Особенностей конструкции

Комплексирование радиотехнических систем. Одной из особенностей использования пространственно размещенных радиотехнических систем, предназначенных для определения координат и параметров движения объектов является Комплексирование информации, получаемой от различных как радиотехнических, так и нерадиотехнических измерителей (см. § 3.5).

Был предложен ряд систем кодирования. Выбор той или иной из них зависит от особенностей использования десятичной информации в вычислительных устройствах.

Ведомость ЗИП устанавливает номенклатуру, назначение, количество и место укладки ЗИП. ЗИП предназначен для эксплуатации и ремонта данного изделия. Различают три вида основного комплекта ЗИП в зависимости от их значения и особенностей использования: одиночный, групповой и ремонтный. Одиночный комплект поставляют с

Был предложен ряд систем кодирования. Выбор той или иной из них зависит от особенностей использования десятичной информации в вычислительных устройствах.

Для зон VI и VII ток от электродвигателей собственных нужд рассчитывается с учетом особенностей использования резервного трансформатора, который может одновременно питать несколько секций разных энергоблоков. Обычно токи КЗ при питании от резервного трансформатора значительно больше, чем при питании от рабочего трансформатора, вследствие чего именно они и принимаются в качестве расчетных при выборе оборудования в зоне VII. Однако, учитывая сравнительно малую вероятность

Диоды в выпрямительных блоках имеют различные схемы соединений в зависимости от особенностей использования. Наиболее часто встречаются соединения диодов по мостовой схеме, по схеме удвоения нзпряжения, двух электрически рззъединенных однофазных мостов и др.

Одна из особенностей использования оксидной пленки в качестве диэлектрика состоит в том, что не удается получить алюминиевый конденсатор с рабочим напряжением более 600 В, а тан-таловый выше 175 В. В реальных

Выбор типа магнитопровода производится исходя из особенностей использования каждого из них в различных группах силовых трансформаторов.

Стремительное увеличение степени интеграции современной элементной базы и постоянное улучшение характеристик ЭВМ (не в последнюю очередь благодаря этой элементной базе) вызывает адекватное наращивание как количественных, так и качественных возможностей САПР, т. е. инструментария проектирования. Динамика изменения возможностей САПР предопределяет изменение методологии их применения и все большую интеграцию в рамках одной САПР смешанных методик и объектов проектирования. Темпы изменений всех составляющих процесса проектирования электронных систем заставляют периодически пересматривать и переосмысливать различные аспекты проектирования. Материал данной главы посвящен рассмотрению возможностей и особенностей использования современных методик проектирования цифровых устройств с ориентацией на существующие САПР.

лемы развития мировой энергетики и энергообеспечения на ближайшие 35—50 лет, а также прогнозируемая структура использования мировых энергоресурсов по данным МАГАТЭ, МИРЭК. и других компетентных организаций. Освещена возрастающая и альтернативная роль, которая отводится ядерной энергетике, при непрерывно растущем мировом потреблении энергии. Рассмотрены основные вопросы развития топливно-энергетического комплекса и теплоэнергетики в СССР и особенности энергоснабжения, обусловливающие опережающий темп развития ядерной энергетики в европейской части страны. Показаны общие закономерности и тенденции развития энергетики в современный период и роль ядерной энергетики. Перед рассмотрением свойств и особенностей применения ядерного топлива дана краткая характеристика свойств и особенностей использования органического топлива (см. гл. 3).

Рассмотрим несколько подробнее влияние изложенных выше особенностей использования ядерного топлива на технические и экономические аспекты развития ядерной энергетики.

перемычек, наплывов и др.), усложняется процесс отмывки более активного, чем при индивидуальной пайке, флюса, который наносится в больших количествах. Выбор метода пайки зависит от программы выпуска изделий, особенностей конструкции, требований к качеству.

2.23. Колядии Н. М., Касабова И. В. Расчет геометрических, электромагнитных и прочностных параметров О-образной тороидальной магнитной системы с учетом реальных особенностей конструкции. Препринт ИАЭ-3155, ИАЭ им. Курчатова. М.: 1979.

Пространственные гармоники в воздушном зазоре машины появляются из-за особенностей конструкции электрической машины.

Пространственные гармоники в воздушном зазоре машины появляются из-за особенностей конструкции электрической машины.

Расчет проводят по индукции в среднем сечении ярма. Расчетные формулы для определения МДС ярм зависят от особенностей конструкции машин и даны в главах учебника, посвященных проектированию машин различных типов. Там же приводятся методы учета ответвления потока ярма ротора в вал машины при посадке сердечника ротора непосредственно на вал без втулки.

В инверсном режиме эмиттерный переход закрыт, а коллекторный открыт, т.е. транзистор включен "наоборот": коллектор работает в качестве эмиттера, эмиттер — в качестве коллектора. Из-за особенностей конструкции реальных транзисторов усилительные свойства их в инверсном режиме, как правило, неудовлетворительны.

Качество электронного прибора с точки зрения собственных шумов будет тем лучше, чем меньше сопротивление /?ш.„ и больше Лщ.т. Сопротивление Лш.н у полевых транзисторов и электронных ламп существенно зависит от типа и особенностей конструкции, что учитывается коэффициентами Лп.т и А3,„. В частности, для ПТ с /?-и-переходом Лп.т*1, для МДП транзисторов Лп.т = 2 ... 4; для ламповых триодов Лэ.л = 2,4, а для многосеточных ламп Аэ_л существенно больше. Малые значения Rm„ достигаются у приборов с высокими значениями крутизны 5* в рабочей точке. При одинаковых геометрических размерах наибольшими значениями S обладают БТ.

где jo и /у—амплитуда вибрационного ускорения при обычном и ускоренном испытаниях соответственно; то и ту — продолжительность обычного и ускоренного испытаний соответственно; Л-—показатель степени, зависящий от особенностей конструкции и материала изделия (Л=2-МО). Наиболее жесткому испытанию соответствует Л=2, поскольку при таком показателе степени продолжительность испытания будет максимальной. При увеличении амплитуды ускорения вибрации в методе 103-1.2 необходимо следить за тем, чтобы механизм отказов испытываемых изделий по мере увеличения уровня ускорения оставался неизменным по сравнению с обычными условиями испытаний. Этот вопрос более подробно будет рассмотрен нами в гл. 8.

Существует много причин, вызывающих искажение поля и появление в зазоре высших гармоник. Высшие гармоники принято делить на временные и пространственные. К временным гармоникам относятся те гармоники, которые попали в воздушный зазор машины извне. Пространственные гармоники появляются в зазоре за счет особенностей конструкции и нелиней-ностей параметров машины.

Трансформаторы и автотрансформаторы в зависимости от номинальной мощности и особенностей конструкции оснащаются следующими системами охлаждения:

Кроме зависимости В (/), в общей эквивалентной схеме биполярного транзистора нужно учитывать, как уже говорилось, и емкости между элементами прибора. Не существует точной эквивалентной схемы, отражающей все особенности частотной характеристики транзистора. Исходя из физических соображений можно предложить эквивалентную схему, учитывающую существование емкостей между выводами от различных элементов прибора (Сэб — между выводами эмиттера и базы, С6к — базы и коллектора, Сэк — змиттера и коллектора), емкостей р — «-переходов (С„ — внутренняя емкость коллекторного перехода и Сэ — эмиттерного), а также сопротивлений утечки между выводами. Кроме того, следует учитывать то обстоятельство, что активное сопротивление объема базы переменному току оказывается заметно меньше, чем постоянному, в силу особенностей конструкции триода. Эквивалентная схема, отражающая все эти особенности, оказывается очень сложной и неудобной для расчетов. В то же время влияние сопротивлений утечки и. емкостей между выводами прибора (как и емкости эмиттерного перехода) в транзисторах мало, так как параллельные им активные сопротивления между соответствующими элементами имеют величину, заметно меньшую, чем емкостное сопротивление за счет Сэ$, С$к, Сэк и Сэ практически для всех рабочих частот. Влияние же емкости коллекторного перехода иногда оказывается весьма существенным (см. ниже). Это обстоятельство позволяет в большинстве случаев Ограничиться при изучении поведения транзисторов на повышенных частотах упрощенной эквивалентной схемой ( 4.13, а), учитывающей только существование емкости