Основного напряжения

тестовые элементы. При прессовании МПП на технологическом поле образуется зона некачественной пропрессовки пакета, которая удаляется при обработке контура. Ширина технологического поля не превышает 10 мм для ОПП и ДПП и 20 ... 30 мм для МПП. Малогабаритные платы размером до 100 мм размещают на групповой заготовке площадью не менее 0,05 м2 с расстоянием 5 ... 10 мм между ними. Размеры заготовок вспомогательных материалов (кабельная бумага, триацетатная пленка), используемых при изготовлении МПП, должны превышать на 55 ... 60 мм размеры заготовок из основного материала.

Для герметизации корпусов широко используются методы сварки: электроконтактная (конденсаторная, роликовая), электронным или лазерным лучом, микроплазменная, аргоно-дуговая, давлением (холодная) и др. При выборе режимов сварки плавлением необходимо исключить воздействие сильного нагрева на ЭРЭ и образование пор в сварном соединении за счет выделения газообразных веществ (водорода, азота) из основного материала и технологического покрытия. Это достигается при работе на малых скоростях нагрева и охлаждения, когда обеспечивается длительное (0,05. ..0,1 с) существование сварной ванны.

Отбортованные заготовки собирают в щиты. В щитах панельного типа сборку заготовок выполняют на болтовых соединениях. Щиты шкафного типа, как правило, сваривают, но иногда собирают и на болтовых соединениях. После сварки все наплывы, подтеки, брызги металла, а также шлак и окалину с поверхности свариваемых деталей удаляют, не нарушая прочности и целостности сварного шва и основного материала щитов.

где i — число проводников в шаге координатной сетки; Л' — число сигнальных слоев; / — шаг координатной сетки переходных отверстий; d — диаметр переходных отверстий. Бессмысленно уменьшать ширину линий и зазоров, в то время как диаметр переходного отверстия, создаваемый механическим сверлением, составляет не менее 400—500 мкм, а укрепляющая отверстие контактная площадка имеет размер 700 X 700 и 800 X 800 мкм (около пяти отверстий на 1 см2). Несмотря на то что субтрактивные методы формирования ПП по-прежнему преобладают, аддитивные методы находят все большее распространение. В связи с все возрастающими требованиями увеличения плотности коммутации при субтрактивном методе формирования используется «тонкая» (9 мкм) и «сверхтонкая» (5 мкм) фольга. Это позволяет уменьшить боковое подтравливакие линий, равное толщине слоя меди. В качестве основного материала ПП для высоконадежной аппаратуры применяется стеклоэпоксид-ная основа, а также другие композиции, полиимид. Для установки ИМС в микрокорпусах используются слоистые платы (табл. 3.4).

Поверхностные покрытия деталей электроизмерительных приборов выполняют для защиты их от коррозии, улучшения их внешнего вида « придания поверхностному слою свойств, отличных от основного металла (повышенной твердости и износоустойчивости, электропроводности, отражательной способности электроизоляционных свойств и др.). С помощью покрытий, наносимых, например, вакуумным напылением или катодным распылением, можно получить принципиально новые свойства детали, а также добиться высоких физических свойств, используя в качес"ве основного материала деталей дешевые металлы. Покрытия широко применяются

В нижнем ряду схемы расположены обозначения деталей или основных материалов. В случае применения основного материала указывают его название и количество. Во втором ряду — сборочные единицы первой степени сложности (Сб 1, Сб 2—1, Сб 2—2), в третьем — сборочные единицы второй степени сложности (Сб 2) и так далее до получения изделия (00—0). Покупные изделия, входящие в состав прибора, указывают условно как сбэрочные единицы первой степени сложности (Сб 3). Расположение деталей и сбоэочных единиц слева направо на схеме отражает последовательность сборки изделия.

В качестве припоя используют различные цветные металлы, а чаще сплавы. Выбирают припой в зависимости от конструкции изделия, материала соединяемых поверхностей, необходимой прочности соединения и т. п. Средне- и высокоплавкие припои обладают высокими механическими свойствами (с пределом прочности 0В^ ^500 МПа). Прочность соединений не уступает прочности основного материала. К таким припоям, широко используемым в электроприборостроении для пайки деталей из стали, серебра, меди, никеля, латуни и бронзы, пайки деталей из алюминия и его сплавов, относятся медные и медно-цинковые (ПМУ), серебряные (ПСр-45, ПСр-72), медно-фтористые (ПМФ), алюминиевые (П34А, ПО90Ц) припои.

Учебник состоит из десяти глав, название которых соответствует разделам программы курса. Четыре первые главы посвящены изложению физических основ работы полупроводниковых приборов. Материал этих глав излагается с учетом знакомства читателя с курсом «Основы физики твердого тела», предшествующего настоящему курсу. Автор счел необходимым включить в первую главу основные понятия и термины из основ зонной теории в минимальном объеме, необходимом для изложения основного материала учебника. Вторая глава посвящена краткому описанию физических процессов, используемых в микроэлектронике. Особое внимание уделено физическим явлениям и процессам, протекающим в пленочных структурах и положенным в основу принципа работы интегральных микросхем. К этим явлениям, в первую очередь, относятся электронные процессы на поверхности полупроводников, явления переноса носителей заряда в полупроводниках, различные механизмы токо-прохождения в пленочных структурах. При написании этой главы были использованы работы по теоретическим основам микроэлектроники, опубликованные за последние годы.

Ток утечки /ут обусловлен поверхностными энергетическими уровнями, которые вызывают процесс рекомбинации, а также молекулярными или ионными пленками, шунтирующими р — п-переход (молекулы газов, воды, основного материала). Он увеличивается пропорционально обратному напряжению и может быть количественно оценен эквивалентным сопротивлением утечки /?у, равным гут = (///ут. Для кремниевых диодов имеет место соотношение * ут -> ' о 4~ ftt-

Очевидно, преподаватель должен учитывать особенности памяти, мобилизуя все виды и типы памяти, в основном смысловое запоминание, организуя активное повторение лекционного материала учащимися дома и на практических занятиях. При этом надо содействовать запоминанию основных и других важных положений изучаемого курса, забывание же его менее важных деталей может быть даже полезным, так как освобождает «место в памяти» для нового важного материала, а знание основного материала позволит самостоятельно восстановить забытый.

Из изложенного ясна методическая целесообразность разделения всего основного материала теории цепей на две части: цепи постоянного тока и цепи переменного тока. Но при этом нецелесообразно доводить этот принцип до самого конца теории цепей, как это, например, сделано в учебниках [13, 14], где достаточно сложная и по сути абстрактная теория четырехполюсников в основном излагается в разделе цепей постоянного тока после сравнительно простого предыдущего материала. Позже эта теория распространяется на случай переменного тока в весьма краткой форме. Аналогично положение с теорией цепей с распределенными параметрами в учебнике [13], которая впервые изучается в разделе цепей постоянного тока. Тем самым в этих двух случаях также нарушаются правила обучения. Между тем к изучению четырехполюсников и линий с распределенными параметрами, к тому же представляющих наибольший интерес для техники переменного тока, в разделе цепей переменного тока студенты уже хорошо подготовлены и их не затруднит также переход к частному случаю постоянного тока.

Рассмотрим работу схемы транзисторного стабилизатора. При повышении основного напряжения увеличиваются ток через делитель напряжения 1,2/с, 470, 820 и отрицательное напряжение на базе правого транзистора МП25Б усилителя постоянного тока. Потенциал коллектора этого транзистора, а также потенциал базы левого транзистора МП25Б становится менее отрицательным, составной тран-

Тринистор, как и динистор, может находиться в одном из двух состояний устойчивого равновесия. Если переключение динисто-ра в проводящее состояние происходит при достижении основным напряжением И& определенного значения С/Вкл, то переключение тринистора в проводящее состояние почти не зависит от приложенного к нему основного напряжения. Тринистор может быть переведен в проводящее состояние путем подачи напряжения положительной полярности [Уупр на управляющий электрод. Как видно из эквивалентной схемы ( 66, б), ток управляющего электрода /упр добавляется к току, протекающему через прибор, т. е. в область р% вводятся добавочные носители. Это увеличивает число актов ионизации атомов в переходе П2 и соответственно ток, протекающий через прибор. В связи с этим напряжение включения С/Вкл, при котором начинается лавинообразное увеличение тока, уменьшается. Зависимость снижения напряжения включения от тока управления /упр показывает семейство вольт-амперных характеристик ( 67). Вольт-амперная характеристика тринистора, снятая при нулевом токе управляющего электрода /упр = 0, подобна характеристике динистора. Рост тока управляющего электрода приводит к смещению вольт-амперной характеристики в сторону меньших значений напряжения включения. При значительном токе управляющего электрода /упр, который называется током спрямления /спр, вольт-амперная характеристика тринистора переходит в характеристику обычного диода, и участок с отрицательным сопротивлением исчезает. Таким образом, меняя ток управляющего электрода, можно регулировать значение напряжения включения почти независимо от внешнего напряжения Ua.

Вольтодобавочные трансформаторы и линейные регулировочные автотрансформаторы наряду с трансформаторами, регулируемыми под нагрузкой, широко применяют для регулирования напряжения. Вольтодобавочные трансформаторы имеют одну обмотку, включенную последовательно с линией, в которой регулируется напряжение. Эта обмотка питается от вспомогательного или возбуждающего трансформатора, а первичная обмотка последнего — от сети или постороннего источника тока. В зависимости от схемы соединения обмоток Вольтодобавочные трансформаторы могут создавать добавочную ЭДС, сдвинутую при фазе относительно основного напряжения или совпадающую с ним.

Для возможности искусственного изменения статизма регулятора, что необходимо при параллельной работе генераторов и в блоке с трансформатором, в ЭПА-305 предусмотрено устройство регулирования статизма. Оно выполнено с помощью трансформатора TL, вводящего при нагрузке генератора в цепи питания измерительного органа дополнительное, пропорциональное току нагрузки напряжение At/; с этой целью трансформатор TL одной обмоткой (первичной) включается параллельно резистору RR2, через который проходит ток нагрузки, используемый одновременно для компаундирования (в устройстве УК), а другой обмоткой (вторичной) включается последовательно с TV в цепи питания измерительного органа. В зависимости от сопротивления резистора RR2 и фазы AI7 относительно основного напряжения питания, т. е. группы соединения обмоток

5.9. Временные зависимости тока управляющего электрода (а). основного напряжения на тиристоре (б) и основного тока через тиристор (в), характеризующие процесс его включения

Включение тиристора путем быстрого увеличения напряжения между основными электродами. При быстром нарастании основного напряжения на тиристоре через него будет проходить емкостный ток, обусловленный наличием барьерных емкостей коллекторного и эмиттерных переходов.

Рассмотрим сначала влияние барьерной емкости коллекторного перехода. Емкостный ток через коллекторный переход ic = = CK(du/dt). Чем больше скорость изменения основного напряжения на тиристоре, тем больше значение емкостного тока через коллекторный переход. Этот ток, проходя через эмиттерные переходы, вызывает увеличение коэффициентов передачи токов эмиттера транзисторных структур, что приводит к включению

Барьерные емкости эмиттерных переходов являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении основного напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения основного напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших 6/вкло ( 5.10), если учитывать только барьерные емкости эмиттерных переходов.

Практически барьерная емкость коллекторного перехода сказывается сильнее, так как она шунтирует большое активное сопротивление коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении при закрытом состоянии тиристора. Барьерные емкости эмиттерных переходов сами оказываются зашунтирован-ными малыми активными сопротивлениями эмиттерных переходов, смещенных при закрытом состоянии тиристора в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора с увеличением скорости нарастания основного напряжения уменьшается.

Однако эффект включения тиристоров при большой скорости нарастания основного напряжения часто оказывается не положительным, а отрицательным свойством, так как может приводить к самопроизвольному включения тиристора, например при подключении источника питания. Эффективным способом ослабления этого эффекта является шунтирование эмиттерного перехода (см. § 5.2).

Например, шиносоединительный выключатель в РУ 220 кВ обозначается АЕ80А01, где А — код РУ высокого напряжения, Е — код напряжения 220 кВ, 80 — номер функциональной группы, А — код выключателя, 01 — порядковый номер. Рабочий трансформато н. первого блока обозначается 1ВТ01, где 1 — номер блока, ВТ — код трансформатора с. н. основного напряжения, 01 — порядковый номер.