Определенной погрешностью

Метод Вернейля ( 24) является одним из наиболее разработанных методов получения монокристаллических соединений, имеющих достаточно высокие температуры плавления. При выращивании монокристаллов по этому методу исходную смесь-порошок с размерами частиц 1—2 мкм подают из бункера / непрерывной струей через пламя газовой кислородно-водородной горелки 2, являющейся источником высокой температуры (2300 °С). Проходя через пламя, порошок частично расплавляется и попадает на тугоплавкий корундовый или силитовый стержень 7, на конце которого закреплена монокристаллическая затравка 6 определенной ориентации. Затравка постепенно вводится в зону высоких температур до образования на ее конце устойчивой пленки расплава.

Рассмотрим общий случай включения трехполюсника, когда к трем его выводам подводятся напряжения Ult /72 и Ua по отношению к некоторому базисному узлу ( 9.2). При таком включении нет определенной ориентации выводов /, 2, 3, 9.2 которые могут быть приняты за входы.

Наличие в пьезоэлектрических кристаллах полярных направлений обусловливает важность определенной ориентации граней пьезоэлемента по отношению к кристаллографическим осям X, Y и Z. Для преобразователей, использующих продольный пьезоэффект, максимальную чувствительность будет иметь пьезоэлемент, ориентированный относительно кристаллографических осей так, как показано на 8.1, б. Это так называемый Х-срез. Если ориентацию пьезоэлемента относительно кристаллографических осей изменить на 30* или 90°, то получим так называемый У-срез.

Полученные здесь частные выражения для натяжений (4.19), (4.20) можно использовать только при определенной ориентации поверхностей в области поля, т. е. когда они направлены вдоль линий поля или нормальны к линиям поля. Но от этих выражений можно перейти к общим выражениям для определения натяжений на произвольных поверхностях, элементы которых dS произвольно ориентированы в пространстве. С этой целью выдел им на произвольной поверхности S, охватывающей объем V, элемент AS с бесконечно малыми размерами, имеющий форму треугольника 123 ( 4.7, а). Построим этот элемент в окрестности одной из точек на поверхности S, например в окрестности точки 3, где внешняя (по отношению к охватываемому объему) нормаль к поверхности направлена по орту п.

В предыдущем параграфе был рассмотрен случай, когда магнитное поле контуров с токами существует в пустоте. Опыт показывает, что если те же контуры с теми же токами окружить веществом или хотя бы в части пространства около них расположить тела из того или иного вещества, то магнитное поле в большей или меньшей мере изменяется. Это изменение поля является следствием возникновения в самом веществе под действием внешнего магнитного поля определенной ориентации элементарных внутримолекулярных и внутриатом-/ i\\\ \^'^ ных электрических токов.

определенной ориентации .кристалла относительно направления ионного пучка пробеги ионов становятся аномально большими. Если траектория движения иона совпадает с кристаллографическими направлениями , <100>, <•!!!>, то ион проходит вдоль атомных рядов или плоскостей, образующих межосевые или межплоскостные каналы, испытывая только скользящие столкновения. Указанный эффект, называемый эффектом каналирования, полезен тем, что -позволяет осуществлять ионное внедрение на заданную глубину при более низких энергиях и с малой степенью разупорядоченности структуры. Однако для того, чтобы основная масса ионов каналировалась, необходимо ориентировать подложку относительно ионного пучка с точностью 0,1°, что в производственных условиях весьма сложно. Для получения воспроизводимых результатов эффект каналирования подавляют, для чего увеличивают угол разориентации до 7—8°.

определенной ориентации .кристалла относительно направления ионного пучка пробеги ионов становятся аномально большими. Если траектория движения иона совпадает с кристаллографическими направлениями , <100>, <•!!!>, то ион проходит вдоль атомных рядов или плоскостей, образующих межосевые или межплоскостные каналы, испытывая только скользящие столкновения. Указанный эффект, называемый эффектом каналирования, полезен тем, что -позволяет осуществлять ионное внедрение на заданную глубину при более низких энергиях и с малой степенью разупорядоченности структуры. Однако для того, чтобы основная масса ионов каналировалась, необходимо ориентировать подложку относительно ионного пучка с точностью 0,1°, что в производственных условиях весьма сложно. Для получения воспроизводимых результатов эффект каналирования подавляют, для чего увеличивают угол разориентации до 7—8°.

Swn — компоненты тензора диэлектрической проницаемости механически свободного кристалла (Т = 0). При определенной ориентации кристаллографических осей все е„,„ = 0 для m ф n, тогда оставшиеся значения e,L (при я — т) являются главными коэффициентами тензора диэлектрической проницаемости при стандартной установке кристалла. Коэффициенты е„^, отличаются от Е„„„ так как &пт измерены на механически зажатом кристалле (S = 0).

Эмиссионная эффективность катода существенно повышается при использовании монокристаллов определенной ориентации. Теоретические расчеты работы выхода электронов с различных граней монокристалла вольфрама [202] дали следующее

В предыдущем параграфе был рассмотрен случай, когда магнитное поле контуров с токами существует в пустоте. Опыт показывает, что если те же контуры с теми же токами окружить веществом или хотя бы в части пространства около них расположить тела из того или иного вещества, то магнитное поле в большей или меньшей мере изменяется. Это изменение поля является следствием возникновения в самом веществе под действием внешнего магнитного поля определенной ориентации элементарных внутримолекулярных и внутриатомных электрических токов.

Напротив, если затравочный кристалл, ось которого совпадает с [100], огранить боковыми гранями, совпадающими с плоскостями {110}, то области формирования граней {111} смещаются на плохо подплавляе-мые средние части боковых поверхностей затравочного кристалла. В сочетании с переохлаждением расплава это приводит к увеличению вероятности одновременного двойникования по всем нижним плоскостям {111}, что приводит к образованию сложного двойникового комплекса, монокристаллические индивиды в котором отделены двойниковыми границами второго порядка [27, 28]. Таким приемом можно получить четырехсекторные кристаллы, содержащие четыре монокристалла (индивида) ориентации [122] каждый и разграниченные двойниковыми плоскостями второго порядка {122} ( 28). Применяя затравку, содержащую двойники определенной ориентации, можно получить более сложные комплексы [например, двух- и трехсекторные кристаллы с границами второго порядка (122) и (114)]. Основой при создании разных комплексов является то, что в двойниковых кристаллах кремния, индивиды в которых связаны между собой границами второго порядка, входящие двух-, трех и четырехгранные октаэдрические углы, образованные гранями- {111} различных индивидов сростка, являются местом зарождения нового кристалла, находящегося в двойниковом положении ко всем индивидам сростка. Интересно отметить, что однажды сдвойникованный по одной из плоскостей (111) индивид двойнику ется еще раз по общим плоскостям {111} с прилегающими к нему индивидами. Это явление было названо авторами [29] вторичным двоиникованием и в зависимости от симметрии двойникового комплекса и последовательности процессов двойникования оно может приводить к реставрации комплекса до монокристалла либо к перестройке в другой комплекс [29].

ния действия поля. Электрические силы не являются единственным фактором, способствующим приобретению частицей определенной ориентации. Движущиеся частицы под действием гидродинамического момента стремятся повернуться таким образом, чтобы испытываемое ими сопротивление движению было наибольшим. Такое положение соответствует ориентации удлиненных частиц длинной осью перпендикулярно направлению движения. В зависимости от соотношения моментов частица может располагаться различным образом относительно направления действующих сил и направления движения. В частности, возможны случаи, когда частица в электрическом поле располагается длинной осью перпендикулярно направлению вектора напряженности электрического поля.

Посредством МПХ и МП0 в процессе аналого-цифрового преобразования осуществляется масштабное изменение (деление или умножение) величин X или (и) Х0. Преимущественно в процессе преобразования осуществляется масштабное преобразование Х0, а масштабное преобразование величины X используется, как правило, при выборе пределов. На выходе сравнивающего устройства возникают сигналы неравенства масштабированных величин К и Х0. Эти сигналы поступают на вход устройства управления, которое может осуществлять изменение коэффициентов передачи МПХ или (и) МП0 до установления равенств их выходных величин с определенной погрешностью. В таком случае аналого-цифровые преобразователи называют замкнутыми или АЦП уравновешения. Связи от УУ к МПХ и МП0 могут отсутствовать. В этом случае аналого-цифровые преобразователи называют разомкнутыми, АЦП прямого преобразования, АЦП совпадения или сопоставления. Устройства управления во всех типах АЦП формируют входные кодовые сигналы.

Следует остановиться на том, что практически вся исходная информация, используемая -в расчетах, обладает определенной погрешностью. В связи с этим любой результат, получаемый в расчетах краткосрочного режима энергосистемы, следует рассматривать не как детерминированный, а как наиболее ожидаемый.

Посредством МПХ и МП0 в процессе аналого-цифрового преобразования осуществляется масштабное изменение (деление или умножение) величин X или (и) Х0. Преимущественно в процессе преобразования осуществляется масштабное преобразование Х0, а масштабное преобразование величины X используется, как правило, при выборе пределов. На выходе сравнивающего устройства возникают сигналы неравенства масштабированных величин X и Х0. Эти сигналы поступают на вход устройства управления, которое может осуществлять изменение коэффициентов передачи МПХ или (и) МП0 до установления равенств их выходных величин с определенной погрешностью. В таком случае аналого-цифровые преобразователи называют замкнутыми или АЦП уравновешения. Связи от УУ к МПК и МП0 могут отсутствовать. В этом случае аналого-цифровые преобразователи называют разомкнутыми, АЦП прямого преобразования, АЦП совпадения или сопоставления. Устройства управления во всех типах АЦП формируют входные кодовые сигналы.

Регулировочные характеристики не прямолинейны, можно найти лишь зону пропорционального регулирования, т. е. диапазон изменения коэффициента сигнала, при котором скорость меняется пропорционально сигналу с определенной погрешностью. Обычно допускается погрешность Av = ±5%. На 8.11 зона пропорционального регулирования показана для идеального двигателя (зона а при т = 0, зона Ь при т = 0,5).

При подаче пускового импульса триггер Тг опрокидывается и своим выходным сигналом открывает ключ К,. Импульсы от генератора импульсов ГИ начинают проходить через ключ на вход генератора ГЛСН и ПУ. Напряжение ?/к на выходе генератора ТЛСН начинает возрастать по линейно-ступенчатому закону ( 6.24, и). При UK = Ux (с определенной погрешностью) сравнивающее устройство СУ выдает стоп-импульс, возвращающий триггер в исходное состояние. Триггер закрывает ключ К и тем

Регулировочные характеристики не прямолинейны, можно найти лишь зону пропорционального регулирования, т. е. диапазон изменения коэффициента сигнала, при котором скорость меняется пропорционально сигналу с определенной погрешностью. Обычно допускается погрешность Av=±5%. На 8.11 зона пропорционального регулирования показана для идеального двигателя (зона а при т = 0, зона Ь при т = 0,5).

При подаче пускового импульса триггер Тг перебрасывается и своим выходным импульсом открывает ключ К. Импульсы от генератора импульсов ГИ начинают проходить через ключ на вход генератора ГЛСН и ПУ. Напряжение Uh на выходе генератора ГЛСН начинает возрастать по линейно-ступенчатому закону ( 297, б). При Uh = Ux (с определенной погрешностью) сравнивающее устройство СУ выдает стоп-импульс, возвращающий триггер в исходное состояние. Триггер закрывает ключ К и тем самым прекращает поступление импульсов на вход генератора ГЛСН и ПУ. Следовательно, на отсчетном устройстве будет зафиксировано число

Оценка точности инженерных расчетов. В связи с приближенностью математической модели, неопределенностью исходных данных, погрешностью эмпирических формул и констант и погрешностями вычислительных операций инженерные расчеты характеризуются определенной погрешностью.

ся экспериментальный участок, непосредственно не измерялось, а определялось по показаниям термопары, установленной в паровом объеме. В связи с определенной погрешностью зависимости упругости насыщенных паров N2O4 от температуры, а также влияния примесей на кривую насыщения отсутствие контроля давления может привести к дополнительным погрешностям.

При расчете трубы с учетом ее пространственной работы распределение ветрового давления по кольцевому сечению, соответствующее аэродинамическому коэффициенту СНиП II-6-74, с определенной погрешностью заменяется рядом составляющих воздействий:

Кроме того, и идеальный фильтр низких частот, необходимый для восстановления сигнала в соответствии с теоремой, является физически нереализуемым, так как предъявляемые к нему требования (идеально прямоугольная форма амплитудно-частотной характеристики, отсутствие фазового сдвига в рассматриваемой полосе частот от 0 до Fma)<) оказываются противоречивыми и могут выполняться лишь с определенной погрешностью. Учитывая сказанное, частоту дискретизации по времени обычно принимают в 1,5 — 2,5 раза больше значения, рассчитанного по теореме Котельникова, т.е.: