Отдельных механизмов

ла. Эти контактные площадки служат для осуществления контрольно-проверочных операций. В случае необходимости с их помощью можно изменить схему соединений, разрушив короткий отрезок проводника на поверхности подложки, отключив любую сигнальную линию от внутренних цепей, и сделать новое соединение, проложив микропровод между двумя выбранными контактными площадками. Верхние перераспределительные контактные слои наиболее густо снабжены переходными отверстиями с шагом 0,25 мм. Для каждого посадочного места кристалла сформировано 96 монтажных контактных площадок. В технологии предусмотрена замена отдельных кристаллов как при изменениях конструкций, так и при выходе из строя кристаллов БИС, что свидетельствует о высокой ремонтопригодности конструкции.

Понятие о групповом метоле изготовления электронных приборов. Групповой метод был предложен для изготовления транзисторов в конце 50-х годов. Сущность метода состоит в том, что в полупроводниковой пластине диаметром 25...80 мм и толщиной 0,2...0,5 мм одновременно изготавливается множество транзисторов, регулярно расположенных на поверхности пластины. Затем пластина разрезается на множество отдельных кристаллов, содержащих по одному транзистору. После этого кристаллы помещаются в корпусы с внешними выводами.

Подложки микросхем обычно имеют прямоугольную форму пластины ( 10.1, а) и делятся на два основных типа: диэлектрические и полупроводниковые. На диэлектрические подложки при изготовлении гибридных микросхем наносят вакуумным испарением, катодным распылением, трафаретной печатью или другими методами схемотехнические элементы и их соединения в виде проводников, резисторов, конденсаторов, индуктивностей и т. п. На такой же подложке при изготовлении гибридных микросхем, кроме пленочных схемотехнических элементов, монтируют и закрепляют отдельные активные элементы — диоды, триоды или полупроводниковые микросхемы в виде отдельных кристаллов, изготовленных по полупроводниковой технологии. В отдельных случаях подложка гибридной интегральной схемы может нести функции части корпуса.

Магнитные свойства железа (как и других ферромагнитных материалов) зависят от следующих факторов: 1) ориентировки кристаллических осей отдельных кристаллов относительно направления намагничивания (так называемой текстуры); 2) наличия примесей (особенно вредными являются примеси, не образующие твердых растворов); 3) размеров зерен (кристаллов); 4) искажений кристаллической решетки пластическими деформациями.

Возбуждение электролюминофора, т. е. создание неравновесного состояния поверхностных слоев отдельных кристаллов электролюминофора, происходит из-за инжекции носителей заряда через потенциальные барьеры на поверхности отдельных, контактирующих между собой кристаллов электролюминофора и из-за инжекции из электродов. При рекомбинации инжектированных носителей избыточная энергия может выделяться в виде квантов света. Возбуждение электролюминофора может происходить также из-за эффектов сильного поля (туннелирование и ударная ионизация) в обедненных поверхностных слоях кристаллов электролюминофора.

чивается размерами отдельных кристаллов электролюминофора (10^5...10~4 мм). Разрешающая способность пленочных излучателей велика еще и потому, что тонкие пленки практически не рассеивают свет. Кратность изменения яркости электролюминесцентных пленочных излучателей достигает 1000.

Ломка проскрайбированных пластин — это весьма ответственная операция. При неправильном разламывании даже хорошо проскрайбированных пластин возникает брак: царапины, сколы, неправильная геометрическая форма кристаллов и т. п. В процессе ломки пластина лежит рисками вниз на гибкой опоре (резиновая подкладка), а стальные или резиновые валики диаметром 10—20 мм с небольшим давлением прокатывают пластину последовательно в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Таким образом, пластину сначала разламывают на полоски, а затем на отдельные прямоугольные или квадратные кристаллы. Валик должен двигаться строго параллельно направлению скрайбирования, иначе ломка будет происходить не по рискам. Во избежание смещения полосок или отдельных кристаллов относительно друг друга между пластиной и роликом целесообразно ввести эластичную тонкую плёнку. Это помогает сохранить исходную ориентацию кристаллов и исключить их произвольное разламывание 1и царапание друг о друга.

В основу создания полупроводниковой ИМС положены групповой метод и планарная технология. Сущность группового метода, освоенного еще в дискретной полупроводниковой технике, состоит в том, что на пластине полупроводника одновременно изготавливается множество однотипных полупроводниковых приборов. Затем пластина разрезается на сотни отдельных кристаллов, содержащих по одному прибору данного типа. Полученные приборы помещаются в корпусы с внешними выводами и в таком виде поступают к разработчику аппаратуры. В дискретной полупроводниковой технике разработчик, составляя тот или иной функциональный узел (усилитель, генератор и т. п.), вынужден соединять полученные приборы один с другим и с иными элементами с помощью пайки, что, естественно, снижает надежность всего устройства. В интегральной технике на исходной полупроводниковой пластине одновременно изготавливаются не отдельные приборы, а целые функционально законченные узлы, состоящие из транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и т. д. Эти элементы соединяются один с другим не проводниками и пайкой, а короткими тонкими металлическими полосками, напыляемыми на поверхность пластины. Для этого коммутационные электроды всех элементов выводятся на поверхность пластины и размещаются в одной плоскости в одном плане. Такую возможность обеспечивает специальная планарная технология изготовления полупроводниковых ИМС.

Ломка проскрайбированных пластин — это весьма ответственная операция. При неправильном разламывании даже хорошо проскрайбированных пластин возникает брак: царапины, сколы, неправильная геометрическая форма кристаллов и т. п. В процессе ломки пластина лежит рисками вниз на гибкой опоре (резиновая подкладка), а стальные или резиновые валики диаметром 10—20 мм с небольшим давлением прокатывают пластину последовательно в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Таким образом, пластину сначала разламывают на полоски, а затем на отдельные прямоугольные или квадратные кристаллы. Валик должен двигаться строго параллельно направлению скрайбирования, иначе ломка будет происходить не по рискам. Во избежание смещения полосок или отдельных кристаллов относительно друг друга между пластиной и роликом целесообразно ввести эластичную тонкую плёнку. Это помогает сохранить исходную ориентацию кристаллов и исключить их произвольное разламывание 1и царапание друг о друга.

Известно, что значительного улучшения свойств магнитов из сплавов системы Fe—Ni—Al—Со можно добиться за счет создания в отливках кристаллической текстуры так, чтобы направления 100 отдельных кристаллов, являющиеся направлениями легкого намагничивания, располагались вдоль оси намагничивания слитка [IV. 13]. Однако структура слитка после литья представляет собой конгломерат кристаллов различной величины, из которых только незначительная часть расположена благоприятно относительно направления намагничивания. Таким образом, для получения направленной структуры необходимы специальные технологические приемы.

отсутствии достатсчного количества свободной кислоты растворы солей олова подвергаются как окислению, так и гидротазу. Как правило, используемые в промышленности кислые электролиты лужения устойчивы в эксплуатации У электролитов высок выход по току, в них допустимы большие плотности тока, что приводит к высокой скорости осаждения Однако кислые электролиты лужения нельзя использовать без органических добавок, так как даже при самых низких плотностях тока происходит преимущественный рост отдельных кристаллов с образованием дендритов

Ввиду определенных технологических связей отдельных механизмов многоковшового экскаватора должна быть предусмотрена блокировка электроприводов этих механизмов, обеспечивающая определенную последовательность пуска и остановки механизмов.

Большой объем проекта требует значительного количества исходных данных. На стадий проектирования электроснабжения необходимы: генеральный план завода с размещением основных и вспомогательных производственных зданий, сооружений, основных подземных и наземных коммуникаций; данные пО составу и характеру электрических нагрузок и электроприемников технологического и другого назначения; данные по пожаро-и взрывоопасное™ производств; требования к бесперебойности электроснабжения отдельных производств, цехов, агрегатов и отдельных механизмов с выделением электроприемников I и особой групшц I категории (по ПУЭ); геологические и климатические данные и метеорологические условия; основные планы и разрезы цехов и сооружений; данные по силовому оборудованию, электроприводу и освещению.

По совокупности этих причин, даже в установке, работающей ритмично с полной производительностью и механизмами, хорошо подобранными по своей производительности, результирующая нагрузка большей частью непрерывно -изменяется в пределах, составляющих лишь небольшую долю суммы номинальных мощностей всех присоединенных электроприемников. Величина этой доли зависит не только от характера производства (от технологического процесса), организации эксплуатации и режимо;в работы отдельных механизмов, но и, разумеется, от числа присоединенных электроприемников. Чем больше число независимо друг от друга работающих электроприемников, тем меньшую долю суммы их номинальных мощностей составляет результирующая нагрузка. В некоторых случаях, даже в установках, работающих вполне ритмично с полной производительностью, результирующая нагрузка может составлять не более 15—20% суммы номинальных мощностей присоединенных электроприемников и это отнюдь не может служить показателем плохого использования технологических машин и электрооборудования.

Однако анализ этого уравнения является затрудни" тельным из-за незнания точного значения момента сопротивления отдельных механизмов и его эквивалентно^ го значения для обобщенной нагрузки. Поэтому считается допустимым принимать момент сопротивления неизменным от скольжения, т. е. dmc/ds=0, а критерий устойчивости двигателя

При нескольких одинаковых механизмах с одинаковыми характеристиками двигателей групповой выбег не будет отличаться от индивидуального выбега отдельных механизмов, а между статорами этих двигателей уравнительные токи не будут иметь места. Практически установлено, что при остаточном напряжении, .равном или меньшем 0,25 номинального, величина уравнительных токов будет уже недостаточной для удержания всех двигателей в «синхронизме».

стью вращения для отдельных механизмов до момента, пока остаточное напряжение (от э. д. с. отдельных двигателей) будет выше 25% номинального напряжения двигателей. При дальнейшем снижения остаточного напряжения величина уравнительных токов не обеспечивает удержания отдельных двигателей в «скользящем синхронизме» и каждый из них начинает выбегать в соответствии с индивидуальными механическими характеристиками. Можно считать, что до момента, пока ?/ОСт>0,25 UH, секция с группой двигателей обладает обобщенной механической постоянной, и если заменить моменты сопротивления отдельных механизмов эквивалентным моментом сопротивления, то расчет группового выбега удастся производить по тем же формулам, что и для индивидуального выбега.

можны и допустимы параллельная работа силовых трансформаторов, работа генераторов, электродвигателей отдельных механизмов в общей электрической схеме станции или подстанции и связь их с энергосистемой (см. гл. 6). Ошибки в соответствии и чередовании фаз приводят при включении оборудования в работу к серьезным авариям и выходу его из строя.

Взамен громоздкой механической передачи может быть использована электрическая передача для согласованного вращения отдельных механизмов, которую называют для простоты электрическим валом. Помимо упрощения кинематической схемы механизма электрический вал обычно дает возможность увеличить его угловую скорость, так как при этом снимаются ограничения, обусловленные механическим резонансом, и, кроме того, упрощается управление механизмом.

Для пуска участка достаточно включить электродвигатель механизма, расположенного последним по потоку материала; это приведет к автоматическому включению всех предшествующих механизмов этого участка. Блокировочные связи электроприводов обеспечивают необходимую последовательность пуска механизмов, соответствующую технологическому потоку материала. Делается это во избежание завала транспортируемым материалом отдельных механизмов. В этих же це-

Грузоподъемные машины характеризуются рядом параметров, в том числе такими, которые обусловливают мощности приводных электродвигателей, т. е. грузоподъемностью, массой крана или тележки, скоростями движения их отдельных механизмов и режимом работы. Эти параметры для типовых кранов унифицированы и, например, грузоподъемность установлена ГОСТ 1575—75 (от 0,2 до 1000 т), основные данные и технические характеристики мостовых кранов общего назначения — ГОСТ 6711—70 (нормированные номинальные грузоподъемности крюковых подвесок не включают массу крюков, а грейферов, кюбелей, бадьей, грузовых магнитов — и массу специальных грузозахватных приспособлений, подвешиваемых на крюк [16]), хотя характеристики специальных машин могут и отличаться от унифицированных.

Грузоподъемные машины характеризуются рядом параметров, в том числе такими, которые обусловливают мощности приводных электродвигателей, т. е. грузоподъемностью, массой крана или тележки, скоростями движения их отдельных механизмов и режимом работы. Эти параметры для типовых кранов унифицированы и, например, грузоподъемность установлена ГОСТ 1575—75 (от 0,2 до 1000 т), основные данные и технические характеристики мостовых кранов общего назначения — ГОСТ 6711—70 (нормированные номинальные грузоподъемности крюковых подвесок не включают массу крюков, а грейферов, кюбелей, бадьей, грузовых магнитов — и массу специальных грузозахватных приспособлений, подвешиваемых на крюк [16]), хотя характеристики специальных машин могут и отличаться от унифицированных.



Похожие определения:
Отклоняющего напряжения
Отклонениями напряжения
Отклонения параметров
Отклонением напряжения
Отклонение напряжения
Отклонении напряжения
Отключает двигатель

Яндекс.Метрика