Недостатки связанные

1. Что такое трехфазная система ЭДС и какие схемы соединения источников ЭДС с потребителями применяются в электротехнике? Укажите достоинства и недостатки различных схем соединения.

Преимущества и недостатки различных схем симметрирования.

2. Каковы преимущества и недостатки различных методов регулирования частоты вращения ротора трехфазных асинхронных двигателей?

2. Каковы преимущества и недостатки различных методов регулирования частоты вращения ротора трехфазных «синхронных двигателей?

6. Каковы достоинства и недостатки различных методов обезжиривания?

Таким образом, значительное повышение КПД усилителей класса D в сравнении с классами усиления АВ и В достигается за счет усложнения их схемотехники, некоторого снижения их надежности и ухудшения частотных и линейных свойств. Поэтому разработчики УЗЧ большой мощности должны критически оценивать выбор схем каскадов усилителя, УЭ и режимов их работы, объективно анализируя достоинства и недостатки различных реализаций выходных каскадов.

Конструкции, достоинства и недостатки различных загрузочных устройств рассмотрены в гл. 6.

2. Каковы преимущества и недостатки различных схем выпрямления?

7.2.1. Очистка. В табл. 7.1 показаны преимущества и недостатки различных условий, при которых может работать оборудование систем очистки по отношению к системе первого контура. За исключением высокотемпературного ионного обмена, практически все варианты, приведенные в табл. 7.1, используются в ядерных установках. Были затрачены значительные усилия для создания высокотемпературных сорбентов для растворенных радиоактивных веществ, но пока доступные материалы непригодны для использования в ядерных установках. Типичные диапазоны условий работы для систем очистки приведены в табл. 7.2.

В ближайшее десятилетие, очевидно, будет накоплен опыт проектирования, сооружения и эксплуатации реакторов, который позволит всесторонне оценить достоинства и недостатки различных типов тепловых реакторов и определить перспективы дальнейшего их развития. Однако, по-видимому, только быстрые реакторы-размножители, позволяющие осуществить расширенное воспроизводство ядерного топлива, могут обеспечить развитие энергетики на многие столетия. В связи с этим в 10-й пятилетке в нашей стране началось промышленное освоение реакторов на быстрых нейтронах.

Промышленностью выпускается много типов конденсаторов. Здесь перечислены основные преимущества и недостатки различных типов. Очсвилно, что данная оценка имеет несколько субъективный характер (см. таблицу).

Важным достоинством принципа управления с обратной связью является возможность обеспечения выработки управляющих воздействий независимо от вида, места приложения и числа воздействий, вызывающих нежелательные отклонения регулируемых параметров. Однако этому принципу управления присущи недостатки, связанные, во-первых, с неизбежностью тех или иных отклонений регулируемых параметров от требуемых значений, во-вторых, с задержкой сигналов в контуре управления с обратной связью с выхода на вход управляемого процесса, что существенно ограничивает точность управления. Все это приводит к необходимости использования комбинированных систем управления, использующих принципы обратной связи по регулируемым параметрам совместно с компенсацией отдельных возмущающих воздействий ( 3.8).

Наряду с этим имелись и недостатки, связанные с ограниченными архитектурными возможностями:

Так как станда;рт группового графика непосредственно зависит от коэффициента формы, то выявляются недостатки, связанные с необходимостью иметь данные о графиках нагрузки.

Как видно из табл. 6.2, при применении явного метода Эйлера увеличение шага интегрирования h привело к резкому (в миллиард раз!) увеличению по модулю составляющей xmpi решения хп+\ разностного уравнения и, следовательно, неадекватности xn+i истинному решению хп+\ рассматриваемого уравнения. Аналогичная ситуация возникает и при использовании других явных методов численного интегрирования. Интегрирование жестких дифференциальных уравнений можно осуществлять неявными методами, шаг в которых выбирают в основном по условиям обеспечения заданной точности и на участках плавного изменения решения он может быть увеличен. Однако необходимо заметить, что неявным методам присущи недостатки, связанные с их практической реализацией, особенно проявляющиеся именно для жестких систем. К ним относится, например, необходимость решения алгебраических, в общем случае нелинейных, систем уравнений. При этом возникают проблемы выбора численного метода решения таких систем, определения начального приближения для итерационного процесса, обеспечения сходимости такого процесса и т. д. Специфические свойства алгебраических систем, выявляемые при интегрировании неявными методами жестких уравнений состояния, например плохая обусловленность систем, затрудняют их численную обработку. Таким образом, жесткость уравнений состояния порождает существенные вычислительные трудности их интегрирования. Заметим, что рассмотренные в предыдущей главе численно-аналитические методы

Недостатки, связанные с применением таких конденсаторов, в значительной степени можно устранить, если воспользоваться другим способом формирования конденсатора, в частности МДП-конденсатора на основе слоя двуокиси кремния. Эти конденсаторы отличаются лучшими электрическими характеристиками и находят применение в широком классе перспективных полупроводниковых ИМС, в том числе в линейных полупроводниковых ИМС. Процесс изготовления интегральных МДП-кон-денсаторов не требует дополнительных технологических операций, так как получение оксида, используемого в качестве диэлектрика, можно легко совместить с одной из операций локальной диффузии. Структура и эквивалентная схема МДП-конденсатора показаны на 2.40, а, б.

Установкам продольной компенсации присущи органические недостатки, связанные с возможностью «самовозбуждения» двигателей при их пуске и возникновением субгармонических колебаний из-за феррорезонанса в цепях «емкость — трансформатор». Как первое, так и второе явления сопровождаются протеканием больших сверхтоков, опасных для изоляции двигателей и конденсаторов перенапряжений, и неприятным мерцанием светильников электрического освещения.

Данная схема имеет существенные недостатки, связанные с непостоянством напряжения зажигания и потухания лампы, с разбросом параметров резисто-

ственные недостатки, связанные с возможностью возникновения в местах стыков значительных вихревых токов из-за взаимного перекрытия листов стержней и ярм ( 2-40). Вихревые токи создают дополнительные потери и могут вызвать значительный нагрев магнитной системы

концентрацией Л/2о- Сильнолегированный п+-слой коллектора является подложкой транзисторной структуры, концентрация доноров в которой А'п. На 2.15, о представлено распределение результирующей примеси в укрупненном масштабе и обозначены границы ОПЗ эмиттерного и коллекторного р-п переходов. Концентрация примеси в базе ( 2.15, в) максимальна, как правило, в левой трети базы, примыкающей к эмиттеру. В этой части базы создается не ускоряющее, а тормозящее электроны электрическое поле, что отрицательно сказывается на усилительных и частотных свойствах транзистора. Однако то, что толщина базы дрейфовых транзисторов мала, полностью окупает недостатки, связанные с наличием участка тормозящего поля в базе. По традиции к дрейфовым транзисторам причисляются все биполярные транзисторы с неоднородно легированным слоем базы, полученным методом диффузии или имплантации примеси.

Вместе с тем за последнее время намечается ряд перспективных направлений, которые во многих случаях, по-видимому, позволят избежать недостатки, связанные с особенностями распространения волн уже освоенных диапазонов. К числу этих направлений следует отнести попытки использования метеорных следов (отражение от участков с повышенной ионизацией, образующихся при вхождении метеоров в верхние слои атмосферы), использование поверхности Луны в качестве пассивного отражателя радиоволн, рентрансляцию сигналов с помощью искусственных спутников Земли, создание специальных ионизированных облаков и т. д. Можно предполагать, что подобные методы приведут к возможности осуществления связи, сочетающей в себе преимущества, присущие различным диапазонам.

Недостатки, связанные с применением интегральных конденсаторов, изготовляемых на p-n-переходах, в значительной степени можно устранить, если воспользоваться другим способом формирования конденсатора, в частности МДП-конденсатора на основе пленки двуокиси кремния. Такие конденсаторы отличаются лучшими электрическими характеристиками и находят применение в широком классе перспективных полупроводниковых ИМС, в том числе в линейных полупроводниковых ИМС. Процесс изготовления интегральных МДП-конденсаторов не требует дополнительных технологических операций, так как получение окисла, используемого в качестве диэлектрика, можно легко совместить с одной из операций локальной диффузии. Структура и эквивалентная схема МДП-конденсатора показаны на 2.41, а и б.