Остальных параметров

Отсюда (при заданных остальных параметрах ЭМН) можно определить массу маховика

Различают линейные и нелинейные искажения. Линейные искажения связаны с неравномерностью частотной характеристики передачи модулирующего сигнала на выходе детектора. Эти искажения можно оценивать отношением амплитуд первой гармоники в огибающей модулированного колебания на выходе линейной цепи на некоторых двух модулирующих частотах F\ и F2 при неизменных остальных параметрах модулированного сигнала на входе линейной цепи. 148

При исследовании статической устойчивости СМ необходимо найти пределы изменения основных параметров машины и нагрузки, при которых машина работает устойчиво. Границы устойчивости просто определять в плоскости двух параметров, от которых зависят коэффициенты характеристического уравнения. Для этого выделяются два варьируемых параметра, например угол нагрузки во и ток ifu. При заданных значениях во и z'^o рассчитывают коэффициенты табл. 14.1. Изменяя во при i/o = const, расчеты повторяют до тех пор, пока один из коэффициентов первого столбца таблицы не станет отрицательным. При этом возможны два случая, когда первым проходит через нуль и становится отрицательным: 1) свободный член а7 (точка перехода этого коэффициента через нуль определяет величину во, соответствующую границе области сползания для данного ifo); 2) любой другой коэффициент первого столбца (это характеризует переход через границу самораскачивания). При этом если первым станет отрицательный коэффициент Cie или С)5, то шаг изменения во выбран большим и его необходимо уменьшить. Расчеты повторяют для различных значений другого варьируемого переменного (в данном случае t/0) и находят области устойчивой и неустойчивой работы в плоскости параметров г'^о и во при постоянных остальных параметрах СМ. Аналогично рассчитывают границы устойчивости при других варьируемых параметрах.

Пробой стокового р-п перехода. В транзисторе с длинным каналом напряжение лавинного пробоя стокового р-п перехода не зависит от L, но увеличивается сростом (У3и 13). Последнее объясняется уменьшением напряженности электрического поля на краю стока под затвором, где происходит пробой вследствие снижения разности потенциалов между стоком и затвором. В транзисторе с коротким каналом при тех же остальных параметрах структуры напряжение пробоя меньше, причем с ростом l/зи или понижением L оно уменьшается.

Особенностью расчетов по выбору параметров является то, что при повышении некоторых параметров ГЭС (например, установленной мощности при постоянных остальных параметрах) общий топливный эффект (экономия топлива в системе) может как увеличиваться, так и уменьшаться. В последнем случае приращение топливного эффекта будет отрицательным.

Чем меньше активное сопротивление резонансного контура при неизменных остальных параметрах схемы, т. е. чем больше добротность контура Q, тем более острой (пикообразной) становится фор ма кривой / = /(со).

Если для рассматриваемой линии составить П-образную (или Т-образную) схему замещения на частоте 50 гц, как для всякого симметричного четырехполюсника (см. § 3-14), то расчет по схеме замещения будет совершенно точным. Схема по 3-14,8 является не схемой замещения, а схемой с сосредоточенными параметрами, приближенно учитывающей ток утечки. С увеличением длины линии I при неизменных остальных параметрах погрешность расчета по схеме 3-il4,s становится все больше.

Чем меньше активное сопротивление резонансного контура при неизменных остальных параметрах схемы, т. е. чем больше добротность контура Q, тем более острой (пикообразной) становится форма кривой / =/((о).

Из формулы (15.2) видно, что при U — const и постоянных остальных параметрах моста указатель равновесия может быть градуирован ъ A.RI или 6#ь т. е. в единицах сопротивления или процентах Такой "режим работы моста используется в технической практике при установлении соответствия сопротивления измеряемого резистора заданному "значению, и прибор указывает абсолютную или относительную погрешность сопротивления. Такого рода мосты часто называют процентными.

На 15.13,6 изображена зависимость среднего по модулю значения тока в функции от постоянной составляющей э. д. с. Е„ при неизменных остальных параметрах схемы и значении ?= 1,6 В. Период Гск зависит от величины ?0 (см. 15.14). В рассматриваемом примере при ?=1,6 В, )?=0,4Ом, ^„=1 В-с, qm = 1 К и ?0 = 0 период Тск в 6 раз больше полупериода т вынуждающей силы. Затем с увеличением ?0 период Гск то увеличивается, то уменьшается (сначала увеличивается до 8т, затем уменьшается до 6т, затем уменьшается до 4т, снова увеличивается до 8т, снова уменьшается и т. д.). Каждое очередное изменение периода вызвано невозможностью сохранять смену состояний, которая характерна при меньшем значении В0. Первое уве-

Алгебраический критерий Гурвица для уравнений небольшого порядка — третьей и четвертой степени — дает возможность полечить непосредственное аналитическое выражение для критического (или максимального, или минимального, или того и другого) значения интересующего параметра при заданных остальных параметрах системы.

Одним из эффективных считается метод, основанный на выборе наиболее важного выходного параметра ИМС и оптимизации его при заданных пределах изменения остальных параметров. При этом задача сводится к установлению зависимости между выбранным выходным параметром и параметрами элементов гибридной ИМС с последующей оптимизацией значений параметров по критерию минимальной погрешности и максимальной стабильности выходного параметра, т. е. по критерию функциональной точности.

После этого выбирают удельную емкость Со диэлектрической пленки для конденсаторов по наименьшему ее значению при условии удовлетворения всех остальных параметров пленки требованиям на конденсаторы.

какими бы различными ни были эти зависимости, для всех микросхем характерно то, что улучшение одного из основных параметров при неизменных параметрах элементов в большинстве случаев возможно лишь за счет ухудшения остальных параметров.

Предлагаем читателю самостоятельно установить физический смысл остальных параметров, «устраивая» поочередно XX на зажимах 2 — 2 (/2 = 0) и зажимах 1 — 1 (/j=0) и КЗ на этих же зажимах (С/2 = 0 и t/i=0) и используя соответствующие уравнения передачи (9.2), (9.4) и (9.5).

Для всех остальных параметров состояние воды при 0° С и соответствующем этой температуре давлении насыщения (оно равно 0,0061 бар) принято за начало отсчета, и поэтому значение указанных ниже параметров в этом состоянии считают равным нулю. Без особых погрешностей можно принять, что для жидкости параметры внутренняя энергия, энтропия и энтальпия не изменяются при изменении давления; поэтому будем считать, что при 0° С для любого давления

пе является обеспечение сопоставимости вариантов для обоснования остальных параметров.

тельной частотой нет оснований спутать со всеми другими входными картами. При использовании алгоритмического языка ФОРТРАН после чтения очередного значения частоты остается только применить оператор IF, чтобы определить, не дошла ли очередь до эталонной карты. После печати очередного результата прочитывается очередная входная перфокарта и так до тех пор, пока наконец не будет введена эталонная карта с отрицательной частотой и оператор IF не передаст управление оператору STOP для остановки вычислений. Последовательность операций приведена на схеме П-1. Как следует из этой схемы, сначала прочитываются значения четырех параметров Е, г, L, С, которые остаются неизменными. На схеме эти величины обозначены такима же символами, как и в программе, поэтому можно сравнить схему и программу на ФОРТРАНе, Чтение с перфокарты величин, которые не будут меняться в ходе вычислений, производится один раз; все остальные стадии повторяются всякий раз после ввода нового значения частоты. Для поочередного ввода значений частоты (CYCLE) независимо от ввода остальных параметров, используется отдельный блок. После ввода очередного значения частоты с помощью оператора IF задается вопрос: не является ли частота отрицательной? Цикл вычислений может повторяться неизвестное заранее число раз, так как может оказаться различное число

транзистора в режим насыщения несколько изменяется напряжение Ue(t) на его входе. Так как входная характеристика насыщенного транзистора — самая левая в семействе входных характеристик, то входное напряжение после перехода транзистора в насыщенный режим минимально и равно ?/бн- Изменения остальных параметров пренебрежимо малы. Через время ^н после включения транзистор окажется в статическом насыщенном режиме: iK(t) = I KH; uKa(t) = = f/кн * 0; ивв(*) - t/он «,0; »•„(*) = EjRb.

Положим, стоимость изготовления двух систем контроля составит СС1=103 руб. и СС2=104 руб. соответственно. Значение остальных параметров: 7\=1 мин; Г2=0,1 мин; Pi = 0,9; p2 = 0,95; а=104 руб/мин; Ь==105 руб/мин.

Для определения остальных параметров все характеристики снимаются при полностью Еьбрянны.х зазорах. Бее характеристики и формы движения (поступательное, вращательное) солжяы быть приведены к одному валу — к валу электродвигателя).

зистора — она принимает новое значение 9„, после чего начинается накопление заряда в базе насыщенного транзистора. Внешне, на графиках коллекторного тока и напряжения, процесс накопления не отражается ( 3.91, г, д): по-прежнему коллекторный ток равен /кн, а напряжение на коллекторе — Um. Процесс накопления заряда условно можно выразить изменением «кажущегося» тока транзистора: кажущийся ток на этапе накопления увеличивается от IKa = E/RK до /Каж1 с постоянной времени 0„ (пунктир на 3.91, г). Через время tn « 36„ процесс накопления заряда закончится; в базе накоплен установившейся заряд дырок, соответствующий заданному значению отпирающего базового тока I6 — EjR6. Кроме того, с переходом транзистора в режим насыщения несколько изменяется напряжение и6 (/) на входе транзистора. Так как входная характеристика насыщенного транзистора — самая левая в семействе входных характеристик, то входное напряжение после перехода транзистора в насыщенный режим минимально и равно ?/би. Изменения остальных параметров, характеризующих состояние транзистора, пренебрежимо малы. Через время /н после включения транзистор окажется в статическом насыщенном режиме: iK (t) = /K1I; «кэ (0 = UKH « 0; ибэ (t) = и6я » 0; i6 (t) = ВДЙ.