Отношение подвижностей

Некоторые поверхностные состояния создают вблизи середины запрещенной зоны энергетические уровни, которые являются уровнями рекомбинационных ловушек. Рекомбинационными ловушками могут быть только быстрые поверхностные состояния, так как время перехода носителей на медленные поверхностные состояния очень велико. Явление поверхностной рекомбинации принято характеризовать скоростью поверхностной рекомбинации носителей заряда, которая определяется как отношение плотности потока носителей заряда у поверхности полупроводника к избыточной концентрации этих носителей у поверхности, т. е.

ском переходе вводят аналогично скорости поверхностной рекомбинации [см. (1.36)] как отношение плотности потока носителей заряда через переход к избыточной концентрации этих носителей у перехода, т. е.

Тогда отношение плотности тока генерации к плотности тока насыщения с учетом (1.19) пропорционально следующим вели-

\ ^/^ —20° С); б — отношение плотности

Интегрирование должно быть произведено один раз по всему объему первого проводника и другой раз по всему объему второго проводника, причем г есть расстояние между элементами объемов dVv и flfV2. Полученная формула верна только в случае однородной в магнитном отношении среды, так как использованное при ее выводе выражение для векторного потенциала справедливо только в этом случае. В частности, и магнитная проницаемость материала самих проводников должна быть такой же, как и проницаемость окружающей среды. Как было ранее отмечено, при \i = const взаимная индуктивность не зависит от токов в контурах. Наличие токов t'x и г'2 в последнем выражении не противоречит этому положению. Действительно, внеся токи под знаки интегралов, мы получим в подынтегральном выражении отношения 6г/1\ и 62/z'2, которые характеризуют распределение токов в проводниках. Но при постоянном токе распределение тока зависит только от формы проводника и не изменяется при изменении тока. Поэтому отношение плотности тока в каждой точке проводника ко всему току полностью определяется формой проводника.

177Б.6. Определить отношение плотности тока у поверхности цилиндрического проводника с радиусом а = 2 мм к плотности тока на оси проводника при частотах со1 = 2я-50 рад/с и

Отношение плотности тока у поверхности медного проводника к плотности тока на его оси определяется отношением

Разрядные напряжения воздушных промежутков зависят от метеорологических факторов: относительной плотности воздуха и его абсолютной влажности. Относительной плотностью воздуха называется отношение плотности при давлении р и температуре t к плотности воздуха при стандартных условиях (ра = 760 мм рт. ст., to = 20° С). Так как плотность воздуха прямо пропорциональна давлению р и обратно пропорциональна абсолютной температуре Т, можно записать, что относительная плотность воздуха б равна

должна быть такой же, как и проницаемость окружающей среды. Как было ранее отмечено, при \х - const взаимная индуктивность не зависит от токов в контурах. Наличие токов ц и г2 в последнем выражении не противоречит этому положению. Действительно, внеся токи под знаки интегралов, получим в подынтегральном выражении отношения J\/i\ и J-Jii, которые характеризуют распределение токов в проводниках. Но при постоянном токе распределение тока зависит только от формы проводника и не изменяется при изменении тока. Поэтому отношение плотности тока в каждой точке проводника ко всему току полностью определяется формой проводника.

7. Определите отношение плотности энергии электрического и магнитного полей в воздухе при В = 1,5 Тл, Е = 30 кВ/см.

мишени составляло 10 В. Коэффициент усиления фотопроводимости определяется как отношение плотности фототока к падающему потоку фотонов при каждой длине волны. На этом рисунке приведен также график коэффициента оптического поглощения a-Si: Н той же толщины. Следует отметить, что коэффициент усиления фотопроводимости (или эффективность генерации носителей) близок к единице и не зависит от длины волны при рассмотрении отражения падающего света от поверхности.

где 6 = [х„/цр-—отношение подвижностей электронов и дырок (в слаболегированном кремнии при 300 К ? = 1330/ 495 = 2,7).

где Аи, Ар — изменение концентрации электронов и дырок, (ins и M.PS — их подвижности в приповерхностном слое, 6=!Ап«/'Цр« — отношение подвижностей.

где Arts, Aps — изменение концентраций электронов и дырок в поверхностном слое; tins, tip,, — их подвижности; b = «ns/«ps — отношение подвижностей. Изменение проводимости образца в целом определяется интегралом

где 6 =-------отношение подвижностей носителей

При электролизе положительные ионы (катионы) уходят от анода к катоду, а отрицательные ионы (анионы) удаляются от катода. Поэтому концентрация электролита в приэлектродных областях изменяется. Гитторф еще в середине прошлого века показал, что, определяя эти изменения концентрации, можно найти отношение подвижностей ионов обоих знаков.

Рассмотренное явление важно в том отношении, что, измеряя на опыте изменения концентрации электролита у анода и катода, можно определить отношение подвижностей обоих ионов. Измеряя же электропроводность, можно найти сумму этих подвижностей. Зная же сумму и отношение подвижностей, можно определить и каждую из подвижностей аниона и катиона порознь,

В формулах (1.16), (1.17) ka — постоянная Больцмана, е—заряд электрона, b0 — отношение подвижностей электронов и дырок, л — равновесная концентрация электронов, р±, р2 — концентрации дырок при температурах Tj и Та, Qn, Q* — средние значения кинетической энергии, переносимой электроном и дыркой.

где Ь — отношение подвижностей электронов и дырок.

6=Цп/(Хр—отношение подвижностей электронов и дырок

стом температуры меняются подвижности носителей заряда, отношение подвижностей и времена жизни. Очевидно, соответствующие изменения этих величин в зависимости от температуры могут также приводить к образованию участка отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике диода.

Как видно из сравнения с (7.20), отношение подвижностей входит в эту формулу в большей степени. Поэтому тензочувствительность я+—р—я+-транзистора в этом случае может быть выше, чем у отдельно взятого р—«+-перехода.