Относятся следующие

Высокомегаомные резисторы. К этой группе относятся резисторы, имеющие сопротивление от 107 до 1212 Ом. Обычно в качестве высоко-мегаомных используют композиционные пленочные резисторы (СЗ). Их применяют в специальных физических приборах, в измерительной технике и ряде других случаев. К этой группе относят резисторы СЗ-10, СЗ-13, СЗ-14 и др.

Модели пассивных компонентов. К пассивным компонентам МДП-структур относятся резисторы и конденсаторы. В полупроводниковой подложке могут быть реализованы либо диффузионные резисторы, рассмотренные в гл. 2, либо резисторы на основе структуры МДП-транзистора, изображенные на 3.13 для случая транзистора с индуцированным р-каналом с использованием затвора в качестве электрода, управляющего сопротивлением резистора ( 3.13, а), и при объединенных выводах затвора и стока ( 3.13, б).

К пассивным компонентам относятся резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, механические демпферы, пружины, пары масса-земля, редукторы, рычаги, блоки, трансформаторы, гидравлические и пневматические преобразователи и т. д.

Резисторы делятся на два класса: проволбчные и непроволочные. К проволочным относятся резисторы с проводящими элементами из провода или ленты, к мепроволочным — в которых в качестве проводящих элементов используются специальные объемные структуры физического тела или поверхностные слои, образованные на базовых изоляционных деталях.

К углеродистым резисторам общего назначения относятся резисторы типа ВС, предназначенные для работы при температуре —60-г- +100° С и в условиях относительной влажности окружающего воздуха до 98% при +40° С ( 1.8).

элементам которой относятся резисторы R6, R5. По сигналу глубина обратной связи несколько занижена с помощью резисторов R4, R7 и конденсаторов большой емкости С2, СЗ.

К пассивным элементам полупроводниковых- интегральных микросхем относятся резисторы и конденсаторы. Индуктивности применяют сравнительно редко из-за ограничения площади, на которой реализуются индуктивности приемлемых номиналов.

Резисторы характеризуются номинальной величиной сопротивления; классом точности (к I классу относятся резисторы с допустимым отклонением сопротивления от номинального значени-я до 5%, ко II классу— до 10%; к III классу — до 20%); номинальной мощностью рассеяния и некоторыми другими данными.

Если от величины сопротивления резистора зависит режим работы цепи, то следует применять резисторы с допуском 5 или 10%. К ним относятся резисторы в цепях эмиттера и базы транзистора.

Если от величины сопротивления резистора зависит режим работы цепи, то следует применять резисторы с допуском 5 или 10%. К ним относятся резисторы в цепях эмиттера и базы транзистора.

Пополнительные команды ввода-вывода выполняются в привилегированном режиме, если разряд «управление мультиплексированием» управляющего регистра 0 установлен в 1. К дополнительным относятся следующие команды ввода-вывода.

К другим недостаткам пластмассовых труб относятся следующие: резкое ухудшение механических свойств при повышении температуры: большой коэффициент линейного расширения; нестойкость по отношению к нефти и нефтепродуктам (бензину, керосину, минеральным маслам); подверженность порче грызунами; горючесть (особенно полиэтиленовых труб, в связи с чем не допускается их применение во взрыво- и пожароопасных установках).

Очевидно, что параметры сигнала зависят от того, к какому классу относится ФА. При этом понимается совокупность рассмотренных признаков классификации. Следовательно, конкретные параметры сигналов разные. Однако существуют общие для всех систем ФС характеристики, которые определяют качество анализа изображения оригинала на передающей стороне и параметры сигнала. К ним относятся следующие. Шаг развертки 6 = h/z факсимильного изображения [см. выражение (1.4)], определяемый характером передаваемого изображения и размером наименьшей детали на оригинале, которую необходимо передать. Чем меньше размер деталей в передаваемом изображении, тем меньше должен быть шаг развертки. Для того чтобы на копии не была заметна строчная структура воспроизводимого изображения, необходимо б выбирать равной размеру наименьшей детали. Такая деталь должна быть также больше (или

Перегрев и воспламенение изоляции трансформаторов возникают при различных аварийных явлениях, к которым относятся следующие короткие замыкания — межвитковые, между фазами, между фазой и корпусом, между обмотками высшего и низшего напряжения. Причинами коротких замыканий могут служить: плохое вы-полнение изоляции катушек заводом-изготовителем, например, повреждение ее во время запрессовки катушек, длительные перегрузки трансформаторов, при которых изоляция быстро стареет и становится хрупкой, замыкание отводов — проводов, отходящих от обмоток к выключателям, и др.

конвекции влияет около десяти физических и геометрических величин. На основе теории подобия можно объединить физические и геометрические параметры; в этом случае тот же процесс можно описать с помощью небольшого числа безразмерных комплексов. К наиболее используемым безразмерным комплексам относятся следующие критерии подобия: Нуссельта (Nu), Грасгофа (Gr), Прандтля (Рг), Рейнольдса (Re) и др. Они определяются

Унарные операции - нуждаются в одном агрументе слева от знака операции. Все бинарные операции выполняются справа налево с учетом скобок. Эти операции имеют наивысший приоритет. К унарным операциям относятся следующие:

К основным свойствам электротехнических материалов (ЭТМ) относятся следующие:

К сточным водам ТЭС относятся следующие воды: содержащие нефтепродукты, после обмывки поверхностей нагре:за паровых котлов, сбросные после установок химической очистки, консервации и промывок оборудования, а также систем гидрозолоудаления.

К полупроводниковым материалам относятся следующие десять элементов: бор, германий, кремний, углерод, мышьяк, фосфор, селен,

Существует ряд методов описания и анализа работы ИО с числом сравниваемых величин Я^2. К ним относятся следующие: аналитический; с использованием комплексных плоскостей (обычно сопротивлений) , элементов векторной и булевой (логики) алгебр, статистических испытаний — моделирования (метод Монте-Карло); с использованием плоскости вольт-амперных характеристик (ВАХ). До 40-х годов обычно применялись аналитические методы в элементарном, несистематизированном виде. В 40-е и последующие годы в отечественной практике и за рубежом широкое распространение получил метод с использованием комплексной плоскости, в том числе и в учебных пособиях по элементам автоматических устройств электроэнергетики [37, 38]. В последние годы, в особенности в связи с намечаемым широким внедрением микропроцессорной техники, вновь большое внимание начинают уделять аналитическому методу в современной его интерпретации [9, 16].

Токовые защиты, реагирующие на установившиеся значения высших гармоник. По разработкам ВНИИЭ (В. М. Кискачи др.) промышленностью выпускается или готовится к выпуску значительное число исполнений таких защит, получивших широкое применение [48]. В настоящее время они строятся на современной микроэлектронной элементной базе и предназначены для включения на ТА нулевой последовательности. В [48] отмечается ряд мероприятий, направленных на повышение технического совершенства в разных вариантах таких защит. К ним, в частности, относятся следующие: фильтрация воздействующих величин с целью отстройки от слагающих рабочей частоты, могущих неблагоприятно влиять на эффективность функционирования; обеспечение работы при перемежающихся замыканиях; подпитка цепей тока от устройства, моделирующего с запасом мгновенное значение тока защищаемого присоединения согласно выражению iocn=3Coaduo/dt и компенсирующего бросок емкостного тока присоединения; устройства для защиты от больших токов /к при /Сдв'1* и некоторые другие.