Открывает транзистор

В групповой поточной линии, т. е. при одновременной обработке деталей разной конфигурации, наладка оборудования производится иа комплексную деталь (см. § 1.1), включающую все геометрические элементы деталей данной группы. Более простые, чем комплексная, детали группы изготовляют с пропуском отдельных инструментов и позиций или при незначительной переналадке линии. Все закрепленные за линией детали производят гартиями: при обработке каждой партии линия работает как непрерывно-поточная. Линии такого типа называют переменно-поточным и. Они могут быть обычными и автоматическими. Эффективность применения переменно-поточных линий зависит от подбора деталей, времени на переналадку, конструкций приспособлений и схем наладок. Во всех случаях надо стремиться к тому, чтобы технологическая себестоимость и время групповой обработки (включая переналадку линии) были меньше, чем при индивидуальной обработке. При хорошо продуманных технологии и способах наладки эти линии дают значительное снижение трудоемкости и себестоимости изготовления изделий, лучше используется оборудование, открывается возможность применения более прогрессивных методов обработки.

Этим открывается возможность применять тахогенератор в качестве элемента счетно-решающей техники, например для умножения двух величин, одна из которых изменяет ток возбуждения, а другая — частоту вращения вала тахогенератора.

Объединение электростанций в энергосистемы дает существенные технико-экономические преимущества: значительно повышается надежность электроснабжения потребителей; более рационально распределяется нагрузка, снижаются необходимые резервы мощности на электростанциях; открывается возможность увеличения единичной мощности генераторов и электростанций, что позволяет снизить себестоимость электроэнергии и сократить расходы топлива за счет более полного использования гидроэлектростанций и более экономичной работы тепловых электростанций.

пульса С триггер переключается: на выходе Q появляется сигнал 1 ( 109, г), а на выходе Q действует 0. Вследствие этого на входе 1 верхней схемы И действует 0 и по входу J информация на вход S собственно триггера проходить не может. На входе 2 нижней схемы И действует сигнал 1, в результате чего открывается возможность импульсам управления проходить от входа К в триггер. Поэтому если на входе К начинает действовать сигнал 1, то при поступлении на вход синхронизации импульса С , триггер переключается и возвращается в исходное состояние. Условное изображение двухступенчатого //С-триггера дано на 109, д.

Теорема эквивалентности позволяет свести задачи диагностики к задачам анализа цепей, имеющих такие же топологические структуры, что и диагностируемые цепи. Тем самым открывается возможность использования методов анализа электрических цепей, в частности топологических, при диагностике и исследовании чувствительности решений к изменению различных параметров (экспериментальных данных Uj, оценок g0/, /=1, п, коэффициентов 0,-j весовой матрицы 0). Заметим, что псевдорешение может быть найдено и чисто формально:

Как уже отмечалось ранее, важным вопросом является выбор весовой функции. Он должен быть тесно увязан с видом аппроксимируемой функции: весовая функция должна достигать максимума на участке, где требуется наилучшая аппроксимация. При этом открывается возможность сокращения числа членов ряда при заданной до-

Оказывается, что эту же задачу можно решить путем анализа соотношений между коэффициентами уравнения без определения самих корней уравнения. Таким образом открывается возможность определения условия отрицательности действительных частей корней, а следовательно, и условия устойчивости системы, если известны только коэффициенты дифференциального уравнения, описывающего заданную систему. Для относительно простых систем, описываемых, например, дифференциальным уравнением второго порядка, это нетрудно показать на основе известных правил алгебры.

При параллельном включении генераторов на электрической станции энергия может быть трансформирована с помощью общих трансформаторов и передана к потребителям по общим линиям передачи. Значительно повышается надежность работы станции и открывается возможность проведения ремонта генераторов без

ния и хорошей приспособляемостью к различным условиям, благодаря чему открывается возможность встраивания соответствующей измерительной аппаратуры в имеющиеся машины и установки с целью модернизации.

Так как при облучении можно получить сколь угодно высокие концентрации точечных дефектов, открывается возможность повышения эффекта упрочнения и сокращения цикла программного нагружения за счет сочетания радиационного воздействия с механическим нагружением. На ряде металлов была показана высокая эффективность упрочнения при программном нагружении облученных образцов [62—65J. Так, например, программное нагружение образцов никеля, меди, алюминия после облучения высокоэнергетичными электронами повышает предел текучести в несколько раз при сохранении ресурса пластичности металлов f65J. Облучение кристаллов фтористого лития в напряженном состоянии сопровождается существенным упрочнением и увеличением степени пластической деформации до разрушения [66/.

Предварительно перед считыванием от разрядно-адресного коммутатора подается сигнал R, с помощью которого подготавливается считывание с мультиплексированием для ЗЭ, выбираемых линией разрядно-адресного формирователя. Сигнал /? открывает транзистор Т\, и емкость Су подзаряжается от источника. Затем на линию X подается от адресного формирователя сигнал считывания — промежуточный уровень сигнала CWR, который открывает транзистор Тз, но не может открыть Г2. Если ЗЭ хранит 1, то конденсатор С заряжен и открыт транзистор Г2. В этом случае через открытые транзисторы Т3 и Тг конденсатор Су разряжается

Поступающий на вход х схемы инвертора сигнал 1 открывает транзистор. Ток в цепи открытого транзистора протекает по цепи: корпус, транзистор Т, резистор RK, —UK. Значение тока ограничено в основном сопротивлением резистора RH, на котором произойдет основное падение напряжения. На сопротивлении •открытого транзистора произойдет небольшое падение напряжения. Потенциал коллектора становится близким к потенциалу эмиттера, и напряжение на выходе схемы ?-& будет близким к нулю (у = 0).

Изменение напряжения на выходе стабилизатора ( 174,6), например в сторону уменьшения, вызывает соответствующее изменение тока в цепи делителя напряжения базы транзистора ТЗ. Падение напряжения на резисторе R4 и регулировочном резисторе R3 уменьшается. Потенциал базы транзистора ТЗ становится более положительным и несколько закрывает транзистор ТЗ. В схеме стабилизатора транзистор ТЗ выполняет функцию элемента сравнения стабилизированного напряжения эмиттера С/оп и нестабилизированного напряжения базы ?/2вых> которое изменяется в зависимости от напряжения на выходе стабилизатора USblx. Так как транзистор ТЗ подзакрывается, то его внутреннее сопротивление увеличивается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе коллектора R1 уменьшаются. Потенциал коллектора транзистора ТЗ, а также базы транзистора Т2 становится более отрицательным и еще больше открывает транзистор Т2. Внутреннее сопротивление транзистора 12 уменьшается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R6 увеличиваются, потенциал эмиттера транзистора Т2, а также базы транзистора Т1 становится более отрицательным и еще •больше открывает транзистор Т1. Внутреннее сопротивление транзистора Т1 уменьшается, потенциал эмиттера становится

Если изменение, напряжения на выходе стабилизатора происходит в сторону увеличения и вызывает соответствующее изменение тока в цепи делителя напряжения базы транзистора ТЗ, падение напряжения на резисторе R4 и регулировочном резисторе R3 увеличивается. Потенциал базы становится более отрицательным и еще больше открывает транзистор ТЗ. Внутреннее сопротивление транзистора уменьшается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R1 увеличиваются. Потенциал на коллекторе транзистора ТЗ, а также на базе транзистора Т2 становится более положительным и больше закрывает транзистор Т2. Внутреннее сопротивление транзистора увеличивается, ток в цепи и падение напряжения на резисторе R6 уменьшаются, потенциалы на эмиттере транзистора Т2, а также на базе транзистора Т1 становятся более положительными и больше закрывают транзистор Т1. Внутреннее сопротивление транзистора Т1 увеличивается, потенциал эмиттера становится более положительным. В результате напряжение на выходе уменьшается до заданного значения.

дечнике перед считыванием будет равна — Вг. Последующая посылка считывающего импульса не изменит состояния сердечника, и на выходе будет отсутствовать импульс э. д. с. При соединении зажимов обмотки №Вых с входными зажимами транзисторного каскада, как показано на 17-42 штрихами, получаем феррит-транзисторную ячейку. При посылке считывающего импульса напряжение ивых открывает транзистор и на его выходе появляется усиленное положительное напряжение Ывых, если через обмотку W3 предварительно прошел импульс +i3. Возможны различные сочетания отдельных элементов, позволяющие получить диодно-транзисторные, феррит-диодные и другие логические элементы.

Для избирания объекта напряжение с частотой Р\ подается в течение 1—2 с. За это время конденсатор С заряжается до значения, при котором запасенная в нем энергия достаточна для срабатывания реле Р. Сопротивление перехода эмиттер — коллектор нормально закрытого кремниевого транзистора достаточно велико, поэтому его шунтированием можно пренебречь. После окончания передачи частоты FI с ДП подается колебание с частотой Fz в течение примерно 0,5—Г с. Выходное напряжение второго контура, подаваемое непосредственно или через выпрямитель на переход база — эмиттер транзистора открывает транзистор и конденсатор С разряжается на реле, вызывая его срабатывание. Реле самоблокируется постоянным напряжением в линии (цепь самоблокирования не показана).

Ек. Это большое напряжение отрицательной полярности прикладывается к базе транзистора Т2, открывая его. Теперь напряжение автоматического смещения выделяется на резисторе R3 за счет тока /к2ц транзистора Т2, обеспечивая надежное запирание транзистора 7\. И хотя входной импульс вскоре оканчивается, транзистор Tt будет закрыт, а транзистор Т2 насыщен. Следующий положительный импульс открывает транзистор T! и закрывает транзистор Т2 аналогичным образом.

Входной импульс, поступая в обмотку w,, переводит сердечник в состояние «1». Ближайший тактовый импульс, протекая по обмотке vv4, возвращает сердечник в состояние «О». При этом э. д. с., наведенная в обмотке w3, открывает транзистор TI и переводит его в режим насыщения. По окончании тактового импульса блокинг-генератор открывает ключевой транзистор Т2, замыкая коллекторную цепь транзистора Tj. Импульс тока в обмотке w2 переводит сердечник в состояние

Схема четырехтактного динамического регистра сдвига показана на 3.20, б. Тактовые импульсы Ф\— Ф4 сдвинуты относительно друг друга на длительность одного такта. Тактовый импульс Ф\ открывает транзистор Т\, и входная емкость транзистора Т6 заряжается до напряжения —Е. Если на вход транзистора Г6 подана логическая единица, то в момент прихода тактового импульса Фч входная емкость транзистора Те разряжается через транзисторы Т2 и Т5. Импульс Ф3 заряжает выходную емкость схемы до напря-

в считывающую обмотку. При этом сердечник перемагничивается от -\-Вг до —Вг и в выходной обмотке индуктируется импульс э. д. с., причем начало обмотки будет иметь отрицательный потенциал. Если через обмотку w3 прошел отрицательный импульс —1'3, индукцця в сердечнике перед считыванием будет равна —Вг. Последующая посылка считывающего импульса не изменит состояния тороида и на выходе будет отсутствовать импульс э. д. с. При соединении зажимов обмотки швых с входными зажимами транзисторного каскада, как показано на 16-58 штрихами, получаем феррит-транзисторную ячейку. При посылке считывающего импульса напряжение ывых открывает транзистор и на его выходе появляется

Мультивибратор хорошо синхронизируется импульсами t/BX от внешнего генератора ( 160, а), частота которых несколько больше частоты свободных колебаний. Если бы схема работала в автоколебательном режиме, транзистор VT1 открылся бы в момент Ь. Синхроимпульс открывает транзистор несколько раньше — в момент а. Схема принудительно переходит во второе временно устойчивое состояние, когда транзистор VT1 открыт, а транзистор VT2 — закрыт. Продолжительность этого состояния определяется постоянной цепи разряда конденсатора С2 через резистор R2. Затем схема возвращается в первое временно устойчивое состояние. При очередном импульсе синхронизации этот процесс повторяется. Таким образом, стабильность частоты колебаний мультивибратора определяется стабильностью частоты синхроимпульсов.