Небольшом расстоянии

и — в условиях термодинамического равновесия; б — при смещении затвора и нулевом напряжении на стоке; в — при смещении затвора и небольшом напряжении на стоке; t' -- при смещении затвора и большом напряжении на стоке

МДП-приборы с нестираемой памятью можно разделить на две группы в зависимости от структуры диэлектрика затвора: с плавающим затвором и с двойным диэлектриком. В таких приборах возможно изменение заряда под затвором и в соответствии с этим изменение порогового напряжения между двумя устойчивыми состояниями, которые могут достаточно долго сохраняться после снятия напряжения. Приборы с постоянной памятью обладают большой скоростью переключения из состояния «О» в состояние «1» и наоборот. Записанную информацию можно считывать при небольшом напряжении неограниченное количество раз без заметного ее разрушения. Перезапись информации также может быть осуществлена неограниченное число раз с сохранением основных параметров элементов.

Диоды Д4 и Д5 являются диодами смещения и всегда поддерживаются в открытом состоянии источником (73. При малых токах падение напряжения на диодах определяется характеристиками р—п переходов. В качестве диодов смещения используется диодное включение транзисторов (t/кь = 0), которое функционирует и при небольшом напряжении источника Ul.

Соответствующий ему ток /Снас= °'5^^си2нас' где ^ = *?доЦпо/?- Поскольку пороговое напряжение зависит от напряжения сток— исток, то в формулу (4.7) надо подставлять Unop при ?/си= Ucvl нас- Однако при небольшом напряжении насыщения можно подставлять 1/си пор при ?/Си = 0 и считать, что за висимость ^пор(^си) не сказывается на напряжении насыщения.

В конструкции, приведенной на 4-1, в, напряженность электрического поля имеет наибольшее значение у края короткого электрода. Поэтому в этом месте при относительно небольшом напряжении возникает корона, которая наблюдается в виде полоски неяркого свечения. При увеличении напряжения область корони-рования расширяется и возникают стримеры.

4.11. Эффект смыкания переходов в транзисторе: а — энергетическая диаграмма транзистора при небольшом напряжении на коллекторе; б — смыкание областей объемного заряда коллекторного и эмиттерного переходов

Преимущества прямого нагрева изделий электрическим током состоят в быстром повышении температуры изделия, что исключает потребность в специальной тепловой изоляции; при этом происходят незначительные потери металла на окисление и равномерный нагрев изделия по всему объему. Прямой нагрев металлов электрическим током широко применяется в кузнечном производстве. Количество выделяемого в изделии тепла пропорционально квадрату тока (в соответствии с законом Джоуля — Ленца). Поэтому через изделия пропускают токи, значения которых достигают тысяч ампер при относительно небольшом напряжении (5—25 В). Напряжение на изделии понижается и регулируется специальным трансформатором ( 5.6). Температура нагрева контролируется термопарой.

В силу малости сопротивлений Х12 » Хк ток /13 может быть весьма велик даже при сравнительно небольшом напряжении обратной последовательности ?/12,

Так как поворотный автотрансформатор работает при неподвижном состоянии, то для него, так ше как и для трансформатора, большое значение имеет охлаждение. При малой мощности и небольшом напряжении они выполняются с воздушным охлаждением, а при средней и большой мощности чаще всего имеют масляное охлаждение и вертикальное расположение вала.

до соприкосновения когда сильное нагревание проходящим током места соприкосновения углей обеспечивает при их раздвигании образование дуги, излучающей ослепительный свет. Газ ионизируется при этом электронами, эмиттируе-мыми накаленным катодом. Наиболее сильно накаляется анод, у которого из-за бомбардировки электронами образуется кратер с температурой до 4 000° С. Газоразрядная плазма между электродами имеет температуру еще более высокую и обладает очень большой проводимостью. Поэтому при относительно небольшом напряжении (10—40 в) между электродами возникает большой ток с плотностью от 100 а/см? и выше.

чим внешнее электрическое поле «внеш» направленное навстречу полю р — п перехода; под действием внешнего поля электроны и дырки будут двигаться навстречу друг другу ( 4-29). При таком движении электронов и дырок число основных носителей заряда в переходном слое возрастет, а объемный заряд уменьшится, следовательно, уменьшится потенциальный барьер и сопротивление переходного слоя. Таким образом, в цепи установится ток /пр, называемый прямым, который будет значительным даже при относительно небольшом напряжении источника питания. Присоединив к вентилю источник питания в обратном направлении ( 4-30), получим внешнее поле одного направления с полем р — п перехода и, следовательно, усиливающим его. Теперь поле еще больше будет препятствовать прохождению основных носителей заряда через запирающий слой. Кроме того, внешнее поле вызовет движение электронов в n-полупроводнике и дырок в р-полупро-воднике в противоположные стороны от запирающего слоя. Это повлечет за собой увеличение объемного заряда, потенциального барьера и сопротивления запирающего

В ВЗУ на лентах применяют универсальные, но большей частью сдвоенные головки. В первом случае одни и те же головки используют для считывания и для записи, во втором имеются отдельные блоки головок записи и считывания, расположенные на небольшом расстоянии друг от друга по направлению движения ленты. В этом случае головки считывания используют также для контроля правильности записи информации путем ее считывания сразу после записи.

Индуктор и футеровка, основной частью которой является тигель, укрепляются в корпусе печи. Конструктивные детали корпуса располагаются вне индуктора на небольшом расстоянии от него, т. е. в области, пронизываемой магнитным потоком индуктора на пути его обратного замыкания. Поэтому в металлических деталях корпуса могут возникать вихревые токи, вызывающие нагрев.

Чтобы снизить общее сопротивление заземления и выровнять распределение потенциалов на территории установки, забивают в грунт несколько заземлителей, которые связывают друг с дру гом стальной лентой. При этом одиночные заземлители располагают на небольшом расстоянии друг от друга (но не менее 2,5—Зм). Тогда стекание тока с заземлителя в землю вызывает явление взаимного экранирования между заземлителями. Оно заключается в том, что поле растекания тока каждого заземлителя ограничивается полями соседних заземлителей. Ток по выходе из заземлителя охватывает меньшую зону и, следовательно, встречает на своем пути большее сопротивление грунта. Это повышает потенциалы на поверхности грунта между заземлителями. В результате общая проводимость группы заземлителей не равна сумме проводимостей одиночных заземлителей. Сопротивление для сложного заземлителя

Пластину 1, покрытую слоем полиметилметакрилата 2, чувствительного к рентгеновскому излучению, помещают на небольшом расстоянии S под шаблоном 4, выполненным

Надежным и удобным способом легирования является так называемое электроискровое (газоразрядное) легирование, сущность которого состоит в следующем. В реактор или в отдельную камеру на входе в реактор на небольшом расстоянии друг от друга вводят платиновые электроды, на одном из которых помещают распыляемое вещество (лигатуру). Для легирования фосфором, мышьяком, сурьмой используют соответственно фосфид галлия GaP, арсенид галлия GaAs или его антимонид GaSb. Для легирования бором часто используют гексаборид лантана LaB6. Электроды подключают к выходу искрового генератора и с его помощью возбуждают искровой разряд. В разряде под воздействием высокой температуры происходит разложение легирующих соединений при одновременном химическом взаимодействии с атмосферой реактора. Так, фосфор, мышьяк и сурьма, образующиеся в результате разложения соответствующих соединений с галлием, формируют с водородом газообразные гидриды: РН3 (фос-фин), AsH3 (арсин), SbH3 (стибин), бор образует газообразный продукт В2Н6 (диборан). Галлий (так же как и лантан) не образует гидридов и, поскольку его давление пара низкое, остается на электродах или в виде элементарного пара (при очень низком давлении) уносится потоком водорода из реактора.

Потенциальный барьер образован неподвижными зарядами: положительными и отрицательными ионами. Емкость, обусловленная этими зарядами, называется барьерной. При изменении запирающего напряжения меняется толщина р-и-перехода, а следовательно, и его емкость. Величина барьерной емкости пропорциональна площади /7-и-перехода, концентрации носителей заряда и диэлектрической проницаемости материала полупроводника. При малом обратном напряжении толщина р-и-перехода мала, носители зарядов противоположных знаков находятся на небольшом расстоянии друг от друга. При этом собственная емкость /wj-перехода велика. В случае увеличения обратного напряжения толщина /7-и-перехода растет и емкость /?-я-перехода уменьшается. Таким образом, ^-«-переход можно использовать как емкость, управляемую обратным напряжением: C6 = q5/Uo6p, где q6 — объемный заряд равновесных носителей.

Электрическим диполем называется совокупность двух равных по величине и противоположных по знаку точечных *аря-дов д, находящихся на небольшом расстоянии / друг от друга ( 8-6). Отрезок I можно изобразить в виде вектора, направленного от отрицательного заряда к положительному. Он называется плечом диполя. Произведение заряда диполя ч на плечо 1 нааывают 'моментом диполя р." 01..

Устройство полевого транзистора с изолированным затвором схематически показано на 16.27. Основу прибора составляет пластина полупроводника р-типа. На небольшом расстоянии друг от друга в поверхность основной пластины вплавляют донорную примесь. Затем поверхность пластины кремния подвергают термической обработке, в результате чего на ней наращивается ТОНКИЙ (0,1 мкм) слой диосида, являющегося хорошим изолятором. На слой изолятора накладывают металлическую пластину затвора, перекрывающую области донорной примеси п.

Каждой головке соответствует расположенная под ней на ленте дорожка записи При помощи блока головок одновременно записывается поперек ленты двоичный код, длина которого равна числу головок. Применяют универсальные и сдвоенные головки. В первом случае одни и те же головки используются для считывания и для'записи, во втором имеются отдельные блоки головок записи и считывания, стоящие на небольшом расстоянии друг от друга по направлению движения ленты. В этом случае головки считывания используются также для контроля правильности записи строки путем ее считывания сразу после записи.

на небольшом расстоянии / друг от друга ( 1-6). Отрезок I можно изобразить в виде вектора, направленного от отрицательного заряда К положительному. Он называется плечом диполя. Произведение заряда диполя q на плечо 1 называют момен-г2$ том диполя р = q\. В некоторой точке поля /R^^*"*^ потенциал от положительного заряда равен:

6-26. На тороидальном ферромагнитном сердечнике ( 6.26), состоящем из двух частей 1 и 2 (сердечник расположен в горизонтальной плоскости), находятся на небольшом расстоянии две обмотки Л и Б, причем ША>И'Д. Первая часть сердечника (1) и обмотка А закреплены. Обмотка Б может перемещаться вдоль сердечника.