Отношение концентраций

Входное сопротивление Z^ - отношение комплексного входного напряжения UBX к комплексному входному току /вх.

Выходное сопротивление Z^n — отношение комплексного значения эквивалентной э. д. с. ?bK = fc^ L/BX к выходному току /вых при коротком замыкании на выходе усилителя (йеш = 0).

Коэффициент усиления по напряжению в режиме холостого хода km — отношение комплексного выходного напряжения усилителя к комплексному входному при холостом ходе на выходе усилителя (/вых = 0).

Одним из важнейших показателей, характеризующих свойства усилителя, является его комплексный коэффициент усиления, который в общем случае можно представить как отношение комплексного напряжения на выходе усилителя к комплексному напряжению на его входе:

Комплексный коэффициент усиления /Сос усилителя при наличии обратной связи в общем случае может быть найден как отношение комплексного выходного напряжения с/вых к комплексному входному t/BX напряжению:

как отношение комплексного напряжения на выходе цепи

по напряжению: Ки — /Co/V + (WT» — 1/шт?,), где /Со — коэффициент усиления по напряжению каскада на средних частотах /?!>Лп, /Со = /121ЯкЯн/(/?к + /?-и+/122/?и/?к), где TB — постоянная времени усилительного каскада на верхних частотах (т„= Со/?вых = СоХ ХЯкЯн/(Як + R« + /i22#J?«); тн — постоянная времени усилительного каскада на нижних частотах без учета влияния емкости СТн= Сс/?вы.х = Сс/?к/?н//?к + /?н + ЛгаЛк/?... На практике используется схема с общим эмиттером, так как она позволяет усиливать не только напряжение, но также ток и мощность. Типовая схема усилительного каскада с общим эмиттером показана на 6.1.11. Резисторы R\, R%, /?K в схеме обеспечивают необходимые значения постоянных напряжений на коллекторном и эмиттерных переходах при питании всех цепей транзистора от одного общего источника питания Е». Резистор R, обеспечивает температурную стабилизацию рабочей точки, что для транзисторных усилительных схем очень существенно. С ростом температуры постоянная составляющая тока эмиттера /,о возрастает, вследствие чего увеличивается падение напряжения /?,/,п на резисторе /?„ при этом потенциал эмиттера относительно базы снижается, что уменьшает постоянную составляющую тока базы и ограничивает степень нарастания тока покоя в цепи коллектора. Для устранения этого воздействия при прохождении по цепям транзистора переменных составляющих резистор /?, шунтируется конденсатором С,. Конденсаторы С\ и Сс предназначены для предотвращения попадания постоянной составляющей тока от источника питания и сигнала на выход и вход усилительного каскада. Одним из важнейших показателей, характеризующих свойства усилителей, является его комплексный коэффициент усиления, который в общем случае можно представить как отношение комплексного напряжения на выходе усилителя к комплексному напряжению на его входе: /С= U_*^/U_,> =

Коэффициент Z21 = ?/2/?i 1/=о — отношение комплексного действующего напряжения на разомкнутых зажимах 2 — 2 четырех-

Если считать напряжение на зажимах, воздействующее на цепь, входной величиной, а ток цепи — выходной величиной, то отношение комплексных выходной и входной величин, зависящее от частоты, называется амплитудно-фазовой частотной характер и с т и к о и. Можно рассматривать и отношение комплексного напряжения любого участка цепи, например напряжения па зажимах катушки индуктивности (см. 2-35) или комплексного тока в ветви с конденсатором (см. 2-38) к комплексному входному напряжению О и др. Для электрического двигателя можно определить эту частотную характеристику как отношение комплексной скорости к комплексному напряжению, зависящее от частоты. Для любой системы частотная характеристика является отношением комплексной интересующей нас физической величины к комплексному входному воздействию.

Отношение комплексного напряжения О к комплексному току / называют комплексным сопротивлением цепи и обозначают Z. В соответствии с изложенным в предыдущем параграфе имеем

где г, х и г — активное, реактивное и полное сопротивления цепи. Отношение комплексного тока / к комплексному напряжению О называют комплексной проводимостью цепи и обозначают Y. Имеем

Кроме того, примеси кипящей воды переносятся в пар за счет их растворимости. Количественной характеристикой растворимости различных соединений в насыщенном паре является коэффициент распределения К,р, представляющий собой отношение концентраций растворенных в паре и воде веществ /Ср = cn/csv_

Если коэффициент очистки по концентрату (отношение концентраций примесей кубового остатка и очищенного пара) принять равным 10е, то 100 г/кг солесодержания в основном аппарате будет соответствовать 100: 106=10~4 г/кг (0,1 мг/кг) в очищенном паре и 100:104=10-2 г/кг (10 мг/кг) — в неочищенном паре при нулевом расходе промывочной воды. Приведенный пример показывает необходимость сепарации и промывки генерируемого пара.

Определить: а) отношение концентраций основных и неосновных носителей заряда; б) диффузионную длину для дырок; в) плотность дырочного тока.

Отношение концентраций на глубинах Rp ± &.Rp и Nmax

Когда в растворе электролита имеются разновалентные ионы, образованные одним и тем же химическим элементом, например Fe+2 « Fe+3, при погружении в него платинового или другого аналогичного инертного электрода на границе с раствором устанавливается динамическое равновесие между этими ионами. Равновесный потенциал, как и в случае металлического электрода в растворе его соли, определяется алгебраической суммой стандартного потенциала и члена, характеризующего концентрацию веществ, т. е. отношение концентраций разновалентных ионов железа:

теряемую в среднем при каждом неупругом соударении. В последнем члене первая дробь определяет отношение вероятности соударений второго рода к полному их числу, а вторая — отношение доли возвращаемой электронам энергии к их средней энергии. Третий множитель определяет отношение концентраций возбужденных атомов к числу электронов.

где индексы 1 и 2 относятся к первому и второму (основному и примесному) компонентам. Кр показывает, во сколько раз отношение концентраций компонентов в паре отличается от этого отнощения в исходном испаряющемся материале.

жекции дырок в базе диода, когда отношение концентраций &р(х)/п„о~^> 1. Первоначально р-п переход находится в равновесных условиях. В момент времени ^=0 начинается инжекция дырок в базу, напряжение U увеличивается и стремится к контактной разности потенциалов р-п перехода ( 1.29,6). Начальное падение напряжения на сопротивлении базы и\ = 1\гьп и может значительно превышать контактную разность потенциалов ( 1.29,0). По мере накопления дырок в силу квазиэлектронейтральности (Д«~Др) в базе увеличивается концентрация и дырок, и электронов. Это приводит к увеличению (модуляции) проводимости базы диода, а поэтому к уменьшению ГБ- Падение напряжения на сопротивлении базы, как показано на 1.29, в, уменьшается. Это явление при больших токах приводят к выбросу начального напряжения на диоде, как показано на 1.29, г.

о отношение концентраций N(x, t)/Ns можно записать в виде

Следовательно, отношение концентраций в окончательном виде

Второй метод основан на изменении скорости вытягивания затравки из расплава, содержащего акцепторные и донорные примеси. Дело в том, что объем входящих в растущий кристалл примесей зависит не только от их содержания в расплаве, но и от скорости вытягивания. Величина коэффициента распределения /<"pacil (отношение концентраций примесей в твердой и жидкой фазах) для донорных примесей выше, чем для акцепторных. Так, при использовании для германия доноров Р и As величина /<С,асп = = 0,12 -т- 0,14, а акцептора In /Cp:,CII = 0,001. Допустим, что в расплаве донорные примеси содержатся в избытке по сравнению с акцепторными, тогда при медленном вытягивании монокристалла в нем будет получаться n-область, а при быстром р-область. Это объясняется тем, что при малой скорости вытягивания акцепторная примесь, вытесняемая в жидкую фазу, успевает диффундировать в расплаве и его состав выравнивается.