Основание натурального

где с — основание натуральных логарифмов.

где е— основание натуральных логарифмов; t — время; г и L — соответственно активное сопротивление и индуктивность цепи к. з. (в машине L — индуктивность, которая определяется потоком рассеяния).

где А — постоянная эмиссии (для термокатодов А = 15 -*• 350а/(см2 • град2); Т — абсолютная температура, °К; е — основание натуральных логарифмов; W0 — работа выхода электронов, эв; k — постоянная Больцмана.

где е — основание натуральных логарифмов.

где е — основание натуральных логарифмов; Л — интенсивность отказов.

где % — определяемое из выражения (3-38) превышение температуры проводника, которое установилось бы, если бы фактически имеющаяся в рассматриваемый момент нагрузка не изменялась долго; to — превышение температуры проводника в момент начала отсчета to', Т — постоянная времени нагревания проводника, исчисляемая в тех же единицах, что и величина t (мин, сек); е~2,718 — основание натуральных логарифмов.

где е = 2,718 (основание натуральных логарифмов); 00—начальный перегрев в момент'^=0 ( 7-1).

где /зар — ток заряда абсорбционной емкости; U — приложенное напряжение; t — время приложенного напряжения; т=^?абсСабс — постоянная времени; е — основание натуральных логарифмов, равное 2,71828.

где е — основание натуральных логарифмов; А — произвольная постоянная и а = — r/L — корень характеристического бинома г + O.L = 0.

где А — постоянная, зависящая от материала кристалла, см 3; k= 1,37-10""23 Дж/град — постоянная Больцмана, Т — абсолютная температура, К; е = 2,718— основание натуральных логарифмов.

е — мгновенное значение э. д. с., основание натуральных логарифмов.

где т, В — константы для данного металла; А — энергия активации ползучести; е — основание натурального логарифма; R — универсальная газовая постоянная.

Теоретически переходной процесс длится бесконечно долго, но на практике его считают установившимся, когда разность между изменяющейся величиной и пределом, к которому она стремится, не превышает 5% от полного изменения. Как видно из 6.3, б, за время t = т ток заряда емкости уменьшился от максимального значения, принятого за единицу, до 0,368 (в е раз, где е — основание натурального логарифма). Обычно принимают, что для прекращения переходного процесса необходимо время t ^ (3 Ч- 5)т.

Синусоидальные функции времени а = Ams'm(wt -j- ty) изображаются также комплексными числами. При этом на плоскости комплексных чисел ( 3.1.2) из начала координат под углом $ к оси действительных чисел (вещественной оси) проводят вектор Am, концу которого соответствует определенное комплексное число. Комплексная амплитуда синусоидальных величин определяется выражением Am = >lme'* (где е — основание натурального логарифма). Для действующих значений синусоидальных величин это выражение преобразуется к виду: А = Ле">.

где А — постоянная интегрирования; е — основание натурального логарифма.

dldt, р—оператор дифференцирования In — основание натурального

где е — основание натурального логарифма.

мени, в течение которого значение экспоненциальной функции уменьшится в е раз относительно исходного. Здесь е = 2,71 — основание натурального логарифма. Такое определение постоянной времени в следует непосредственно из (1.21): при t = в (/(в) = Ее-1 = Е/е.

где R = у а2 + Ь2 — модуль комплекса, равный длине вектора, изображающего комплексное число; а = arctg (b/a) — аргумент комплексного числа, т. е. угол между осью вещественных чисел и вектором, изображающим комплексное число; cos а + ;' sin а = ejc< - формула Эйлера; е -основание натурального логарифма.

Для ориентации диполя требуется время, которое характеризуется временем релаксации т. После снятия внешнего поля в течение т ориентация полярной молекулы под действием теплового движения уменьшается в е раз (е — основание натурального логарифма).

Рпд; коэффициент отражения Яф — отношение отраженной мощности Ротр от поверхности кристалла к мощности падающего излучения Рпд; коэффициент поглощения аф (см"1), численно равный значению обратного расстояния от поверхности полупроводника, на котором первоначальная мощность падающего излучения уменьшается в е раз, где е — основание натурального логарифма.

2. Скорость уменьшения значений экспоненциальной функции определяется постоянной времени 9. Постоянная времени численно равна отрезку времени, в течение которого значение экспоненциальной функции уменьшится в е раз относительно исходного. Здесь е = 2,71 — основание натурального логарифма. Такое определение постоянной времени 9 следует непосредственно из (1.21): при ^=9 значение функции U (9) = Ее~1 = Е/е.