Некоторых магнитных

Регистром называется устройство,- предназначенное для запоминания слова, а также для выполнения над словом некоторых логических преобразований. Регистр представляет собой совокупность триггеров, число которых соответствует числу разрядов в слове, и вспомогательных схем, обеспечивающих выполнение некоторых операций, среди которых могут быть: установка регистра в 0 («сброс»);

Если результат предыдущей операции положительный, то команда 21 просто не срабатывает и пропускается, вслед за ней выполняется следующая очередная команда. Команда УПУ может реагировать не только на отрицательный результат предыдущей операции, но также и на результаты некоторых логических операций, которые мы в этом примере не рассматриваем. Поэтому в общем виде информация, передаваемая для команды 21 из АУ, изображена на 2.1 флажком.

6. Четыре специализированных блока БСП-Б2, предназначенных для воспроизведения типовых нелинейностей систем автоматического регулирования и выполнения некоторых логических операций.

относительно низкая вибростойкость измерительных и некоторых логических органов, например выдержки времени.

Функции некоторых логических элементов

Рассмотрим принципиальные электрические схемы некоторых логических элементов.

Регистром называется устройство, предназначенное для запоминания слова, а также для выполнения над словом некоторых логических преобразований. Регистр npetfcfafljtflef сббой совокупность триггеров, число которых соответствует количеству разрядов в слове, и вспо-

17-4. Электрические схемы некоторых логических элементов.

тельные, так и отрицательные числа). Вычитание легко сводится к сложению путем изменения на обратный знака вычитаемого. Операции умножения и деления также выполняются с помощью операции сложения и некоторых логических действий. Поэтому именно с операции сложения начнем рассмотрение способов выполнения арифметических операций.

В технологии изготовления быстродействующих интегральных логических схем часто применяют процете диффузии золота. Эта диффузия имеет вспомогательное значение, так как не формирует активные области структуры. Золото характеризуется большим коэффициентом диффузии и проникает во все области транзистора. Атомы золота в кремнии создают несколько энергетических уровней, лежащих вблизи середины запрещенной зоны. Эти глубокие уровни являются ловушками для свободных носителей заряда и значительно уменьшают их время жизни. Уменьшение времени жизни неосновных носителей приводит к сокращению 'времени их рассасывания, и в некоторых логических схемах таким методом можно увеличить быстродействие. Одновременно с этим легирование золотом значительно уменьшает диффузионную длину неосновных носителей в коллекторе и, следовательно, резко ослабляет влияние подложки на параметры транзистора.

относительно низкая вибростойкость измерительных и некоторых логических органов, например выдержки времени.

Таблица 1.3 Характеристики некоторых магнитных материалов

Тонкие магнитные пленки. Образование специфичных доменных структур происходит в основном в тонких магнитных пленках (ТМП), под которыми понимают слои ферромагнитных или ферримагнитных веществ толщиной порядка микрометра и менее. Эти структуры могут также возникать в тонких пластинках из некоторых магнитных материалов. Характер доменов и граничных слоев между ними зависит от толщины слоя и физических свойств вещества, например от величины константы кристаллографической анизотропии К.±.

Электротехнические кремнистые стали представляют собой твердый раствор кремния в железе. Легирование технически чистого железа кремнием производят с целью повышения удельного электрического сопротивления материала. Одновременно а этим кремний вызывает не только улучшение некоторых магнитных параметров (возрастает магнитная проницаемость, уменьшается коэрцитивная сила), но оказывает и вредное действие, несколько снижая индукцию насыщения и ухудшая механические свойства (повышаются твердость и хрупкость). Поэтому применяют кремнистые стали с содержанием кремния не свыше 5%.

Рассмотрим свойства некоторых магнитных материалов, применяемых для изготовления магнитооптических устройств.

о наблюдении изменений магнитной проницаемости и направления оси анизотропии в некоторых магнитных полупроводниках под воздействием света. В халькогенидах европия и некоторых других материалах имеют место повышение точки Кюри и изменение намагниченности с увеличением концентрации носителей заряда.

Таблица 9.1. Основные свойства некоторых магнитных материалов

При некотором значении напряженности намагничивающего поля в области, близкой к насыщению, форма и размеры петли гистерезиса при дальнейшем увеличении этого значения уже не изменяются, растут лишь ее безгистерезисные участки. Такая петля называется предель~ ной петлей гистерезиса. Точки пересечения предельной петли гистерезиса с осями координат определяют остаточную индукцию ВГ и коэрцитивную силу Нс, которые вместе с индукцией насыщения Bs являются характеристиками магнитных материалов. Свойства некоторых магнитных материалов, особенно ферритов, также характеризуются коэффициентом прямоугольности петли гистерезиса /гп = Вг/Вг. Материалы, в которых /г„ « 1, называют материалами с прямоугольной петлей гистерезиса.

При некотором значении напряженности намагничивающего поля в области, близкой к насыщению, форма и размеры петли гистерезиса при дальнейшем увеличении этого значения уже не изменяются, растут лишь ее безгистерезисные участки. Такая петля называется предельной петлей гистерезиса. Точки пересечения предельной петли гистерезиса с осями координат определяют остаточную индукцию ВГ и коэрцитивную силу Нс, которые вместе с индукцией насыщения Bs являются характеристиками магнитных материалов. Свойства некоторых магнитных материалов, особенно ферритов, также характеризуются коэффициентом прямоугольности петли гистерезиса kn = Br/Bs. Материалы, в которых kn « 1, называют материалами с прямоугольной петлей гистерезиса.

нет математически выраженной зависимости. Поэтому при определении удельной м. д. с. Н для каждого участка обычно пользуются опытными кривыми намагничивания применяемых в машинах магнитных материалов. Эти кривые графически выражают связь между индукцией и удельной м. д. с, В = f(H) и получаются опытным путем. На 2.2 представлены кривые намагничивания для некоторых магнитных материалов, применяемых, например, при изготовлении малых электрических машин. На этом рисунке кривая / — для корпусной стали, применяемой длп изготовления станин с отъемными полюсами; кривая // — для листошй электротехнической стали толщиной 0,5 мм, используемой для шихтованных станин, полюсов и якорей; кривая ///— для листовой электротехнической стали толщиной 0,35 мм, применяемой для якорей.

Имеются сообщения о наблюдении изменений магнитной проницаемости и направления оси анизотропии в некоторых магнитных полупроводниках под воздействием света. В халькогенидах европия и некоторых других материалах имеют место повышение точки Кюри и изменение намагниченности с увеличением концентрации носителей заряда.

На 10.3 приведена зависимость Я„с от В для некоторых магнитных материалов. Определив по графикам этих рисунков величину удельной мощности намагничивания рнс, рассчитывают полную намагничивающую мощность