Отдельных установках

При всех достоинствах конструкции БИС надо, тем не менее, иметь в виду, что она обладает и рядом существенных недостатков. Разработка такой микросхемы — работа весьма трудоемкая. Она практически может быть выполнена лишь с помощью комплекса ЭВМ для машинного проектирования ИМС. Производство подобных микросхем — задача еще более сложная, если учесть размеры отдельных транзисторов и других элементов схемы. Выход годных микросхем с ростом степени интеграции уменьшается, так как при неизменной вероятности получения даже одного негодного элемента вероятность получения негодной микросхемы с ростом числа ее элементов растет.

Поскольку параметры ИМС характеризуют ее в целом, нет необходимости приводить данные отдельных резисторов и конденсаторов. Параметры этих элементов не могут "быть непосредственно измерены или изменены в готовой загерметизированной микросхеме. Не приводятся также данные отдельных транзисторов или диодов, входящих в состав сложных микросхем (за исключением микросхем диодных или транзисторных сборок).

В то же время отдельные активные и пассивные элементы микросхем имеют характеристики, не уступающие навесным (обычным) диодам, транзисторам, резисторам и т. д. Однако их объединение в одной микросхеме приводит к новой качественной возможности создания предельно сложных электронных устройств. Применение микросхем существенно повышает надежность электронных устройств, так как надежность микросхем, содержащих большое количество элементов, не уступает надежности отдельных транзисторов, диодов и резисторов.

Как было отмечено, важным преимуществом интегральных микросхем является их высокая надежность. Другим не менее важным преимуществом являются их малые массогабаритные параметры. Большие интегральные схемы (БИС), содержащие до нескольких десятков —• сотен тысяч элементов, имеют массу, не превышающую нескольких грамм. При этом большая ее часть приходится на корпус, выводы и подложку, а не на активные полупроводниковые элементы. Плотность активных элементов в самой БИС достигает 10 000—50 000 эл/см3. Это в 50—100 раз больше, чем при использовании отдельных транзисторов, диодов, резисторов и т. д. в микромодульных схемах.

может быть реализована в виде генератора тока, выполненного на транзисторе или на фотодиоде. В соответствии с классификационной таблицей инжекционная логика может рассматриваться как функционально-интегрированный элемент с транзисторной или фотодиодной (инжекционной) цепью питания, т.е. как элемент типа НСТЛ, вида ТЦП или ИЦП. В ИМС инжекционного типа можно использовать БТ с вертикальной или горизонтальной структурой. На 3.26 приведены структуры элементов с И2Л в виде горизонтального или вертикального р-я-/?-транзисторов. В элементе с транзисторной цепью питания коллекторная и базовая области /?-л-р-транзистора типа (п-р-п) совмещены соответственно с базовой и эмиттерной областями переключательного транзистора типа п-р-п (р-п-р). Поэтому данные структуры можно отнести к классам СВГТ и СВВТ. В отличие от известных схем с непосредственными связями в инжекционной логике в качестве переключательных элементов применяют инверсно включенные транзисторы, что в схемах с общим эмиттером позволяет отказаться от изоляции отдельных транзисторов, входящих в состав логических схем. Отсутствие изоляции является принципиальным преимуществом инжекционной логики перед известными схемами и структурно-логическими решениями ИМС. В инжекционном элементе типа НСТЛ — СВГТ — ТЦП

Несмотря на то что токи отдельных транзисторов имеют вид импульсов, сквозной ток первичной обмотки /1 и напряжения на коллекторах ик\ и ыкг имеют форму синусоиды. Это объясняется тем, что ввиду наличия магнитной связи между обеими половинами первичной обмотки трансформатора Трч при изменении мгновенного значения коллекторного тока одного из транзисторов появляются ЭДС на обеих полуобмотках, причем на одной из них ЭДС самоиндукции, а на другой — ЭДС взаимоиндукции.

На 11.20, б показаны временные диаграммы напряжений на коллекторах отдельных транзисторов триггеров распределителя импульсов. Выходные напряжения иА, и„, ис имеют прямоугольную форму и сдвинуты относительно друг друга на 120°, а напряжения — иА, — ив, — ис сдвинуты по отношению к указанным выше напряжениям соответственно на 180°.

Идея группового метода стала очень широко использоваться при изготовлении интегральных схем, что иллюстрирует 14.1. Здесь реализуется возможность технологической интеграции компонентов на одной подложке. Суть интеграции состоит в том, что на исходной пластине (см. 14.1, а) вместо отдельных транзисторов одновременно изготавливается множество ИС, каждая из которых содержит все компоненты (резисторы R, диоды VD, транзисторы VT, указанные на 14.1,6, в), необходимые для построения функционального узла. Эти компоненты соединяются

При необходимости создания мощных усилителей импульсных сигналов применяют специальные технические решения. Параллельное соединение усилительных приборов не решает задачи, так как несмотря на рост эквивалентной крутизны наблюдается и соответствующее увеличение эквивалентной емкости С0, что заставляет снижать Кэ. Избежать отмеченного недостатка удается в усилителе с распределенным усилением ( 19.2), использующем режим бегущей волны. В таком усилителе общая крутизна используемых транзисторов равна сумме крутизны отдельных транзисторов: S3 = nSnr.

Из-за сложения токов сигнала отдельных транзисторов в нагрузке выделяется требуемая мощность усиливаемого сигнала. В рассмотренном усилителе отношение Sn,T/C0 и площадь усиления оказываются в п раз больше, чем каждого используемого в усилителе транзистора. Описанное техническое решение позволяет создавать импульсные усилители с рабочей полосой частот в сотни мегагерц.

В структурах кремний на сапфире (КИС) пленку толщиной 0,5 ...1 мкм формируют путем гетероэпитаксии (см. гл. 2) на подложке из сапфира, имеющего кристаллическую решетку, близкую к кремнию ( 4.15, а). Локальным окислением в эпитаксиальной пленке создают проходящие насквозь боковые слои диоксида кремния / ( 4.15, б) и получают изолированные островки кремния, предназначенные для отдельных транзисторов. Слева от центрального слоя / показан транзистор с каналом «-типа, справа — с каналом р-типа.

взрыва, используют жидкость, а в отдельных установках сыпучую, вязкую или твердую [Среду. Если применяется сыпучая среда (песок), то ее используют в качестве теплопередающей для нагрева заготовки. Гидровзрывной штамповкой можно проводить различные операции: пробивку, вытяжку, рельефную формовку, от-бортовку и др. Точность деталей, получаемых гидровзрывной вытяжкой, значительно выше, чем при обычной вытяжке ( 2.23).

Помимо ЭХГ Н2 —О2-типа в отдельных установках возможно применение ЭХГ с ТЭ, работающими на других химических реагентах. В общем случае итоговая электрохимическая реакция окисления восстановителя Red и восстановления окислителя Ох имеет вид

Управляемый коммутатор, применяемый в ряде установок с использованием синхронных или асинхронных ЭМ, при разряде ударных ЭМН работает в режиме выпрямителя, а после достижения максимального ударного тока разряда переводится в инверторный режим. Изменение полярности напряжения при нагрузке, имеющей в отдельных установках активно-индуктивный характер, приводит к уменьшению тока цепи якоря и переходу ЭМ к работе в режиме электродвигателя.

ЭПТ должны обладать высокой электродинамической стойкостью при частых коротких замыканиях, большим диапазоном и многоступенчатостью регулирования напряжения, з отдельных установках до 50 % при нескольких десятках ступеней, возможностью регулирования по фазам в отдельных установках, способностью выдерживать значительные перегрузки, переключение ответвлений обмотки ВН под нагрузкой.

Научившись бороться с неустойчивостью плазмы, советские физики провели на токамаках исследования, результаты которых оказались столь впечатляющими, что в начале 70-х годов токамаки стали создаваться в других странах, ведущих работы по УТС. Результаты исследований по освоению УТС на токамаках основаны уже не на единичных экспериментах на отдельных установках, а на большом семействе из десятков установок с различными линейными размерами, токами, магнитными полями, плотностью плазмы и т. п. Для будущего термоядерного реактора потребуется температура плазмы 80—100 млн. °С. Продолжительность «жизни» плазмы, т. е. то время, в течение которого удается удерживать плазму, не позволяя ей коснуться стенок реактора и охладиться в «Токамаке-10», составляет 60—70 мс.

денту прежде всего получить ясное понимание физических процессов, происходящих как в отдельных установках, так и при работе их в энергетической и водохозяйственной системах.

Средний коэффициент использования УСТК по времени равен 0,73, на отдельных установках снижается до 0,4—0,6. На заводах, где обеспечен высокий уровень обслуживания УСТК, котлы-утилизаторы КСТ-80 работают надежно, коэффициент использования котлов по времени достигает 0,94. Однако средняя выработка пара в УСТК ниже проектной и составляет примерно 50 ГДж/ч.

В простейшем случае, когда на отдельных установках системы электроснабжения имеется обслуживающий персонал, диспетчеризация может осуществляться путем телефонной связи диспетчера с обслуживающим персоналом. Полученную по телефону информацию об изменении состояния коммутационных аппаратов и других элементов диспетчерский персонал фиксирует или на чертежах-заготовках, или (что более удобно) на мнемонической схеме, имеющей поворотные или съемные символы контролируемых аппаратов. При телефонной связи между ДП и контролируемыми пунктами (КП) получается значительный промежуток времени с момента, требующего вмешательства диспетчера, до момента исполнения его распоряжения (особенно в тех случаях, когда для оценки положения диспетчер делает опрос персонала нескольких КП). Кроме то-fo, при диспетчеризации посредством только телефонной связи велика вероятность искажения получаемых сообщений и передаваемых распоряжений из-за плохой слышимости или помех.

Предварительную обработку топлива будут проводить методом резки и растворения на двух отдельных установках, каждая из которых включает в себя вертикальные пресс-ножницы для резки сборок и обычной формы аппарат для растворения периодического действия. Ядерная безопасность будет обеспечиваться с помощью растворимого гомогенного поглотителя нейтронов, например нитрата гадолиния.

Предварительную обработку топлива будут проводить методом резки и растворения на двух отдельных установках, каждая из которых включает в себя вертикальные пресс-ножницы для резки сборок и обычной формы аппарат для растворения периодического действия. Ядерная безопасность будет обеспечиваться с помощью растворимого гомогенного поглотителя нейтронов, например нитрата гадолиния.