методов и устройств цифровой обработки сигналов дают возможность использовать более сложные системы сигналов, которые

Схема получения биметаллических масок показана на 2.10. Биметаллические маски характеризуются высокой точностью изготовления рисунка и относительной простотой технологического процесса. Основным не-

Относительной простотой перехода к двоичному коду отличается циклический код, получивший название кода Грея. Он строится по диаграмме, изображенной на 3.20, в. Пример записи чисел от 0 до 15 в коде Грея и в двоичном коде для сравнения приведен в табл. 3.4.