Относительная нестабильность

где ц0 — магнитная постоянная; \ir — относительная магнитная проницаемость.

( 7.6, а); магнитные материалы с округлой предельной статической петлей гистерезиса, у которых коэффициент прямоугольности 0,4 < < fci—i < 0,7 ( 7.6, б); магнитные материалы с линейными свойствами, у которых зависимость В {Н) практически линейная: В = = ц faff ( 7.6, в), где цг — относительная магнитная проницаемость.

Магнитная индукция в сердечнике В = (хц0 Н, где \>.0 = 4я . Ю"7 Г/м — магнитная постоянная, а у, — относительная магнитная проницаемость материала магнитопровода.

Большинство трансформаторов выполняют на сердечниках, которые собирают из изолированных лаком листов горячекатаной электротехнической стали марки Э4. Сборку сердечника проводят так, чтобы воздушные зазоры были сведены к минимуму; при задан ной величине рабочего потока ток холостого хода /,х будет тем меньше, чем меньше сопротивление магнитной цепи. Поэтому листы собирают таким образом, чтобы воздушные зазоры между ними (стыки) перекрывались в следующем слое ( 13.19,а). Изготовленные этим способом сердечники называются шихтованными. Хотя зазоры перекрываются листами соседних слоев, в местах стыков образуется слой с высоким магнитным сопротивлением. Это происходит вследствие того, что в листах, смежных с зазором ( 13.19,6), магнитные линии сгущаются и индукция возрастает до 2,0 ч- 2,5 Т. При такой индукции относительная магнитная проницаемость падает до нескольких единиц. В расчетной практике этот слой заменяют эквивалентным воздушным зазором, магнитное сопротивление которого равно сопротивлению стыка. Измерения на готовых сердечниках показывают, что

д) грубые допущения: относительная магнитная проницаемость токопроводящей среды ц = 1, а электропроводимость у=ю, относительная магнитная проницаемость ферромагнитной среды ц = оо, а электропроводимость у = 0.

Решение. Максимальная относительная магнитная проницаемость лтах= = В/р0Н прямо пропорциональна тангенсу угла а между осью абсцисс и касательной ОК. к основной кривой намагничивания, проходящей через начало координат, т. е.

Парамагнитные материалы отличаются тем, что, хотя их атомы и имеют магнитные моменты, они неупорядочены, пока материал не находится в магнитном поле. Так, внешне парамагнетики проявляют себя как немагнитные материалы. Под действием магнитного поля магнитные моменты атомов этих материалов ориентируются в направлении внешнего магнитного поля и усиливают его. Магнитная восприимчивость парамагнетиков положительна, имеет значение от 10 5до10~2 и не зависит от напряженности внешнего магнитного поля, но на нее значительно влияет температура. Относительная магнитная проницаемость парамагнетиков всегда больше единицы. К парамагнетикам относят кислород, некоторые металлы (например, А1,Сг, Na, Mg, Та, Pt, W), их оксиды (например, CaO, Cr2O3, CuO).

где (i — относительная магнитная проницаемость (безраз-

Так принято называть линию, у которой поперечная конфигурация проводников неизменна по длине, а параметры заполняющей среды, такие как относительная диэлектрическая проницаемость е и относительная магнитная проницаемость \л, постоянны в пространстве. Будем вначале полагать, что источники, создающие токи и напряжения в линии, находятся вне рассматриваемой области пространства. В этом смысле можно говорить о том, что будут изучаться свободные колебания распределенных систем.

где ц — относительная магнитная проницаемость металла.

(относительная магнитная проницаемость \лг я» 1).

В усилителе с ОС относительная нестабильность коэффициента усиления Ко-цепи уменьшается пропорционально глубине ОС. При большом разбросе параметров можно пользоваться выражением (2.8), но, вычисляя F, использовать новое, изменившееся значение Ко.

Решение. Согласно выражению (2.8) можно записать где Д/(о=До2 — Koi=2/Coi — /Coi=/Coi. Относительное изменение Ко равно 1. Глубину ОС найдем из примера 2.6 при 7C02=2#0i=2-'100. Получаем Fx = l+2QOx Х104/(Ю4+ 104-500) =98,56, Р2=(9,8+103)/(9,8+103/98,56)=50,6. Таким образом, &KF/KF = 1/50,6=0,019. Относительная нестабильность KF не превышает 2%. Эту задачу можно решить, определив непосредственно В и F как в примерах 2Л, 2.2, не используя выражение (2.8).

В данной задаче относительная нестабильность а допустимая нестабильность АА^0/А'0 = 0,02, следовательно, должно выполняться условие \КУК„С\ = 9 и /Сос = 9 • 10~4. При этом коэффициент усиления системы, охваченной обратной связью,

Умножители частоты применяются в радиотехнике для получения высокочастотных стабильных колебаний, когда в распоряжении имеется весьма стабильный низкочастотный генератор. Если отклонение частоты м, генерируемой низкочастотной схемой, составляет Ла>, то относительная нестабильность частоты равна Дсо/о). В умножителе частоты вместо частоты ш + Лш получаем частоту Ачо + А-АСО, а относительная нестабильность АгЛа>/&м = Д(о/<и остается такой же, как и у низкочастотного генератора.

На 5-16, б приведена схема, выявляющая нечетность числа единиц в 8-разрядном двоичном коде, представленном импульсами тока /Р1 •*• /р8. Предполагается, что относительная нестабильность амплитуды этих импульсов и импульса тока смещения /см не больше

Кроме того, на точность получаемых размеров влияют: точность изготовления формирующих элементов (матриц и знаков), зазоры между перемещающимися частями пресс-формы и относительная нестабильность положения этих частей после

дов, относительная нестабильность тока коллектора транзисторов Т и Т\ одинакова, т. е

В схеме на 3.2 относительная нестабильность тока коллектора транзистора Т определяется соотношением (3.2). Однако напряжения на эмиттерных переходах U3 и l/3i, как правило, заметно отличаются друг от друга. Из схемы на 3.2 следует1, что

В качестве примера можно указать схему генератора 2ГС191. Она представляет гибридную микросхему на одном транзисторе ( 12.18). Схема построена таким образом, что при подключении колебательного контура на ее основе может быть построен генератор по емкостной или индуктивной трехточечной схеме (ср. в § 8.1 8.10, а, б). Основным назначением интегральной микросхемы является работа в составе кварцевого генератора на частотах порядка десятков мегагерц. При напряжении источника питания 5 В ± 10 % потребляемая мощность не превышает 15 мВт. При этом обеспечивается выходное напряжение не менее 130 мВ. Схема обладает высокой стабильностью. При изменении напряжения источника питания в указанных пределах гарантируется относительная нестабильность частоты +2-10"6. При изменении температуры в пределах -60-т- +25 °С и +25+ +70°С относительная нестабильность частоты не превышает ±5-10~6.

на выходе которого возникают напряжения разностной частоты F и высокочастотные составляющие. Последние отфильтровываются фильтром нижних частот Ф, а разностная частота поступает на усилитель и далее на выход генератора. Относительная нестабильность выходной частоты зависит от нестабильности высокочастотных генераторов и определяется следующей формулой: 6Р= (бф/ф — ЬП11?11Л)/Р, где бф и д„л — нестабильности генераторов фиксированной частоты и с плавной настройкой.

Относительная нестабильность напряжения коллектор—база, определяющего точку покоя транзистора, включенного по схеме с ОБ,