Определенной напряженности

.Управление зарядными МСЛ, создаваемыми внешним полем. Для реализации этого метода на поверхность пластины (подложки) наносят ферромагнитные (обычно пермаллоевые) аппликации определенной конфигурации, например такой, как на 8.2. Посредством системы намагничивающих катушек создают поле, действующее в плоскости пластины. Направление этого поля можно менять (коммутировать) так, как показано на 8.2 стрелками. Каждому направлению поля соответствует определенное расположение магнитных зарядов на элементах аппликации (полярность зарядов обозначена знаками «+» и «—»). Условимся, что домен имеет знак «—», т. е. притягивается к магнитному заряду со знаком «+». ЦМД при одном обороте поля Яупр будет перемещаться с одной полоски через Т-образный элемент на следующую полоску. Такого рода МСЛ имеют наибольшее применение.

Фотолитография заключается в нанесении на пластину фоточувствительного слоя. Этот слой засвечивают через маску, и при проявлении на пластине образуется рисунок определенной конфигурации. При травлении пластины в плавиковой кислоте под рисунком SiO2 не удаляется, окна в защитной пленке SiO2 вскрываются только на неосвещенных участках. Фотолитография позволяет создать рисунки с размерами элементов не менее 2 мкм. Более высокой разрешающей способностью обладает электронно-лучевая литография, позволяющая при засветке пластины электронным лучом создавать элементы с минимальными размерами до 0,1 мкм.

Пленочные резисторы. Пленочный резистор располагают на поверхности диэлектрической подложки; конструктивно он состоит из резистивной пленки определенной конфигурации и контактных площадок. На 1.1 показаны наиболее распространенные конфигурации таких резисторов. С учетом требований автоматизации проектирования

ми действия магнитных сил, представление о которых дает распределение стальных опилок вдоль линий определенной конфигурации на листе картона, положенном на магнит.

Пассивные элементы и компоненты ИС резисторы, конденсаторы, индуктивности и внутрисхемные соединения. Резисторы в тонкопленочных ИС представляют собой или полоску, или пленку определенной конфигурации, нанесенную между двумя контактами на диэлектрическом основании (подложке). Требуемое сопротивление резистора достигается за счет выбора как геометрических размеров пленки (ширины, длины, толщины), так и материала пленки. Пленку резисторов получают осаждением паров нихрома, тантала, нитрида тантала или смеси металлов с диэлектриком, которые носят название керметов. Применение керметов обеспечивает высокое удельное сопротивление. Их получают из хрома и моноокиси кремния одновременным осаждением паров этих веществ на подложку.

В прямоугольном резонаторе векторы поля для колебаний любого типа могут быть представлены в виде суммы двух векторов, соответствующих полям вполне определенной конфигурации. Характер этих полей определяется размерами резонатора и типом колебаний.

В прямоугольном резонаторе векторы поля для колебаний любого типа могут быть представлены в виде суммы двух векторов, соответствующих полям вполне определенной конфигурации. Характер этих полей определяется размерами резонатора и типом колебаний.

Литография, Окна на поверхности пластины, используемые для проведения диффузии, наносятс? фотолитографическим методом. При этом поверх SiOj на пластину наносят фоторезист, представляющий собой тонкую пленку светочувствительного органического материала. Затем накладывается фотошаблон в виде стеклянной контактной маски, на которой имеется рисунок, состоящий из прозрачных и непрозрачных областей. Через маску фоторезист подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами, в результате чего при действии проявителя на облученных участках фоторезист не проявляется. Таким образом на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигурации и соответствующих размеров. При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя SiO2 фоторезист не растворяется, поэтому окна вскрываются только на участках, не покрытых экспонированным фоторезистором. Через эти окна и проводится диффузия.

Ферромагнитные материалы вводят в магнитную цепь также с целью сосредоточения магнитного поля в заданной области пространства и придания ему определенной конфигурации.

В природе существует единое электромагнитное поле. Говоря о магнитном поле, мы исключаем из рассмотрения существующее электрическое поле, которое всегда имеется, хотя и может быть очень слабым. Магнитное: поле определим как одну из двух сторон электромагнитного поля, характеризующуюся воздействием на движущиеся заряженные частицы, магниты, проводники с током и другими явлениями. Рассмотрим магнитное поле постоянного магнита. Северным называется магнитный полюс, который обращается к северному зем-:яому полюсу. Графически магнитное поле изображается линиями действия магнитных сил, представление о которых дает распределение стальных опилок вдоль линий определенной конфигурации на листе :картона, положенном на магнит.

Основой пленочного резистора является резистивная пленка из металла (хром, тантал, палладий), металлического сплава (нихром) или металлокерамики (кермет). Резистивную пленку определенной конфигурации тем или иным способом наносят на диэлектрическую подложку гибридной интегральной микросхемы или на окисленный кристалл полупроводниковой интегральной микросхемы, изготовленной по совмещенной технологии ( 7.12).

Нетрудно доказать, что значение мощности входа, необходимое для создания определенной напряженности поля Яу, обратно пропорционально площади обмоточного окна Qy, занятой обмоткой управления:

где В№ соответствует определенной напряженности поля Н„; обычно коэффициент прямоугольности определяют при Нм = 5//с (ах) или Нт = 10 Нс (а2).

Для образования первоначального потока электронов в промежутке между контактами путем выхода электронов за пределы катода необходимо наличие поля определенной напряженности или высокой температуры в пространстве между контактами.

По мере развития производительных сил общества и бурного роста водопотребления, приведших в ряде крупных регионов страны к определенной напряженности водного баланса, это положение стало все более и более противоречить задачам развития народного хозяйства страны. Стремление каждой отрасли водного хозяйства получить для себя наибольшую экономическую выгоду, не сообразуясь с потребностью в воде других отраслей, перестало отвечать требованию получения наибольшей экономической эффективности для народного хозяйства в целом. Планирование развития и управления каждой отраслью в отдельности без должной связи с целями и условиями функционирования других отраслей приводило в ряде случаев к обострению противоречий между ними и к серьезному нарушению материального баланса и дезорганизации производства. Нарушались требования по охране водных ресурсов и окружающей среды.

В общем случае из-за сложной взаимосвязи между потокосцеп-лением ф и намагничивающим током i, вызванной изменением магнитного состояния ферромагнитного материала магнитопрово-да (его насыщением) при достижении определенной напряженности поля (см. § 1.3), эти уравнения оказываются нелинейными и точное аналитическое решение их практически невозможно. Рассмотрим отдельно период трогая ия и период движения электромагнита при срабатывании.

Естественно, что по сравнению с тепловым электрический пробой развивается за очень короткий промежуток времени, порядка КГ7 — 10"8 с: необходимо лишь достижение определенной напряженности электрического поля.

для туннелирования возникают только при определенной напряженности электрического поля или при определенном j Г'"Т напряжении на ^-«-переходе — при пробивном напряжении. Значение этой критической напряженности электри- рис 3 2Q вдх диода ческого поля составляет примерно туннельном пробое для раз-8-10 В/см для кремниевых переходов ных температур и 3-10 В/см для германиевых. Так как

Для сравнения на 3.56 приведены энергетические диаграммы двух низковольтных стабилитронов с разными напряжениями стабилизации. Для туннелирования носителей заряда сквозь p-n-переход, во-первых, должна быть мала толщина А потенциального барьера, сквозь который должны туннелировать электроны. Эта толщина потенциального барьера получится при определенной напряженности электрического поля или угле наклона энергетических зон, так как E~tga. Во-вторых, для туннелирования необходимо наличие электронов с одной стороны р-п-перехода (в данном случае в валентной зоне р-области)

3.2.2.3.2.)-У сегнетоэлектрика и ферромагнетика изменение электрических и магнитных свойств при механическом воздействии наиболее просто объясняется с помощью изменения кривой гистерезиса ( 3.96). В отличие от сегнетоэлектрического эффекта, при котором для создания датчиков всегда используется лишь изменение остаточного электрического смещения Dr0 (или электрического смещения DEO-при определенной напряженности электрического поля Е0) ( 3.96,а), при магнитоупругом эффекте можно использовать два принципа преобразования: генераторный и параметрический ( 3.96, б).

Величину напряженности поля можно измерить и непосредственно, пользуясь маленькой безэлектродной неоновой лампой. Располагая лампу в некоторой точке поля в направлении линии напряженности, увеличивают напряжение на изоляторе до тех пор, пока лампа не вспыхнет. Лампа вспыхивает при определенной напряженности поля, которая может быть найдена предварительно путем помещения лампы в нарастающее известное поле. Производя опыт в разных точках исследуемого поля, определяют напряжения на изоляторе, при которых вспыхивает лампа в этих точках поля. Результаты измерений дают возможность путем пропорционального пересчета получить напряженность в разных точках поля при одном напряжении на изоляторе.

При заданных значениях давления газа и температуры ударная ионизация начинается при определенной напряженности поля, по-

Значение напряженности поля можно измерить и непосредственно, пользуясь маленькой безэлектродной неоновой лампой. Располагая лампу в некоторой точке поля в направлении линий напряженности, увеличиваем напряжение на изоляторе до тех пор, пока лампа не вспыхнет. Лампа вспыхивает при определенной напряженности поля, которая может быть найдена предварительно путем помещения лампы в нарастающее известное поле. Производя опыт в разных точках исследуемого поля, определяем напряжения на изоляторе, при которых вспыхивает лампа в этих точках поля. Результаты измерений дают возможность путем пропорционального пересчета получить напряженность в разных точках поля при одном напряжении на изоляторе.