Некоторые электроны

Угловые характеристики позволяют анализировать процессы в синхронном двигателе при изменении нагрузки. При увеличении тормозного момента на валу синхронного двигателя Л/тц 2 > Л/т() t =^f>M) частота вращения ротора машины уменьшается и значения угла в и электромагнитного момента М,м начинают возрастать. Равновесие тормозного и электромагнитного моментов восстановится (Л/тц 2 =A/JM2) через некоторый промежуток времени при новом значении угла 02 > > 0, . Для того чтобы сохранить запас устойчивости я/2 - в при возросшем тормозном моменте, необходимо увеличить ток возбуждения.

Средняя мощность РСр за некоторый промежуток времени представляет собой частное от деления потребления электрической энергии Э за этот промежуток времени на время t:

Наработка — продолжительность функционирования изделия либо объем работы, выполненной им за некоторый промежуток времени.

На кривой 3 показан мгновенный ток i\ в момент времени t\. При постоянном токе, несмотря на движение заряженных частиц, распределение заряда в проводнике стационарно, так как в любом элементе объема за некоторый промежуток времени заряд уходящих и входящих частиц одинаков.

Угловые характеристики позволяют анализировать процессы в син-хроннбм двигателе при изменении нагрузки. При увеличении тормозного момента на валу синхронного двигателя М 2 "> М t =^ЭМ1 частота вращения ротора машины уменьшается и значения угла в и электромагнитного момента Л/эм начинают возрастать. Равновесие тормозного и электромагнитного моментов восстановится (Л^тор2 =Мэм7) через некоторый промежуток времени при новом значении угла 02 > > в i . Для того чтобы сохранить запас устойчивости тг/2 - в при возросшем тормозном моменте, необходимо увеличить ток возбуждения.

Угловые характеристики позволяют анализировать процессы в синхронном двигателе при изменении нагрузки. При увеличении тормозного момента на валу синхронного двигателя Л/т() 2 > Л/т() ( - М.Лм] частота вращения ротора машины уменьшается и значения угла 0 и электромагнитного момента М_ начинают возрастать. Равновесие тормозного и электромагнитного моментов восстановится (Л^то 2 = ^ >М2^ через некоторый промежуток времени при новом значении угла 0г > > 01. Для того чтобы сохранить запас устойчивости тг/2 д при возросшем тормозном моменте, необходимо увеличить ток возбуждения.

При воздействии электрического поля на любое вещество в последнем наблюдается рассеяние некоторого количества электрической энергии, превращающейся в тепловую. Обычно говорят о «потерях», имея в виду среднюю за некоторый промежуток времени рассеиваемую электрическую мощность. Как правило, потери прямо пропорциональны квадрату напряженности поля.

В РЛС наряду с мгновенными координатами R, ф, 6, Vr могут быть определены параметры движения целей. Для этого используют устройства вторичной обработки информации с помощью ЦВМ. В результате анализа изменения координат за некоторый промежуток времени определяют линейные и угловые скорости и ускорения цели, траекторию ее движения.

После включения электроизмерительного прибора в электрическую цепь до момента установления показаний прибора, когда можно произвести отсчет, проходит некоторый промежуток времени (время успокоения). Под временем установления показаний следовало бы понимать тот промежуток времени, который проходит с момента изменения измеряемой величины до момента, когда указатель займет положение, соответствующее новому значению измеряемой величины. Однако если учесть, что всем приборам присуща некоторая погрешность, то время, которое занимает перемещение указателя в пределах допустимой погрешности прибора, не представляет интереса.

При этих условиях можно выделить некоторый промежуток времени тпсг(тпс/), по истечении которого влиянием экспонент, соответствующих этим группам собственных чисел, можно пренебречь. После момента времени тПСг можно пренебречь членами, соответствующими HI, ..., at, а после момента времени тпс/ также и членами, соответствующими а,-+ь ..., а/.

Способ симметричных наблюдений состоит в том, что сначала измеряют данную величину X, а затем спустя некоторый промежуток времени Д* выполняют полное или неполное замещение мерой с известным значением хл и снова через Д/ повторяют измерение X. При этом

Некоторые электроны из области пространственного заряда возвращаются на катод, а другие за счет сил диффузии достигают поверхности анода, создавая незначительный по величине анодный ток, измеряемый микроамперами и называемый начальным анодным током диода /„. Величина этого тока зависит главным образом от расстояния между катодом и анодом, от величины их поверхности и от эмиссионной способности катода. При незначительном отрицательном напряжении на аноде порядка 1 в начальный ток исчезает, так как между катодом и анодом появляется электрическое поле, являющееся тормозящим по отношению к электронам, движущимся в направлении к аноду. Лампа в этом случае будет заперта, т. е. ток через нее проходить не будет.

В процессе изготовления перехода некоторые электроны из области п диффундируют в область р и там рекомбинируют с дырками, которые до этого нейтрализовали заряды отрицательных ионов. Диффузия

На 3.19, а показана составляющая туннельного тока /др.ту„ (кривая О АС), которая в точке А достигает максимума вследствие насыщения туннелей. Правее точки А плотность тока в туннелях становится настолько большой, что некоторые электроны выталкиваются (вытесняются) из туннелей и попадают в поле барьера, направленное навстречу внешнему полю, действующему в туннелях. В мощном поле барьера электроны меняют направление, как показано на 3.19, б, и разгоняются до скоростей, достаточных для лавинного размножения носителей зарядов в области, контролируемой полем барьера.

При очень больших частотах, превышающих fKp3, возможно возрастание разрядного напряжения. При этом полупериод настолько мал, что некоторые электроны не успевают осуществить ни одного акта ионизации. Чтобы началась ионизация, необходимо увеличить напряжение, т. е. скорость движения электрона, и уменьшить тем самым среднее время между столкновениями.

Из-за относительно узкой запрещенной зоны у Ge и Si уже при температуре, близкой к комнатной (ГлгЗОО К), некоторые электроны получают энергию, достаточную, чтобы преодолеть запрещенную зону и перейти в зону проводимости. При уходе электрона в валентной зоне остается незаполненный энергетический уровень — дырка. В кристаллической решетке при этом происходит разрыв одной из валентных связей в кристалле полупроводника и появ-

что некоторые электроны за это время не успевают осуществить ни одного акта ионизации. Для того чтобы ионизация псе же началась, необходимо увеличить ^приложенное напряжение, с тем, чтобь:: уменьшить время пробега электрона между двумя последовательными столкновениями.

В туннель ном диоде в отличие от обычных полупроводниковых диодов применяется кристалл с очень большим содержанием примесей и очень тонким (порядка 10~6 см) переходом. В таком тонком переходе уже при небольших прямых напряжениях возникает значительная напряженность электрического поля. При этом некоторые электроны могут просачиваться сквозь энергетический барьер или, как говорят, проходить туннельным эффектом. При увеличении (от нуля) напряжения ток вначале возрастает, а затем уменьшается ( 5-8). При дальнейшем увеличении напряжения через диод начинает протекать обычный диодный

При температурах выше абсолютного нуля некоторые электроны валентной зоны могут быть переброшены в зону проводимости — возможна тепловая генерация пар носителей заряда, в зоне проводимости появляются свободные электроны, а в валентной зоне — дырки. Процесс тепловой генерации возможен даже при очень низких температурах из-за значительных флуктуации (отклонений) энергий тепловых колебаний атомов от средней энергии тепловых колебаний атомов относительно узлов кристаллической решетки.

С повышением температуры из-за увеличения тепловой энергии некоторые электроны разрывают ковалентную связь и появляются в зоне проводимости ( 8.2, а). В кристалле собственного полупроводника каждому электрону в зоне проводимости соответствует одна дырка, оставленная им в валентной зоне. В этом случае свободный электрон обладает энергией, большей той, которую он имел в связанном состоянии, на величину не менее энергии ширины запрещенной зоны.

Режим возврата электронов к сетке. Пусть на сетку лампы задано некоторое положительное напряжение, а напряжение на аноде изменяется от нуля до значения, превышающего напряжение на сетке. При С7С > 0 и ?/а = () электроны, пролетая между витками сетки, подвергаются воздействию положительного поля сетки и их траектории искривляются ( 3-6). Наибольшее воздействие поле сетки оказывает на электроны, движущиеся вблизи ее витков. Некоторые электроны устремляются непосредственно к сетке; другая же их часть, пролетев плоскость сетки п попав в тормозящее поле анода, возвращается обратно к сетке по криволинейным траекториям. Ток анода равен нулю, и все электроны, преодолевающие потенциальный барьер у катода, попадают на сотку.

Режим возврата электронов к сетке. Пусть на сетку лампы задано некоторое положительное напряжение, а напряжение на аноде изменяется от нуля до значения, превышающего напряжение на сетке. При С7С > 0 и ?/а = () электроны, пролетая между витками сетки, подвергаются воздействию положительного поля сетки и их траектории искривляются ( 3-6). Наибольшее воздействие поле сетки оказывает на электроны, движущиеся вблизи ее витков. Некоторые электроны устремляются непосредственно к сетке; другая же их часть, пролетев плоскость сетки п попав в тормозящее поле анода, возвращается обратно к сетке по криволинейным траекториям. Ток анода равен нулю, и все электроны, преодолевающие потенциальный барьер у катода, попадают на сотку.

Из-за относительно узкой запрещенной зоны у Ge и Si уже при температуре, близкой к комнатной (7^300 К), некоторые электроны получают энергию, достаточную, чтобы преодолеть запрещенную зону и перейти в зону проводимости. При уходе электрона в валентной зоне остается незаполненный энергетический уровень — дырка. В кристаллической решетке при этом происходит разрыв одной из валентных связей в кристалле полупроводника и появ-