Основными операциями

основными, а дырки - неосновными носителями заряда. Для полупроводника р-типа основными носителями заряда служат дырки, а неосновными — электроны. В дальнейшем эти заряды будем называть сокращенно основными и неосновными носителями. Концентрация основных носителей, т. е. их число в 1 см3, обычно значительно превышает концентрацию неосновных носителей.

Скорость движения электронов во много раз больше скорости движения относительно тяжелых положительных ионов; поэтому и в газоразрядных приборах основными носителями тока остаются свободные электроны. Доля тока, образуемого движением положительных ионов, составляет обычно менее одной десятой общего тока через разрядный промежуток. Полезная роль положительных ионов заключается в том, что их заряды нейтрализуют объемный отрицательный заряд электронов. В разрядном промежутке образуется плазма - среда, для которой характерна высокая концентрация одинакового числа зарядов обоих знаков (примерно 109-1012 пар зарядов в 1 см3). Проводимость газовой плазмы близка к проводимости металлов, благодаря чему в газоразрядном приборе ток может достигать больших значений при малом напряжении между электродами.

Перенос зарядов в полевых транзисторах осуществляется только основными носителями. Отсюда происходит распространенное название полевых транзисторов — униполярные транзисторы, унитроны (в отличие от биполярного транзистора, в котором носители обоих знаков активно участвуют в процессе переноса зарядов).

В основе управления проводимостью области канала униполярных приборов лежит эффект поля — обогащение или обеднение основными носителями полупроводникового материала под воздействием внешнего поля. Это поле индуцируется управляющим электродом — затвором, отделяемым от области канала либо слоем диэлектрика, либо запертым р — л- переходом.

с капиллярной мембраной. Из-за низкой удельной электрической проводимоеш чистой воды (ст = 4 • 10 ~ 6 Ом~* • м~]) ее прямой электролиз недостаточно эффективен, поэтому практически осуществляют электролиз водного раствора КОН (в ЭЯ с жидким электролитом или капиллярной мембраной). При Т= 300 К и концентрации этой щелочи 20—40% а = 30 - 50 Ом ! • м !, Основными носителями зарядов в ионном т оке служат К и ОН .

В транзисторе с л-каналом основными носителями заряда в канале являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока с низким потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток стока /с. Между затвором и истоком приложено напряжение, запирающее p-n-переход, образованный п-областью канала

и р-областью затвора. Таким образом, в полевом транзисторе с п-каналом полярности приложенных напряжений следующие: ?/си>0, ). В транзисторе с р-каналом основными носителями заряда

На электропроводность полупроводника существенное влияние оказывает наличие в нем атомов различных примесей. При добавлении в полупроводник, относящийся к IV группе периодической системы элементов Д.И.Менделеева, элементов Vгруппы образуются валентные связи между атомами примеси и четырьмя атомами полупроводника. При этом пятый валентный электрон примеси оказывается избыточным и значительно слабее связанным со своим атомом, чем остальные четыре. При сообщении кристаллу небольшого количества дополнительной энергии (значительно меньшей, чем ширина запрещенной зоны AW) избыточный электрон переходит в зону проводимости и становится свободным. При увеличении содержания атомов примеси возрастает число электронов в зоне проводимости, а число дырок при этом не меняется. При значительном увеличении концентрации электронов по сравнению с концентрацией дырок ток в основном переносится электронами. В этом случае электроны являются основными носителями заряда, а дырки — неосновными. Примеси, способные отдавать электроны в зону проводимости, называются донорными или донорами.

Полупроводники, в которых основными носителями заряда являются электроны, называются электронными или полупроводниками «-типа (от лати-нского слова negative— отрицательный, что соответствует знаку заряда электрона).

При добавлении в полупроводник примесей, относящихся к III группе периодической системы элементов (например, галлия), в кристаллической решетке полупроводника атом примеси образует только три заполненные валентные связи. Четвертая связь остается вакантной. При сообщении кристаллу небольшой дополнительной энергии эта вакантная связь может быть заполнена электроном, перешедшим с одной из соседних заполненных валентных связей. В результате в той связи, откуда ушел электрон, нарушается нейтральность и образуется положительный заряд — дырка. При увеличении примесей возрастает концентрация дырок и они становятся основными носителями, а электроны — неосновными. Примеси, способные принимать на свои уровни валентные электроны, называются акцепторными или акцепторами. Полупроводники, в которых .основными носителями заряда являются дырки, называются дырочными или полупроводниками р-типа (от латинского positive — положительный, что соответствует знаку заряда дырки). Процесс образования пары электрон — дырка называется генерацией.

Рассмотрим различные соотношения между термодинамической работой выхода металла и полупроводника. При WM > Wa ( 1.5, а) объемный электрический заряд, возникший при контакте металла с полупроводником, вызывает искривление энергетических зон в слое полупроводника. В этом слое концентрация электронов низкая, поэтому слой полупроводника, примыкающий к контакту, является обедненным основными носителями. После контакта металла и полупроводника их уровни Ферми выравниваются и в состоянии динамического равновесия уровень Ферми для металла и полупроводника будет общим. При этом в зоне контакта образуется постоянный потенциальный барьер, величина которого равна разности термодинамических работ выхода металла и полупроводника.

Основными операциями в памяти в общем случае являются занесение информации в память — запись и выборка информации из памяти — считывание. Обе эти операции называются обращением к памяти, или, подробнее, обращением при считывании и обращением при записи.

Микромонтаж кристаллов ИМС начинается после создания ИМС в пластине (после электрического зондового контроля ИМС в составе пластин и контроля по внешнему виду). Основными операциями микромонтажа являются: 1) разделение пластин на модули; 2) контроль по внешнему виду и разбраковка; 3) посадка кристаллов ИМС в корпус или на коммутационную плату; 4) электрическое соединение выводов КП кристалла с КП корпуса или платы. Дополнительной операцией, которая производится при микромонтаже кристаллов ИМС, является их защита органическими компаундами.

Сборка измерительного механизма. Основными операциями типового технологического процесса сборки измерительного механизма, например с подвижной частью на кернах, являются: комплектование (сборка) обоймы; установка подвижной части в обойму;

Сборка подвижной части. Основными операциями сборки подвижной части являются: 1) подготовительная операция; 2) крепление букс к рамке; 3) крепление зеркала; 4) пайка растяжек.

Стойки могут работать автономно или может быть организована их параллельная работа. При этом стойка, с панели которой 'Осуществляется управление основными операциями, является ведущей, а остальные — ведомыми. Устройство связи объединяет аналоговую и цифровую вычислительные части в единую аналого->цифрову?о вычислительную систему, обеспечивает высокоскорост-

Промежуточные шаблоны изготавливают фотонаборным методом и методом сканирования с помощью модулируемого светового пучка. Фотонаборный генератор изображения имеет наборную лепестковую диафрагму изменяемой конфигурации, которая может формировать прямоугольные отверстия различного размера (до нескольких десятков тысяч вариантов) с переменным расположением их по углу относительно центра в пределах 0 — 90° и шагом ~0,2Э. В состав генератора входят также: источник освещения, высококачественный объектив (обычно с уменьшением 1:10), который проецирует изображение диафрагмы на фотопластинку; прецизионный двухкоординатныи стол (с точностью перемещения не хуже чем ±0,5 мкм); управляющая ЭВМ, в которую вводится программа последовательной работы генератора (с основными операциями: установление длины, ширины и угла поворота диафрагмы, координаты одной из точек элемента изображения, перемещение по осям и поворот стола, экспонирование).

Основными операциями этапа формообразования оснований холодной штамповкой являются вытяжка, пробивка отверстий и их разбортовка. Как правило, оборудование и инструмент обеспечивает автоматическую подачу металлической ленты и штамповку деталей. Заусенцы на деталях, возникающие при штамповке, удаляют сухой или мокрой галтовкой или травлением в смесях кислот.

Под графическими (графоаналитическими) понимают такие методы, в которых основными операциями при определении зависимости от времени искомых токов и напряжений являются графические построения, нередко сопровождаемые и некоторыми вспомогательными числовыми подсчетами.

Коммутационная способность контакторов определяется и регламентируется условиями работы. Основными операциями при управлении электроприводами являются пуск, реверсирование, торможение, отключение. На переменном токе это означает: 1) включение при номинальном напряжении и cosф = 0,3...0,4 шестикратных и реже десяти-двенадцатикратных номинальных токов при пуске и реверсе асинхронных двигателей с короткозамкнутым ротором и 2) отключение номинальных токов при напряжении до 0,2(У„ОМ двигателей, вращающихся с полной (или близкой к ней) частотой вращения, или шести-десятикратных токов при (1... 1,1) Uaou и cos ф = 0,3... 0,4, если двигатель не тронулся или только тронулся (и < 0,2пном). В этих режимах износ контактов при замыкании может превосходить износ при размыкании.

Под графическими (графа-аналитическими) понимают такие методы, в которых основными операциями при определении зависимости от времени искомых токов и напряжений являются графические построения, нередко сопровождаемые и некоторыми вспомогательными числовыми подсчетами.

Основными операциями технологического процесса сборки являются следующие: входной контроль, подготовка радиоэлементов к монтажу, установка и крепление радиоэлементов на печатных платах, пайка или сварка монтажных соединений, контроль работоспособности собранного электронного узла.