Отличается простотой

Только при подаче сигналов А и В открываются транзисторы 7\ и Т2 и в нагрузку поступает выходной сигнал. При подаче сигнала С транзистор Т3 открывается и в на-

ТТЛ-схема более чувствительна к помехе U®OM, которая накладывается на сигнал 1/°* и вызывает ложное переключение схемы (С/„ом< и„ом). Схема ( 5.18) считается переключенной, если под действием помехи ?/пом открываются транзисторы VT2 и VT4, для отпирания которых требуется двойное пороговое напряжение ?/пор2 + ^пор4*2Г/пор. Тогда условие сохранения первоначального состояния схемы при действии помехи можно записать как

В (9.14) принято, что сопротивление открытого диода V5 близко-к нулю. В действительности же при малых значениях тока это сопротивление оказывается достаточно большим, т. е. реальное зна-чение froT окажется несколько большим определенного из (9.14). При выборе типа транзистора V7 в соответствии с (9.13) может оказаться, что из выпускаемых в данный момент времени транзисторов наибольшее значение р7//к.<>7 будет у транзистора типа п-р-п, например КТ342. В этом случае можно выполнить элемент выдержки времени по схеме 9.3. До запуска элемента транзисторы V4, V8 и VII закрыты, a V12 открыт. С момента начала отсчета выдержки времени открывается транзистор V4, а по истечении выдержки времени открываются транзисторы V8 и Vll, a V12 закрывается. В остальном по принципу действия схема не отличается от схемы на 9.1.

Матрицы на основе МОП-транзисторов обеспечивают наиболее высокую плотность компоновки элементов, имеют минимальную потребляемую мощность, однако уступают по быстродействию матрицам на биполярных транзисторах. На 3.9 показан фрагмент ПЛМ на МОП-транзисторах. Здесь штриховые контуры обозначают границы тонкого оксида, что свидетельствует о наличии МОП-транзисторов в соответствующих областях матрицы (состояние логической единицы). В ПЛМ на КМОП-тран-зисторах для сокращения числа нагрузочных р-МОП-транзисторов Та ( 3.10) можно применить тактирование импульсом (ТИ). При подаче на вход ТИ напряжения низкого уровня закрывается заземляющий п-МОП транзистор Т3, открываются транзисторы Тн и происходит заряд емкостей выходных шин до напряжения логической единицы. Входные сигналы на шинах a, b заряжают входные емкости транзисторов матрицы. При подаче напряжения высокого уровня тактовыми импульсами закрываются транзисторы Гн, открывается транзистор Т3. Так как транзисторы матрицы уже подготовлены (их входные емкости заряжены), происходит достаточно быстрое установление уровней напряжения на выходах ПЛМ.

Усилительный элемент, показанный на 116, б, является, инвертором. Если на вход х поступает сигнал х = О, то транзисторы 77 и ТЗ закрыты, а Т4 открыт. В результате на выходе схемы образуется высокий уровень напряжения (у = 1). ЕСЛИ на входе х напряжение имеет высокий уровень (х = 1), открываются транзисторы 77 и ТЗ, а Т4 закрывается и обеспечивает на выходе низкий уровень напряжения (у = 0).

Триггер ячейки памяти ОЗУ микроЭВМ может быть выполнен на основе МОП-транзисторов ( 131, в). В этой схеме собственно триггер образован транзисторами VT4, VT6 и транзисторами VT3, VT5, используемыми в качестве стоковых резисторов. Транзисторы VTI, VT2 и VT7, VT8 при напряжениях логического О на линиях выборки «X» и «У» заперты и триггер, таким образом, отключен от линии А, В записи-чтения данных. Когда на линии выборки «X», «У» подается сигнал 1— разрешение чтения, то одновременно открываются транзисторы VTI, VT2 и VT7, VT8 и в линии данных (точки А, В) считывается состояние триггера (т. е. какой из транзисторов VT4 или VT6 открыт, какой заперт) без разрушения записанной информации. Если необходимо записать новую

Информация считывается при подаче сигнала разрешения — логической 1 на линии «X» и «У» выборки чтения. При этом открываются транзисторы VT3 и VT4 и на сток транзистора VT5 подается напряжение питания. Если конденсатор С заряжен и на нем действует положительное напряжение логической 1, то транзистор при подаче на его сток положительного напряжения открывается и на выходе линии чтение данных действует напряжение логического 0 (т. е. происходит инверсия записанной на конденсаторе С логической 1). Если конденсатор С разряжен (т. е. на нем записан 0), то транзистор оказывается запертым и на линии чтение данных действует уровень логической 1 (т. е. инверсия запомненного на конденсаторе С нуля). Таким образом, энергия питания потребляется только на зарядку-подзарядку конденсатора С и во время чтения 1.

Когда приходит импульс Ф2, открываются транзисторы Т4 и и Т5. При этом конденсатор СЗ также разряжается через открытые транзисторы Т4 и ТЗ. Потенциал точки Р2 понижается до нулевого уровня, и транзистор Т6 закрывается. Конденсатор С4 будет заряжаться до напряжения питания Un от источника через открытый транзистор Т5. После окончания импульса Ф2 потенциал точки Р3 будет сохраняться на заряженном конденсаторе.

Если на входе схемы был «О» в момент прихода импульса Фъ конденсатор С1 разрядится через 77 и транзистор ТЗ окажется закрытым. Тогда конденсатор С2 зарядится через открытый Т2 до (/п. Когда импульс Фг закончится, закрываются транзисторы 77 и Т2, ТЗ остается закрытым. Потенциал точки Я, соответствует «1». С приходом Ф2 открываются транзисторы Т4, Т5 и заряжается конденсатор СЗ через Т4 от конденсатора С2. Значения емкостей конденсаторов С2 и СЗ подбирают так, что бы при их перезарядке потенциал в точке Я2 был выше порога отпирания Т6 и транзистор Т6 открывался, создавая условия для понижения потенциала в точке Р3 до уровня, соответствующего сопротивлению открытого

лизовано в данной схеме дешифратора. Триггер / управляет транзисторами Та (четный) и Т6 (нечетный). При открывании транзистора Та появляется цепь для зажигания четных лампочек, а нечетные включаются через транзистор Тб. Так, при появлении отрицательного напряжения на шине 8—9 открываются транзисторы Ts и Т», но загорается только одна лампочка Л$, если открыт транзистор Т$. Если же открыт транзистор Тп, то загорается лампочка Л№. Подключение диодов к шинам выполнено на основании данных о состоянии триггеров, приведенных в табл. 13-1. Например, для того чтобы на шине 8—9 было отрицательное напряжение, все диоды, подключенные к данной шине, должны быть связаны с вы-

На 122, б показана схема двухтактного фазочувстви-тельного усилителя, в нагрузке Rv которого напряжение появляется, когда фазовые соотношения между напряжениями Uc и U on соответствуют полярностям, указанным у выводов трансформаторов 77 и Т2 без скобок. В этот полупериод транзисторы VT1 и VT4, открытые током Лл сигнала, проходящим через их эмиттерные переходы, проводят ток. В следующий полупериод открываются транзисторы VT2 и VT3. Напряжение на нагрузке представляет собой последовательность полупериодов синусоидального напряжения. При изменении фазового сдвига на противоположный транзисторы будут закрыты и напряжение на нагрузке будет равно нулю. При промежуточных между 0 и 180° фазовых сдвигах между напряжениями t/c и Uaa напряжение на нагрузке будет изменяться от нуля до максимального значения.

Склеивание применяют для соединения материалов в самых различных сочетаниях. Соединения, полученные склеиванием, обладают высокой долговечностью, коррозионной стойкостью, теплоизолирующими, звукопоглощающими, демпфирующими свойствами, герметичностью. Технологический процесс склеивания отличается простотой, низкой себестоимостью сборки, легко может быть переведен на поточное производство. В настоящее время широко применяют комбинированные методы неразъемных соединений — клеесварные и клееклепеные.

Электропривод с комплектным устройством ШДГ-6704 представляет собой асинхронный вентильный каскад с промежуточной цепью постоянного тока и комбинированной схемой реостатного пуска. Такая схема асинхронного вентильного каскада отличается простотой и надежностью, хорошо унифицируется по составу оборудования с другими системами тиристорного электропривода, име-

Построение феррит-транзисторных ячеек и схем на их основе отличается простотой схемы, некритичностью характеристик транзисторов и сердечников и невысокими требованиями к уровню питающих импульсов, допускающими применение печатного молпажа.

Нелинейная характеристика условно заменяется прямой линией, и тем самым задача сводится к решению линейного дифференциального уравнения. Найденное приближенное линейное решение затем уточняется по заданной нелинейной характеристике. Метод отличается простотой и применяется для ориентировочных расчетов.

Технология изготовления пластинчатых магнитопроводов. Пластинчатый магнитопровод представляет собой пакет, собранный из пластин, изготовленных штамповкой из тонколистовой стали. Такая конструкция магнитопровода отличается простотой изготовления, хорошими магнитными свойствами, небольшими потерями на вихревые токи. Магнитопроводы бывают двух основных типов: броневые и стержневые.

Такой метод градуировки отличается простотой и применим для самых точных приборов. Главным недостатком является низкая производительность, и с точки зрения техники безопасности еп> нельзя применять при градуировке приборов, рассчитанных на напряжение свыше 150 ... 300 В.

щихся в момент начала отсчета времени расположением относительно нейтрали (при чл = 0; %<0; фз>0), и соответствующая этим графикам векторная диаграмма (см. 4.4, в) . Уже при первом взгляде на 4.4, б, в можно заметить, что изображение синусоидальных значений с помощью векторов отличается простотой и наглядностью. Однако векторные диаграммы применяют главным образом потому, что сложение и вычитание одноименных синусоидальных величин, неизбежные при расчете электрических цепей переменного тока, наиболее просто выполняются в векторной форме.

почернения. В результате записи создается черно-белое изображение с оптической плотностью D в пределах 0,35—1,3 с почти линейной зависимостью D от тока записи. Разрешающая способность примерно 4 линий/мм, ток записи белого и черного полей соответственно 4—5 и 35—50 мА. Способ отличается простотой и оперативностью, обеспечивает высокое качество записи двухградационных изображений. Недостатками способа являются невозможность высококачест-

Описанный метод отыскания ЦЭН отличается простотой и наглядностью, его легко реализовать на ЦВМ. Погрешность расчетов по этому методу не превышает 5 — 10%. При необходимости можно воспользоваться более точными методами [18] .

включена в схему тремя точками а, бив. Отсюда и название схемы — трехточечная. Эта схема отличается простотой: не требует трансформаторной обратной связи, поэтому она широко применяется в установках промышленной электроники. Катод лампы обязательно под- 7.5. Индуктивная трехточечная ключают к точке б катушки контура, схема т. е. между анодом (точка в) и сет-

Модель Эберса — Молла ( 3.22) отличается простотой и хорошо отражает отсутствие принципиального различия между обоими переходами и их обратимость, которая