Остальных элементов

данном случае целесообразно в качестве такой переменной взять напряжение ис на конденсаторе контура. При этом ток i=Cducldt, а .напряжения на остальных элементах

Потери в остальных элементах энерго- 5 5 5 5 5 5

Диафрагмы заполняют электролитами ЭЩ-6 или ЭЩ-12, применяемыми для хладостойких элементов, работоспособных при температуре— 30° С. В остальных элементах обычно используют ЭЩ-7 и ЭЩ-28. Состав и приготовление электролитов изложено в § 40.

В исходном состоянии входные сигналы ДШ xt = 0, х2 = О, ха =? = 0, я4 = 0; Xi = 1, xz = 1, ха = 1, xk = 1. При этом только на элементе совпадения И0 все входные сигналы равны 1. Следовательно, 1/0 = 1. На всех остальных элементах (Иг — И») хотя бы один входной сигнал для каждого элемента равен 0, т. е. на выходах у± — у» сигналы равны 0.

которые формулируются следующим образом: сумма токов всех ветвей, сходящихся в точке разветвления, равна нулю и сумма э. д. с. в замкнутом контуре равна сумме напряжений на остальных элементах контура*.

Постоянная интегрирования С4 = 0, так как при синусоидальном токе и установившемся процессе в цепи напряжение на емкости, так же как и напряжение на всех остальных элементах, не имеет постоянной составляющей.

Постоянная интегрирования С4 = 0, так как при синусоидальном токе и установившемся процессе в цепи напряжение на емкости, так же как и напряжение на всех остальных элементах, не имеет постоянной составляющей.

2.38. Определить напряжение Ul на резисторе Rt = 100 Ом при / = = 2 мА ( 2.38). Упростить схему для определения напряжений на остальных элементах цепи.

Рассмотрим простейший пример короткого замыкания в схеме 1.9. Пусть э. д. с. источника и все сопротивления схемы постоянны. При коротком замыкании между точками А и В сопротивление г3 будет короткозамкнутым и по нему ток не пойдет. Это вызовет изменение режима в остальных элементах схемы.

прочными, в то время как прочность тела зерна не уменьшается, а иногда даже увеличивается [13, 89]. В результате нарушается соотношение прочности границы и тела зерна. Пластичность зерна при деформировании не может быть реализована полностью, поэтому происходит охрупчивание материалов. Авторы этой гипотезы полностью отрицают влияние гелия на ВТРО. Основанием для такого утверждения являются эксперименты по исследованию ВТРО стали типа ОХ16Н15МЗБ, легированной бором, на котором сечение образования гелия составляет 170 Мбарн, т. е. примерно на 2 порядка выше, чем на остальных элементах. Однако согласно экспериментам введение бора в сталь в количестве 0,005—0,008 вес. % существенно повышает ее радиационную стойкость к ВТРО. Элементарные оценки показывают, что введение такой малой концентрации бора в сталь заметно не увеличивает концентрацию гелия в стали ОХ16Н15МЗБ (сечения (п, а)-реакции на никеле даны в табл. 13), тогда как бор положительно влияет на упрочнение границ зерен.

Составление матрицы Мт для схемы любой сложности не представляет труда. Для этого достаточно пронумеровать все узлы и ветви схемы замещения и в каждом столбце матрицы М2 записать «4-1» «—1» в тех строках, которые соответствуют соединяемым данной ветвью узлам, а в остальных элементах этого столбца записать «0». Например, если k-я ветвь соединяет }злы i и /, то в k-м столбце следует записать либо m,ft—4-1 и m'k==—1> либо, наоборот, mik = —1 и mJk=-\-\. Выбор того или иного варианта произволен и в итоге определяет направление k-й ветви. Вычеркивая из полученной матрицы М2 строку, соответствующую выбранному балансирующему \зл), пол\чаем искомую матрицу М. Как отмечалось выше, по матрице М можно однозначно восстановить конфигурацию соответствующей ей схемы, т. е. матрица содержит исчерпывающую информацию об этой схеме.

щихся общностью применяемых средств механизации и автоматизации. При классификации сборочных единиц в группы учитываются габаритные размеры базовой детали и остальных элементов, подлежащих сборке и монтажу, виды соединений, требуемая точность, технология осуществления этих соединений, характеристика оборудования, оснастки и контрольной аппаратуры, а также вопросы экономичности. Классификация завершается разбивкой сборочных единиц на следующие группы: 1) с начинающимся и заканчивающимся циклом сборки на одном и том же оборудовании; 2) с незаконченным циклом сборки, когда часть деталей и ЭРЭ собирается на одной групповой операции, а на остальных операциях детали и ЭРЭ входят в другие группы или их сборка выполняется по единичному процессу; 3) с одним общим групповым технологическим маршрутом, состоящим из набора групповых технологических операций, на каждом из которых используются групповые приспособления и наладки, позволяющие после небольшой перестройки производить сборку и монтаж очередной партии изделий. Для того чтобы затраты времени на переналадку оснастки были минимальные, необходима определенная последовательность запуска партий изделий из одной классификационной группы.

До 1974 г. действовала система обозначений, в которой обозначение типа микросхемы из двух букв помещалось за первой цифрой, а за ним следовало цифровое обозначение серии. Значение остальных элементов обозначения в действующем стандарте осталось прежним, однако наименование некоторых классов и групп микросхем изменилось. Пример такого обозначения— К1УС181Г (полупроводниковая интегральная микросхема — усилитель синусоидальных сигналов серии КП8).

Схемы однокаскадных избирательных усилителей с параллельным резонансным контуром показаны на 6.37. В усилителе на биполярном транзисторе ( 6.37, а) параллельный резонансный контур включен в коллекторную цепь транзистора вместо резистора RK. Назначение остальных элементов усилителя рассмотрено в гл. 5 при анализе работы однокаекадного усилителя с общим эмиттером. Аналогична схема избирательного усилителя на полевом транзисторе ( 6.37, б).

Для нелинейных четырехполюсников и управляемых двухполюсников задаются семейством выходных характеристик (см. табл. 6.1). Входные характеристики даны для электронных ламп и транзисторов, а для остальных элементов они не имеют существенного значения вследствие малых значений токов или напряжений на входе. То же относится и к электронным лампам при отрицательном сеточном напряжении.

При частотах свыше 0,1 МГц рекомендуется, а при частотах свыше 1 МГц обязательно применение ячейки с микрометрическим винтом ( 4-2). Ячейка представляет собой систему из двух электродов — неподвижного 7 и подвижного 6. Неподвижный электрод изолирован от остальных элементов ячейки изоляторами / из плавленого кварца. Испытуемый образец располагается в про-

В каждой особенности в виде замкнутого контура напряжение на одном из емкостных элементов контура по ЗКН может быть выражено через напряжения на других элементах этого контура и с этой точки зрения не является независимым (этот емкостной элемент оказывается хордой), а в особенности в виде сечения ток одного из индуктивных элементов по ЗКТ может быть выражен через токи остальных элементов сечения и, следовательно, не является независимым (такой индуктивный элемент оказывается индуктивным ребром).

Недостатками данной механической развертки являются: крайне низкая чувствительность преобразователя свет — сигнал, плохая четкость, малый размер экрана и слабая яркость воспроизводимого изображения. Низкая чувствительность объясняется тем, что свет поступает на ФЭ через малое отверстие в течение ограниченного времени, равного времени передачи одного элемента [см. соотношение (1.7)]. Световые потоки от остальных элементов изображения в это время не используются. Поэтому такую систему называют механической системой мгновенного действия, так как мгновенное значение фототока пропорционально освещенности передаваемого в данный момент элемента изображения.

Выявление центра композиции достигается: членением плоскости лицевой панели таким образом, чтобы центр композиции являлся ее главным элементом, выбором формы, отличной от формы остальных элементов, размещением в центре композиции, выделением цветом, фактурой (от лат. factura — обработка, характер поверхности).

мые функции по переменной составляющей тока, но и разделяет оба каскада по постоянной составляющей, препятствуя попаданию напряжения с коллектора VI на базу V2. Емкость этого конденсатора (1—20 мкФ) выбирается с таким расчетом, чтобы в рабочем диапазоне частот его реактивное сопротивление было незначительным. Назначение остальных элементов схемы рассматривалось ранее ( см. § 9.2).

Как известно, такие постоянные времени определяются как произведение емкости на сопротивление всех остальных элементов контура, включенных между обкладками этого конденсатора.

Переменное напряжение t/BX> определяемое источником входного сигнала с действующим значением ЭДС Еи и внутренним сопротивлением /?„, подводится ко входу усилителя через разделительный конденсатор Cv\. Усиленное переменное напряжение, выделяемое на коллекторе транзистора, поступает в нагрузку /?„ через разделительный конденсатор СР2. Конденсатор Cpi препятствует передаче постоянной составляющей напряжения входного сигнала на вход усилителя, которая может вызвать нарушение режима работы транзистора. Наличие конденсатора СР2 предусмотрено с целью разделения выходной коллекторной цепи от внешней нагрузки /?„ (чаще всего входное сопротивление последующего каскада усиления) по постоянной составляющей коллекторного тока /ок. Назначение остальных элементов схемы изложено ранее (см. § 2.3 и 4.4).