Определить воспользовавшись

Чтобы определить внутреннее сопротивление эквивалентного двухполюсника, следует рассмотреть цепь без источников, представленную на 3.8,6 и имеющую сопротивление

Теперь требуется определить внутреннее сопротивление эквивалентного источника, э. д. с. которого Ех = t/x. х = = UCR- Если предположить, что э. д. с. действительного источника равна нулю Е = О ( 1.11, в) и в результате этого точки А и D соединены накоротко, то это сопротивление равно входному сопротивлению схемы со стороны точек В и С:

510. Амперметр установлен в неразветвленной части цепи ( 14, а), причем сопротивления резисторов ri = = 2 Ом; г 2 = г3 = 4 Ом; г4 = 8 Ом. Эдс источника питания цепи 10 В, а его внутреннее сопротивление 0,5 Ом. Определить внутреннее сопротивление амперметра, если вноси-

1013. Ток газотрона при анодном напряжении 15 В равен 5 А. Какое количество теплоты выделяется в лампе в течение 1 ч? Определить внутреннее сопротивление газотрона в цепи постоянного тока.

Из данных табл. 8.1 можно ориентировочно определить внутреннее сопротивление элемента для выбора параметров входной цепи управляемого Им элемента. Будем считать, что основная часть тока, потребляемого элементом, проходит через резистор R3 и при ^(О)вых на R3 падает напряжение порядка 5 В. Тогда для элемента К1ЛБ554 #вн~5/(3-10-3) = 1666 Ом. Следовательно, при управлении от элемента К1ЛБ554 транзистором нужно обеспечить его открытие при U'm=2,4 В и #'вн=1666 Ом и закрытие при [/"Вх= = 0,4 В и #"Вц=0. При выборе параметров элементов схемы, подключенной к выходу элемента серии КД55, нужно также учитывать, что выходной ток последнего в режиме сигнала 1 на выходе ограничен значением не более 2 мА.

1.6. Определить внутреннее сопротивление /?о и ЭДС Е источника питания ( 1.6), если при разомкнутых выключателях В\ и Вг ток, протекающий в цепи амперметра, / = /, = 2 А, а при замкнутом выключателе В\ и разомкнутом выключателе В2 ток /=/2 = 2,5 А. Сопротивления резисторов R\ = Ri = /?з == 3 Ом.

1.39. Пользуясь законами Ома и Кирхгофа, определить внутреннее сопротивление1 /?о источника питания электрической цепи постоянного тока и напряжение 1/2 на резисторе /?2 ( 1.39), если дано: ?=70 В, 1/ = ЗОВ; Я=10Ом; /?г = = 38 Ом; (/t = 20 В. Ответ. Яв=2 Ом; fj=76 В.

2.7. Определить внутреннее сопротивление /?/, крутизну S анодно-сеточной характеристики /a(t/c) и коэффициент усиления ц лампового триода для точки А прямолинейного участка анодной характеристики /а(6/а), приведенной на 2.6,6.

6.1. Определить внутреннее сопротивление /?,-, крутизну динамической анодно-сеточной характеристики 5Д и динамический коэффициент усиления Л"д лампового триода типа 6Н7С, если его статический коэффициент усиления ц = 40, крутизна статической характеристики S = 2,5 мА/В = 2,5-10~3 А/В, сопротивление нагрузочного резистора R, = 20 кОм.

4.38*. Известно, что при анодном напряжении ?/а — =200 В триод запирается при напряжении сетки ?/с.зап— =—8 В. Определить внутреннее сопротивление /?», если крутизна 5=2 мА/В.

Определить крутизну характеристики S, внутреннее сопротивление Ri и статический коэффициент усиления р. в рабочей точке. Повторить вычисления для триодного включения тетрода (анод соединен с экранирующей сеткой) при таких же напряжениях анода и управляющей сетки. Сравнить результаты. Характеристики взять из справочника.

Комплексные значения этих напряжений можно определить, воспользовавшись уравнениями, составленными по второму закону Кирхгофа для схемы 7.9:

и значения А?г и b можно определить, воспользовавшись линейной зависимостью In (TV/p) от Гм~'. По углу наклона эгой зависимости найдем АЕт/k, а по точке пересечения с осью Гм~' — vb. Для получения этой зависимости необходимо провести серию измерений тер-мостимулированного тока или емкости при различных скоростях нагрева р.

Величину емкости, необходимую для повышения cos ф от заданного значения cos ф! до требуемого значения cos ф2, можно определить, воспользовавшись векторной диаграммой ( 4.25). Вектор приложенного напряжения U направлен по горизонтальной оси. Ток / отстает от напряжения на угол «pi; вектор активной составляю-

Напряженность поля 8а У поверхности анода можно определить, воспользовавшись выражением (2-8). Подставив в это соотношение х = га и U = Ua и разделив (2-9) на вновь полученное выражение, запишем:

Предположим далее, что напряжение отрицательного смещения Ес на сетке остается прежним. Рабочая точка в рассматриваемом режиме переместится на другую анодно-сеточную характеристику, соответствующую анодному напряжению Ua == Еа — UR (точка А' на 3-18, а). Падение напряжения на сопротивлении нагрузки, новое значение анодного тока /ао и положение точки А' на семействах характеристик можно определить, воспользовавшись уравнением (3-58).

Закон изменения концентрации неосновных носителей в об-ластях полупроводникового кристалла за границами перехода можно определить, воспользовавшись соотношениями (9-115) и (9-119). Если размеры р- и n-областей превышают диффузионные длины: wn > Lp и wp > Ln, то концентрации неосновных носите-

Его значение в зависимости от физических параметров, тока /э и напряжения С/КБ можно определить, дифференцируя (12-8), предварительно подставив туда (12:17), положив а* = 1 и воспользовавшись соотношениями (12-21) и (12-41):

Емкость коллекторного перехода СК: так же как и эмиттерного, содержит барьерную и диффузионную емкости. Емкости Ск. бар можно определить, воспользовавшись выражением (10-66):

Напряженность поля 8а У поверхности анода можно определить, воспользовавшись выражением (2-8). Подставив в это соотношение х = га и U = Ua и разделив (2-9) на вновь полученное выражение, запишем:

Предположим далее, что напряжение отрицательного смещения Ес на сетке остается прежним. Рабочая точка в рассматриваемом режиме переместится на другую анодно-сеточную характеристику, соответствующую анодному напряжению Ua == Еа — UR (точка А' на 3-18, а). Падение напряжения на сопротивлении нагрузки, новое значение анодного тока /ао и положение точки А' на семействах характеристик можно определить, воспользовавшись уравнением (3-58).

Закон изменения концентрации неосновных носителей в об-ластях полупроводникового кристалла за границами перехода можно определить, воспользовавшись соотношениями (9-115) и (9-119). Если размеры р- и n-областей превышают диффузионные длины: wn > Lp и wp > Ln, то концентрации неосновных носите-