Основными процессами

Производство полупроводниковых ИС с диффузионно- и эпи-таксиально-планарными структурами базируется на интегральной технологии, основными принципами которой являются: технологическая совместимость элементов схемы, групповая обработка, универсальность процессов (диффузия, ионное легирование, эпитаксия, пассивация), унификация пластин и заготовок.

Основными принципами построения отказоустойчивых комплексов на основе автоматической реконфигурации являются многоустройственность (в том числе многопроцессорность), общие поля процессоров, оперативной памяти, каналов и периферийных устройств, динамическое распределение функций между однотипными устройствами.

При рассмотрении линейных цепей (раздел первый) все процессы описываются линейными уравнениями. Методы расчета едины для цепей с источниками э. д. с. постоянной, синусоидально» и более елож-ной формы как в установившихся, так и в переходных процессах. Основой расчета токов и напряжений в цепях синусоидального тока является применение комплексных изображений синусоидальных функций времени. Основными принципами, на которых базируется исследование линейных цепей, являются принцип суперпозиции и принцип эквивалентного генератора.

С основными принципами проектирования центра КС с учетом надежности читатель может ознакомиться в [33] .

Итак, мы ознакомились со всеми основными принципами и методами радиотехники. Теперь остается разобраться в задачах, которые решает радиотехника. Этим мы и займемся в следующей, последней, главе,

8. Ознакомление с основными принципами борьбы с помехами и повышения помехоустойчивости радиосвязи.

Развитие советского электромашиностроения находится в теснейшей связи с грандиозной задачей электрификации СССР, которую партия и правительство поставили в порядок дня непосредственно после окончания гражданской войны. Основными принципами советской электроэнергетики являются:

с общим эмиттером, с указанием направлений токов для переменных сигналов приведен на 4.10, а. Положительный мгновенный потенциал на базе транзистора р — п — /з-типа относительно эмиттера приведет к уменьшению тока базы, а значит, и тока коллектора, что поведет за собой уменьшение падения потенциала на сопротивлении /?„, т. е. увеличение отрицательного потенциала на коллекторе. Это может рассматриваться как возникновение тока коллектора, направленного от нагрузки к коллектору, что находится в согласии с основными принципами действия транзистора, в частности, с соотношением (4.1).

Но токи /2 и /j связаны в соответствии с основными принципами работы транзистора коэффициентом В: /2 = — B/L. Следовательно,

Развитие отечественного электромашиностроения в послереволюционное время находится в тесной связи с грандиозной программой электрификации СССР, которую партия и правительство поставили в порядок дня непосредственно после гражданской войны. Основными принципами советской электроэнергетики являются: 1) плановый характер ее развития, осуществляемого на базе общегосударственного плана развития народного хозяйства; 2) централизованная выработка электроэнергии на районных электрических станциях; 3) сооружение электрических станций на местных и низкокалорийных видах топлива и мощных гидроэлектростанций; 4) создание и развитие мощных электроэнергетических систем, связанных длщсовмест-ной работы линиями передач высокого напряжения.

Руководствуясь основными принципами использования гидроэнергетических ресурсов, определенных и четко сформулированных еще в плане ГОЭЛРО, при разработке основных направлений развития гидроэнергетики учитывались: комплексность использования гидроресурсов, регулирование стока для лучшего использования самого источника энергии, концентрация напоров, а также оптимальность структуры энергосистем за счет рационального сочетания в них гидравлических, тепловых и атомных электростанций.

Основными принципами построения систем гибридного интеллекта являются: интеграция интеллектуальных способностей всех участников — операторов и разработчиков программ ЭВМ, информационных средств; общие ответственность и престиж всех участников; гибкая иерархия между ними; индивидуальная адаптация частной, профессиональной информации и групповая адаптация интегральной, общей информации.

Во многих электротехнических устройствах и особенно часто в устройствах промышленной электроники переходные процессы являются основными процессами работы, а не свидетельством аварийного режима. Так, переходные процессы, связанные с зарядом и разрядом конденсаторов, лежат в основе работы некоторых типов электронных генераторов.

Доменная структура оказывает сильное влияние на магнитные характеристики ферритов, что можно объяснить, рассмотрев их кривую намагничивания ( 12, а). Возрастание индукции под действием поля обусловлено двумя основными процессами: смещением границ доменов и поворотом их магнитных моментов. Кривую намагничивания можно разбить на четыре области: / и // — обратимого и необратимого смещения доменных границ; /// — вращения магнитных моментов доменов; IV — насыщения.

Основными процессами при электрическом пробое внутренней изоляции, как и при пробое газов, являются ускорение свободных электронов в электрическом поле и размножение их за счет ударной ионизации. Однако движение свободных электронов в твердых и жидких диэлектриках значительно сложнее, чем в газах, так как из-за малых межмолекулярных расстояний электроны постоянно взаимодействуют с окружающими их частицами. Кроме того, в зоне канала разряда может происходить изменение агрегатного состояния вещества.

Прежде чем рассматривать конструкцию коммутационных аппаратов, необходимо ознакомиться с основными процессами, происходящими в электрической дуге. Подробно явление разряда в газах, в том числе дуговой разряд, изучается в курсе «Техника высоких напряжений».

На работу транзистора в качестве усилителя или преобразователя высокочастотных сигналов, а также в импульсном режиме существенное влияние оказывают между электродные емкости. В полевых транзисторах отсутствуют инжекция неосновных носителей через переход и их диффузионное движение в базе — процессы, во многом определяющие частотные свойства биполярных транзисторов. Основными процессами, определяющими инерционность полевого транзистора, а следовательно, и его частотные свойства, являются процессы заряда и разряда междуэлектродных емкостей.

Количество существенно различных типов полупроводниковых приборов в настоящее время исчисляется десятками и непрерывно возрастает. Однако независимо от их функционального назначения, конструктивного оформления и специфических особенностей работы все полупроводниковые приборы имеют нечто общее, связанное с электрофизическими свойствами тех материалов, на которых они сформированы,— полупроводников. Основными процессами в полупроводниковых приборах являются получение носителей зарядов, управление их концентрацией и движением. Однако эти процессы в твердых полупроводниках во многом отличаются от аналогичных процессов в вакууме или газе. Понять механизм управления электрическими зарядами в полупроводниках — это значит получить ключ к решению сугубо практических вопросов, связанных с оптимальным использованием многочисленных и разнообразных полупроводниковых приборов, составляющих элементную базу современной полупроводниковой техники. Задача эта отнюдь не простая. Дело в том, что теория физических явлений в полупроводниках отличается большой сложностью и может быть во всех подробностях усвоена лишь на основе глубокого изучения фундаментальных разделов физики твердого тела с привлечением соответствующего математического аппарата. Поэтому придется

Основными процессами создания компонентов полупроводниковых интегральных схем являются технологические процессы создания р-п переходов, с помощью которых формируются как активные, так и пассивные компоненты интегральных схем — транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и т. д. Такими процессами являются диффузия примесей в кремний и эпитаксиальное наращивание монокристаллических слоев кремния на кремниевую подложку, имеющую противоположный тип проводимости. В соответствии с

На работу транзистора в качестве усилителя или преобразователя высокочастотных сигналов, а также в импульсном режиме существенное влияние оказывают между электродные емкости. В полевых транзисторах отсутствуют инжекция неосновных носителей через переход и их диффузионное движение в базе — процессы, во многом определяющие частотные свойства биполярных транзисторов. Основными процессами, определяющими инерционность полевого транзистора, а следовательно, и его частотные свойства, являются процессы заряда и разряда междуэлектродных емкостей.

Получение элементов интегральной схемы. Здесь роль триодов, диодов, резисторов, конденсаторов и других элементов выполняют отдельные области в полупроводнике,- имеющие такие же свойства и характеристики, как и указанные детали. Для интегральных схем используют в основном кремний. Диск диаметром примерно 25 и толщиной до 0,25 мм, разрезают на отдельные пластинки, которые шлифуют, полируют, обезжиривают, травят, промывают и высушивают. Основными процессами создания п- или р-области являются маскирование, травление, диффузия и эпитаксиалыюе выращивание. Ряд дополнительных процессов необходим для создания изолирующих прослоек между формируемыми областями. Маскирование кремния осуществляют термическим окислением его поверхности в атмосфере кислорода или водяного пара; при высокой температуре образуется слой двуокиси кремния толщиной в несколько десятков микрон. Такой слой в достаточной мере непроницаем для основных акцепторных и донорных примесей, вводимых диффузией. Затем фотохимическим методом на слое SiO2 образуют кислотоупорную маску. Путем травления плавиковой кислотой удаляют участки слоя SiO2, не защищенные маской, после чего маску растворяют. Через образованные «окна» осуществляется введение примесей в кремний. Диффузия легирующих примесей, в качестве которых используют в основном бор (акцептор) и фосфор (донор), производится из газовой фазы в потоке газа — носителя при температуре 1200 -W 1300° С; примеси относительно быстро диффундируют при этой - температуре через «окна» в слое двуокиси кремния и не пропускаются им на других участках. Применяют обычно двухступенчатый процесс диффузии: вначале легирующая примесь диффундирует йа небольшую глубину; высокая степень легирования обозначена символом-«+» ( 13.9). Кремниевая заготовка при температуре 1200° С подвергается окислению'в воздушной атмосфере, с целью образования нового защитного слоя SiO2. После этого осуществляется дополнительно диффузия ранее захваченной примеси под слоем SiO2 и происходит выравнивание ее концентрации. Наличие защитной пленки SiO2 позволяет проводить диффузию на втором этапе длительно без ухудшения состояния поверхности кремния. В дальнейшем,- чередуя эти процессы, получают тонкие p-n-p-переходы. Этим методом удается получить топкие диффузионные слои порядка 0,25 мкм и более.

Химическое и электрохимическое оксидирования являются основными процессами заключительной обработки изделий из алюминия и его сплавов

В настоящее время основными процессами в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем являются диффузионные. С их помощью наилучшим образом удается управлять концентрацией и распределением примесей в локальных участках поверхности полупроводников и создавать пассивные и активные элементы. Основное преимущество этого метода заключается в возможности групповой обработки большого количества маскированных окисной пленкой пластин, что при наличии хороших диффузионных печей обеспечивает наиболее экономичную и целесообразную организацию производства. Основные и определяющие параметры качества и производительности таких печей — высокая точность поддержания требуемой температуры и длина рабочей зоны диффузии с равномерным распределением температурного поля.