Относительная диэлектрическая

Для изготовления сетчатого трафарета на поверхность рамы наносят клей («Адгезив-2В») и на нее укладывают нарезанную сетку. В пневматическом устройстве сетка равномерно натягивается таким образом, чтобы относительная деформация материала не превышала 6 ... 8 % для капрона, 5 ... 7 % для фосфористой бронзы и 2 ... 3 % для нержавеющей стали. После этого сетка приклеивается к раме и обезжиривается.

Оценим удельную энергию Wyn=W/M, приходящуюся на единицу массы M=jV=jSh пружины или стержня объемом V и сечением S, материал которых имеет плотность у и работает на разрыв в пределах закона Гука a = xtE, причем xt=x/h — относительная деформация, Е—модуль упругости (Юнга), а^ар. Введя do = Edxt, можем записать dW=Fhdxt=Fhda/E и dWyK = dW/ySh = Fdol'ySE, откуда при a=F/S находим

Для измерения деформаций применяются полупроводниковые приборы — тензометры, в основу работы которых положен тензо-эффект. Этот эффект заключается в том, что при приложении давления к полупроводнику с кристаллической структурой происходит изменение его удельной проводимости. Это изменение характеризуется тензочувствительностью т, равной пг= (Др/р)/(Д///), где Др/р — относительное изменение удельного сопротивления полупроводника; Д/// — относительная деформация полупроводника. Тензометры делятся на два типа: тензорезисторы и тензоди-оды. Полупроводниковый прибор, величина сопротивления которого меняется при деформации, называется тензорезистором (табл. 10.1).

где k — коэффициент тензочувствительности; А/// — относительная деформация проволоки.

Относительная деформация проволоки тензопреобразователя А/// равна относительной деформации детали Д/д//д, на которую наклеен Тензопреобразователь. Последняя связана с механическим напряжением в детали о и модулем упругости материала этой детали Е соотношением

Форма преобразовательного элемента Относительная деформация е Прогиб, ы Жесткость, Н/м Частота собственных колебаний, Гц

Из приведенных в табл. 5.1 выражений следует, что относительная деформация упругих элементов в общем случае не является постоянней по длине преобразователя. Исключение составляет лишь консольная балка равного сопротивления изгибу. Поэтому в тех случаях, когда упругий элемент является первичным преобразователем тензорезистив-ных датчиков, расчитанные по приведенным в таблице формулам значения относительных деформаций могут быть использованы только тогда, когда база тензорезистора, устанавливаемого на упругий элемент, пренебрежительно мала по сравнению с длиной упругого элемента. Если это условие не выполняется, то необходимо определять средние значения относительной деформации, соответствующие длине базы тензорезистора и месту его установки на упругом элементе.

ной величиной обычно бывает перемещение центра мембраны. При использовании деформации в качестве информативного параметра выходного сигнала мембраны следует иметь в виду наличие зон деформации сжатия и зон деформации растяжения ( 5.2). Рекомендации по выбору геометрических размеров мембраны в этом случае будут такими же, как и для мембран, предназначенных для преобразований усилий. Как видно из табл. 5.2, жесткая мембрана обладает большими возможностями регулирования чувствительности. Действительно, относительная деформация при прочих равных условиях равна отношению квадрата радиуса к квадрату толщины, следовательно, небольшие изменения геометрических размеров позволяют получать значительные изменения относительной деформации. В других упругих элементах относительная деформация определяется первой степенью этого отношения.

Если Рд и рп — температурные коэффициенты линейного расширения исследуемой детали и подложки тензорезистора, то относительная деформация тензорезистора, обусловленная изменением окружающей температуры на Д9,

ческого упругого элемента (здесь е и о — относительная деформация упругого элемента и механическое напряжение в точке приклеивания тензорезистора; б — преобразуемое перемещение).

Так как относительная деформация поверхности упругого элемента не должна превышать предельной деформации етах тензорезистора (последняя указывается в паспорте тензорезистора), то максимальное значение преобразуемого перемещения.

где е - относительная диэлектрическая проницаемость заполняющего конденсатор диэлектрика (безразмерная величина).

Так принято называть линию, у которой поперечная конфигурация проводников неизменна по длине, а параметры заполняющей среды, такие как относительная диэлектрическая проницаемость е и относительная магнитная проницаемость \л, постоянны в пространстве. Будем вначале полагать, что источники, создающие токи и напряжения в линии, находятся вне рассматриваемой области пространства. В этом смысле можно говорить о том, что будут изучаться свободные колебания распределенных систем.

Погонная емкость. Задача вычисления погонной емкости коаксиальной линии сводится к нахождению емкости метрового отрезка цилиндрического конденсатора. Считаются известными относительная диэлектрическая проницаемость заполняющего диэлектрика е а также а и b — радиусы внутреннего и внешнего проводников со ответственно. Решение основано на известной из электростатик-теореме Гаусса. Окончательная 'расчетная формула имеет вид

Материал Относительная диэлектрическая проницаемость Тангенс угла потерь на частоте 1000 МГц

Приведенная здесь программа с именем WSTRP осуществляет расчет волнового сопротивления указанной линии передачи по формулам (2.14) или (2.15) в зависимости от величины отношения b/h. Содержательный смысл примененных идентификаторов следующий : В — ширина полоски, Н — толщина диэлектрической подложки, Е — относительная диэлектрическая проницаемость, W — найденное значение волнового сопротивления.

Исходными данными к расчету служат относительная диэлектрическая проницаемость подложки е, ее толщина h, геометрические размеры bo, b\, 6j, Ь3, iu, l\> lz, 4, заданные в миллиметрах, границы частотного диапазона fmm и fmar в гигагерцах, а также N — количество внутренних частотных интервалов (частотная характеристика рассчитывается в:М+1 равноотстоящих точках).

где a, b, c, r, s, p, k, t — нормирующие коэффициенты; / — длина подложки; р2 — плотность металла; р0 • — максимально допустимая сила воздействия на диэлектрический слой; Я1, Х2 — теплопроводность диэлектрика и металла; ег, е0 — относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика и диэлектрическая постоянная. Минимум функций KI и К2 достигается при следующих значениях Л2 и Лг:

где е, — относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика линии.

Исходный материал --------- 1 ----- Относительная диэлектрическая проницаемость Диэлектрические потери 10' (/=10 ГГц) Коэффициент теплопроводности Вт/(см"° С) \ . Применение в ГИС СВЧ-диапазона

где N—число промежутков между пластинами; S—геометрическая площадь поверхности пластины; 5 —расстояние между пластинами; гг>:1, р.м — относительная диэлектрическая проницаемость и удельное сопротивление электролита; 8„= 10 ~9/(36т:) Ф/м- электрическая постоянная.

Определение состава и строения веществ связано с измерением таких электрических и магнитных величин, как удельная электрическая проводимость 0, относительная диэлектрическая проницаемость г и относительная магнитная проницаемость ц. Так, на-